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于新技術(shù),中國LED企業(yè)可以和國外廠家站在同一起跑線上 - GaN襯底 中國LED企業(yè)與國外廠家同時起跑

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2012-03-29 10:05:567334

市場追蹤:中國LED企業(yè)應(yīng)到國外LED市場去淘金

  近年來,對眾多中國LED企業(yè)來說,千萬里外的海外市場,卻更像是一片可以自由飛翔的廣闊天地。珠三角地區(qū)和長三角地區(qū)的LED制造企業(yè),不少企業(yè)出口占據(jù)了50%~70%以上的比例。
2012-06-06 08:50:20714

LED行業(yè)新時代 硅襯底LED如何解決技術(shù)難題?

南昌大學(xué)江風(fēng)益團隊成功研發(fā)硅襯底LED技術(shù),使中國成為世界上繼日美之后第三個掌握藍光LED自主知識產(chǎn)權(quán)技術(shù)的國家。這項高新技術(shù)和成功產(chǎn)業(yè)化,獲得了2015年度國家技術(shù)發(fā)明獎一等獎,硅襯底時代隨即到來。
2016-05-11 16:38:432004

正裝、倒裝、垂直LED芯片結(jié)構(gòu)的介紹及LED倒裝芯片的優(yōu)點

LED正裝芯片是最早出現(xiàn)的芯片結(jié)構(gòu),也是小功率芯片中普遍使用的芯片結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu),電極在上方,從上至下材料為:P-GaN,發(fā)光層,N-GaN襯底。所以,相對倒裝來說就是正裝。 LED倒裝芯片和癥狀
2017-09-29 17:18:4373

led燈珠廠家排名,led燈珠品牌排名

目前LED的市場可謂是十分可觀,隨著市場的競爭加劇,越來越多的LED品牌涌入到市場當(dāng)中。那么在眾多品牌當(dāng)中,有哪些廠家及品牌比較好呢?下面我們來看看led燈珠廠家品牌排名情況。
2017-12-12 17:00:0628583

中國傳感器發(fā)展與國外的差別

中國的專利保護機制下,傳感器中辛辛苦苦研發(fā)出來的關(guān)鍵技術(shù),往往呈現(xiàn)一種“訣竅”性質(zhì),被抄襲后,很難說清楚,企業(yè)也打不起官司。國內(nèi)雖然也有MEMS傳感器企業(yè),但都是委托加工,搞不好就被加工企業(yè)自己拿去做了,目前的企業(yè)創(chuàng)新體系有很大的問題。
2018-07-25 10:29:001584

國內(nèi)10家科技公司與國外大型人工智能企業(yè)展開深度合作

近來,百度、華為、小米、商湯科技、阿里巴巴、騰訊、網(wǎng)易、科大訊飛、大華、海康威視等皆與國外大型企業(yè)在人工智能領(lǐng)域開展深度合作,百度與大陸集團、英偉達、高通相繼建立戰(zhàn)略合作,華為也與微軟
2018-07-13 08:15:004114

中國軍團與國外巨頭齊頭企業(yè)同臺競技

德國漢諾威工業(yè)博覽會是當(dāng)今規(guī)模最大的世界級工業(yè)盛會,每年吸引全球各地的政治和商業(yè)領(lǐng)袖們齊聚一堂。參展企業(yè)包括德國西門子、GE,SAP,Microsoft,Oracle,IBM等國外巨頭企業(yè);中國軍團今年也當(dāng)仁不讓。
2018-05-23 10:13:573808

“成長快速”和“亟待突圍”是中國工業(yè)機器人產(chǎn)業(yè)兩大關(guān)鍵詞

但是,節(jié)卡在智能裝備系統(tǒng)領(lǐng)域擴張的同時,也看到了中國工業(yè)機器人產(chǎn)業(yè)與國際巨頭之間在核心技術(shù)方面的差距。正如李明洋先生所稱“中國廠商技術(shù)能力薄弱,都是以集成為主,關(guān)鍵部件的核心技術(shù)全部掌握在國外企業(yè)手中。同樣的產(chǎn)品,國外廠商會以高出國外價格數(shù)倍的價格賣給中國廠商,而中國廠商也無奈只能接受?!?/div>
2018-07-05 14:51:502861

襯底GaNLED技術(shù),Micro LED將是晶能光電的重大應(yīng)用

顯示技術(shù)。作為全球硅襯底GaNLED技術(shù)的領(lǐng)跑者,晶能光電最近也將目光投向了Micro LED。
2018-08-27 17:37:127141

我國LED顯示屏廠家數(shù)量劇增 眾多企業(yè)開始進軍海外市場

近年來,跟著國內(nèi)LED顯示屏廠家數(shù)量劇增,職業(yè)面對的生存壓力逐步添加,同時,因為海外寬廣商場的招引,使得許多LED顯現(xiàn)屏聞名廠家紛繁把目光投到海外,紛繁走上“出?!敝?,乃至逐步有些LED顯現(xiàn)屏企業(yè)
2018-10-16 15:36:001701

國內(nèi)企業(yè)LED芯片技術(shù)發(fā)展迅速 但核心專利仍受制于國外企業(yè)

  ??摘要:隨著LED的廣泛運用,LED芯片行業(yè)快速發(fā)展,芯片市場規(guī)模逐漸擴大。國內(nèi)LED芯片廠商在過去幾年迅速擴張,技術(shù)與國際先進水平差距越來越小。但在LED芯片產(chǎn)能過剩、核心專利受制于國外企業(yè)
2019-01-30 16:30:03433

國外廠商針對折疊屏手機設(shè)計出了三款保護殼

,一摔在地上,基本上就意味著你可能要換手機了。 不過國外廠商針對折疊屏手機,放出了它們的一些保護殼設(shè)計,Spigen 便分享了他們?yōu)?Fold 所設(shè)計的三款保護殼。
2019-03-04 08:50:28894

中國LED芯片產(chǎn)業(yè)的崛起與GaN和SiC等器件需求的飆升

led芯片產(chǎn)業(yè)有所了解的朋友應(yīng)該知道,GaN和SiC這些化合物半導(dǎo)體曾經(jīng)被推廣到led芯片當(dāng)作襯底,而Cree作為當(dāng)中的領(lǐng)頭羊,在這些領(lǐng)域都有很深入的研究和積累。雖然led市場吸引力不再,但這些技術(shù)在功率電子和射頻領(lǐng)域看到了很大的成長空間。
2019-05-07 16:04:317025

2019年中國藍寶石襯底晶片企業(yè)綜合競爭力排名

高工產(chǎn)研LED研究所(GGII)通過對國內(nèi)LED外延片及芯片制造企業(yè)的長期追蹤,綜合市場占有率、產(chǎn)品質(zhì)量、研發(fā)能力、品牌美譽度、服務(wù)能力等各方面因素,評選出2019年中國藍寶石(2、4、6英寸)襯底晶片TOP10的企業(yè)。
2019-05-10 17:10:3717149

Soitec收購EpiGaN nv,氮化鎵(GaN)材料加入優(yōu)化襯底產(chǎn)品組合

Soitec宣布收購EpiGaN nv,增強其優(yōu)化襯底產(chǎn)品組合氮化鎵(GaN)材料優(yōu)勢,此次收購將加速Soitec在高速增長的5G、電源和傳感器市場的滲透率。 中國北京,2019年5月16日作為
2019-05-16 09:17:001297

襯底LED未來有望引領(lǐng)市場發(fā)展

LED襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料,其決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。目前,能作為LED襯底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、Zno等,但商用最廣泛的是Al2O3、SiC
2019-07-30 15:14:033765

國外廠商推出00W氮化鎵充電器,約合人民幣480元

  2月2日消息報道,國外廠商推出了一款名為HyperJuice的100W氮化鎵充電器,2A2C,外觀只有一副紙牌大小,電源效率達到了95%。
2020-02-03 15:10:184366

國產(chǎn)SSD迎爆發(fā)之年 即將打破國外廠商壟斷

年,被寄予厚望的長江存儲量產(chǎn)了64層3D NAND Flash,合肥長鑫量產(chǎn)DDR4 DRAM,國科微與龍芯推出搭載自主CPU的SSD主控芯片,國內(nèi)存儲企業(yè)已然奮起,打破國外廠商壟斷。
2020-03-03 16:19:291021

上海芯元基新型GaN復(fù)合襯底的制備技術(shù)

科技半導(dǎo)體公司提出的GaN基復(fù)合襯底技術(shù),結(jié)合企業(yè)自身的LED芯片技術(shù),在大大提高LED出光效率的同時,還能大幅降低高端LED芯片的生產(chǎn)成本,改進現(xiàn)有LED的產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu),同時該技術(shù)還可擴展應(yīng)用到GaN功率器件和MicroLED領(lǐng)域。
2020-04-17 16:37:573421

中國IC設(shè)計公司與國外企業(yè)相比較有哪些特點與差別

中國近幾年在IC設(shè)計行業(yè)的發(fā)展較快,在國際IC市場取得一定的份額,但比例還是非常小,與發(fā)達國家還有相當(dāng)在的差距。中國IC設(shè)計公司與國外企業(yè)相比較,主要有以下特點和不同:
2020-07-13 09:32:441331

武大發(fā)現(xiàn)PSSA襯底可提高LED芯片的效率

據(jù)報道,武漢大學(xué)的研究團隊近期公布了采用PSSA(patterned sapphire with silica array)襯底來降低氮化鎵接合邊界失配問題的方法,提出PSSA襯底可提高銦氮化鎵、氮化鎵(InGaN/GaN)倒裝芯片可見光LED的效率。
2020-12-09 17:00:23801

GaN產(chǎn)業(yè)格局初成,國內(nèi)廠商加速布局

我國GaN產(chǎn)品逐步從小批量研發(fā)、向規(guī)模化、商業(yè)化生產(chǎn)發(fā)展。GaN單晶襯底實現(xiàn)2-3英寸小批量產(chǎn)業(yè)化,4英寸已經(jīng)實現(xiàn)樣品生產(chǎn)。GaN異質(zhì)外延襯底已經(jīng)實現(xiàn)6英寸產(chǎn)業(yè)化,8英寸正在進行產(chǎn)品研發(fā)。 GaN材料應(yīng)用范圍仍LED向射頻、功率器件不斷擴展。
2020-12-23 15:15:092355

承泰科技是如何突破國外廠商毫米波雷達市場壟斷的?

眾所周知,毫米波雷達市場一直由ABCD等國外巨頭壟斷。但是近年來,少數(shù)國內(nèi)企業(yè)開始取得了量產(chǎn)突破,譬如承泰科技,2020年在商用車毫米波雷達市場出貨量達到10多萬臺,在國內(nèi)廠商中處于第一
2021-04-01 14:13:344425

探究Si襯底的功率型GaNLED制造技術(shù)

介紹了Si襯底功率型GaNLED芯片和封裝制造技術(shù),分析了Si襯底功率型GaNLED芯片制造和封裝工藝及關(guān)鍵技術(shù),提供了
2021-04-21 09:55:203939

解析?國產(chǎn)GaN控制芯片在快充領(lǐng)域的優(yōu)勢與不足

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李誠)上一期文章講述了國外廠商主流的GaN快充主控芯片,其中安森美NCP1342解決方案被眾多廠商使用。其實,除了國外GaN控制芯片,國內(nèi)的GaN控制芯片這幾年發(fā)展得也不錯
2021-09-18 09:49:533869

新開發(fā)了一種GaN襯底減薄技術(shù)——激光減薄技術(shù)

而此次他們通過實驗證明,該技術(shù)同樣適用于GaN-on-GaN HEMT器件制造,即在器件制造之后采用激光工藝進行減薄,該技術(shù)可顯著降低 GaN 襯底的消耗。
2022-05-12 10:45:553709

晶能光電硅襯底氮化鎵技術(shù)助力MicroLED產(chǎn)業(yè)化

Micro LED被譽為新時代顯示技術(shù),但目前仍面臨關(guān)鍵技術(shù)、良率、和成本的挑戰(zhàn)。 微米級的Micro LED已經(jīng)脫離了常規(guī)LED工藝,邁入類IC制程。相對其它競爭方案,大尺寸硅襯底氮化鎵(GaN
2022-08-17 12:25:421163

晶能光電參與的國家虛擬現(xiàn)實創(chuàng)新中心獲批組建

晶能光電是硅襯底GaNLED生產(chǎn)的垂直整合制造IDM企業(yè),擁有包括硅襯底GaN材料生長、LED芯片制備,器件模組生產(chǎn)的全鏈條產(chǎn)業(yè)化的豐富經(jīng)驗。
2022-11-08 09:19:12589

世界最高電阻率的半絕緣GaN自支撐襯底

近年來,半絕緣SiC襯底上外延生長的GaN高遷移率晶體管(GaN-on-SiC HEMTs)已廣泛應(yīng)用于微波射頻領(lǐng)域的功率放大器電路中。
2022-12-02 11:43:46497

國際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

 相比于橫向功率電子器件,GaN縱向功率器件能提供更高的功率密度/晶圓利用率、更好的動態(tài)特性、更佳的熱管理,而大尺寸、低成本的硅襯底GaN縱向功率電子器件吸引了國內(nèi)外眾多科研團隊的目光,近些年已取得了重要進展。
2022-12-15 16:25:35808

電裝實力入榜2022胡潤中國外商投資企業(yè)百強

2022 胡潤中國外商投資企業(yè)百強 2022 /12 / 21 胡潤研究院發(fā)布了《2022胡潤中國外商投資企業(yè)百強榜暨投資大灣區(qū)指南》 (Hurun Largest Foreign HK/Macau
2023-01-05 01:55:02612

晶能光電帶驅(qū)動的三基色Micro LED顯示模組再獲央視報道

作為國家虛擬現(xiàn)實創(chuàng)新中心入局者,晶能光電利用自主創(chuàng)新的硅襯底GaNLED技術(shù),承擔(dān)硅襯底Micro LED的關(guān)鍵共性技術(shù)開發(fā)。
2023-02-15 10:53:39270

淺談帶驅(qū)動的三基色Micro LED顯示模組

作為國家虛擬現(xiàn)實創(chuàng)新中心入局者,晶能光電利用自主創(chuàng)新的硅襯底GaNLED技術(shù),承擔(dān)硅襯底Micro LED的關(guān)鍵共性技術(shù)開發(fā)。
2023-02-21 11:00:20262

淺談GaN 異質(zhì)襯底外延生長方法

HVPE(氫化物氣相外延法)與上述兩種方法的區(qū)別還是在于鎵源,此方法通常以鎵的氯化物GaCl3為鎵源,NH3為氮源,在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長出GaN晶體。
2023-06-11 11:11:32309

GaN單晶襯底顯著改善HEMT器件電流崩塌效應(yīng)

襯底材料和GaN之間純在較大的晶格失配和熱失配,外延層中往往存在大量的缺陷,使得HEMT器件中存在較強電流崩塌效應(yīng),影響器件的性能發(fā)揮。
2023-06-14 14:00:551920

與國外直線模組相比,國內(nèi)直線電機模組廠家面臨哪些挑戰(zhàn)?

當(dāng)前在國內(nèi)工業(yè)與制造業(yè)智能化、自動化轉(zhuǎn)型升級趨勢不斷加深背景下,國內(nèi)直驅(qū)技術(shù)市場保持著高速成長的趨勢,市場應(yīng)用空間不斷拓大。但國產(chǎn)直線電機還處于發(fā)展的初期階段,產(chǎn)品工藝和技術(shù)方面還未完全完善和成熟,那么與國外直線模組相比,國內(nèi)直線電機模組廠家面臨哪些挑戰(zhàn)?
2023-07-26 14:39:20594

幾種led襯底的主要特性對比 氮化鎵同質(zhì)外延的難處

GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為:襯底GaN材料外延→器件設(shè)計→器件制造。其中,襯底是整個產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底GaN自然是最適合用來作為GaN外延膜生長的襯底材料。
2023-08-10 10:53:31795

氮化鎵襯底和外延片哪個技術(shù)高 襯底為什么要做外延層

氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性,適用于高功率、高頻率和高溫應(yīng)用。 使用氮化鎵襯底可以在上面
2023-08-22 15:17:312720

晶能光電硅襯底UVA LED 產(chǎn)品性能處于行業(yè)先進水平

2023年9月,第三屆紫外LED國際會議暨長治LED發(fā)展推進大會在長治隆重召開,國內(nèi)外專家云集,深入交流紫外LED最新技術(shù)進展與發(fā)展趨勢。晶能光電外延工藝高級經(jīng)理周名兵受邀作《硅襯底GaN基近紫外
2023-09-19 11:11:285949

晶能光電:硅襯底GaN材料應(yīng)用大有可為

襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業(yè)照明領(lǐng)域已經(jīng)實現(xiàn)規(guī)模商用?;诠?b class="flag-6" style="color: red">襯底GaN材料的Micro LED微顯技術(shù)和低功率PA正在進行工程化開發(fā)。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架構(gòu)尚處于早期研究階段。
2023-10-13 16:02:31361

助熔劑法生長GaN單晶襯底的研究進展

GaN性能優(yōu)異,在光電子、微電子器件應(yīng)用廣泛,發(fā)展?jié)摿薮螅贿M一步發(fā)展,需提升材料質(zhì)量,制備高質(zhì)量氮化鎵同質(zhì)襯底
2023-12-09 10:24:57774

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