JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)，微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)全球領(lǐng)導(dǎo)制定機(jī)構(gòu)，今天宣布正式發(fā)布JEDEC DDR3L規(guī)范。這是廣受期待的DDR3存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)JESD79-3 的附件。這是DDR3作為當(dāng)今DRAM主導(dǎo)性標(biāo)準(zhǔn)演變的繼續(xù)
2010-08-05 09:10:50
3509 和?x16 配置中均可提供高達(dá)?2133Mbps 的數(shù)據(jù)傳輸速率，并可與1.5V DDR3實(shí)現(xiàn)100%兼容。目前，華邦的?DRAM 產(chǎn)品布局包括1Gb-4Gb DDR3、128Mb-2Gb DDR
2022-04-20 16:04:032554 
同樣的GEL在自制板上做DDR3初始化也OK（驗(yàn)證過(guò)，DDR3讀寫(xiě)都正常，數(shù)據(jù)沒(méi)有自跳變），可是問(wèn)題來(lái)我，為什么我用同樣的KEYSTONE DDR3 INIT在自制板上做DDR3初始化老是不成功，老是
2019-01-08 10:19:00
供了計(jì)算寄存器字段值并顯示結(jié)果的公式。每一個(gè)方程都包含一個(gè)-1，因?yàn)榧拇嫫饔蚴歉鶕?jù)DDR3時(shí)鐘周期-1。編程時(shí)間值的目的是用DRAM時(shí)鐘來(lái)計(jì)算它們，循環(huán)和四舍五入到下一個(gè)最高的整數(shù)值。圖 17
2018-01-18 22:04:33
大家好，為了能夠leveling成功，DDR3的布線約束需要規(guī)定到每一片DRAM的CLK長(zhǎng)度與DQS長(zhǎng)度差值不能超過(guò)一定范圍。但是根據(jù)6678或者6670開(kāi)發(fā)板，其中關(guān)于DQS和CLK長(zhǎng)度差的布線
2019-01-02 15:21:58
ug_586了。但是我還不清楚如何開(kāi)始編寫(xiě)DDR3內(nèi)存。我的問(wèn)題是：1）是否可以使用示例代碼而不使用微處理器處理器用于DDR3內(nèi)存？或任何啟動(dòng)代碼來(lái)控制DDR3內(nèi)存的建議。實(shí)際上，我是以任何方式做到的。所以任何
2019-05-05 15:29:38
為了區(qū)別和桌面記憶體而加的G字.（其實(shí)嚴(yán)格的來(lái)說(shuō)GDDR3并不是DDR3系列產(chǎn)品這是后話）.如果這種說(shuō)法和用法用在一年前那么我們可以理解因?yàn)椴粫?huì)產(chǎn)生歧義，雖然這種用法是有待商榷的。但是如果在今天還是用
，由于其它信號(hào)都是以差分時(shí)鐘的
來(lái)采樣數(shù)據(jù)，因此還需關(guān)注其單調(diào)性、過(guò)沖值等?！ ”纠胁罘謺r(shí)鐘的fly—by拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與地址總線一樣為串聯(lián)方式，如圖l對(duì)處理器P5020驅(qū)動(dòng)4個(gè)
DDR3內(nèi)存芯片的時(shí)鐘拓?fù)?/div>
2014-12-15 14:17:46
通過(guò)DDR3內(nèi)存名MT41J128M16-16Meg*16*8Banks通過(guò)命名怎樣算出內(nèi)存的大小？
2017-06-15 21:19:11
HI，我的FPGA是Kintex-7的XC7K410T-2FFG900。我的DDR3是2Gb，由128Mb * 16組成。 DDR3數(shù)據(jù)速率為1600Mbps，因此我必須在HP BANK中使用VRN
2020-07-21 14:47:06
各位朋友有沒(méi)有遇到過(guò)DDR3 Vref 信號(hào)上100nF濾波電容失效的情況？我們板子用到了2顆DDR3芯片，VREFCA和VREFDQ管腳各自通過(guò)兩個(gè)10K電阻分壓得到0.76V。主芯片上還有一個(gè)MEM_VREF管腳也是通過(guò)兩個(gè)1K電阻分壓得到0.76V。
2019-02-19 10:41:35
DDR3（double-data-rate three synchronous dynamic random accessmemory）是應(yīng)用在計(jì)算機(jī)及電子產(chǎn)品領(lǐng)域的一種高帶寬并行數(shù)據(jù)總線。DDR3 在 DDR2
2019-05-22 08:36:26
DDR3基礎(chǔ)詳解最近在IMX6平臺(tái)下做DDR3的測(cè)試接口開(kāi)發(fā)，以前在學(xué)習(xí)嵌入式時(shí)，用的是官方源碼，沒(méi)有做過(guò)多的研究。此時(shí)需要仔細(xì)研究DDR3的引腳與時(shí)序，此篇是我在學(xué)習(xí)DDR3做的歸納與總結(jié)，其中有
2021-07-28 09:02:52
共享交流一下，DDR3布線技巧
2016-01-08 08:17:53
這篇帖子跟大家一起來(lái)討論下DDR3布線的那些事：DDR3的設(shè)計(jì)有著嚴(yán)格等長(zhǎng)要求，歸結(jié)起來(lái)分為兩類(lèi)（以64位的DDR3為例）： 數(shù)據(jù) （DQ,DQS,DQM）：組內(nèi)等長(zhǎng)，誤差控制在20MIL以內(nèi)，組間
2016-10-28 10:25:21
CPU的DDR3總線只連了一片DDR3，也沒(méi)有復(fù)用總線將DDR3的CS直接拉到地的話，DDR3初始化不成功所以說(shuō)DDR3的CS信號(hào)是通過(guò)沿采樣的嗎，電平采樣不行？無(wú)法理解啊還是有其他方面原因
2016-11-25 09:41:36
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-21 15:24 編輯
各位好！關(guān)于DDR3，之前有小結(jié)過(guò)如果進(jìn)行DDR3的SW leveling和進(jìn)行EMIF4寄存器的配置。但是調(diào)試時(shí)，如果進(jìn)行DDR3的問(wèn)題定位，現(xiàn)小結(jié)一下，附上相關(guān)文檔。如有相關(guān)問(wèn)題，可在樓下跟帖討論。謝謝！
2018-06-21 04:01:01
專家，你好，想節(jié)省代碼設(shè)計(jì)的周期，請(qǐng)問(wèn)是否可以提供6670的DDR3的驅(qū)動(dòng)例子？謝謝
2018-06-21 13:34:52
DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM有什么不同之處?
2021-03-12 06:22:08
你好，ISE版本為13.3，modelsim版本為10.1c 64bit.MIG工具為ddr3生成mcb。modelsim的transcript窗口中的消息如下
2019-07-08 08:44:42
? ? ? BeagleBone的參考設(shè)計(jì)中，DDR3設(shè)計(jì)是DDR3 Device without VTT Termination。而其他的AM335X的參考設(shè)計(jì)都是有VTT Termination
2018-06-21 03:05:42
本次發(fā)布 Gowin DDR3參考設(shè)計(jì)。Gowin DDR3 參考設(shè)計(jì)可在高云官網(wǎng)下載，參考設(shè)計(jì)可用于仿真，實(shí)例化加插用戶設(shè)計(jì)后的總綜合，總布局布線。
2022-10-08 08:00:34
Achieving High Performance DDR3 Data Rates in Virtex-7 and Kintex-7 FPGAs。Xilinx官方DDR3資料。
2016-05-27 16:39:58
DDR3的IP核配置完畢后，產(chǎn)生了好多文件，請(qǐng)問(wèn)如何調(diào)用這些文件實(shí)現(xiàn)DDR3的讀寫(xiě)呢？看了一些文章，說(shuō)是要等到local_init_done為高電平后，才能進(jìn)行讀寫(xiě)操作。請(qǐng)問(wèn)DDR3的控制命令如
2016-01-14 18:15:19
看完保證你會(huì)做DDR3的仿真
2015-09-18 14:33:11
效能，不會(huì)在零售市場(chǎng)成為技術(shù)主流）當(dāng)市場(chǎng)需求超過(guò)4GB的時(shí)候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時(shí)也就是DDR3內(nèi)存的普及時(shí)期。2、從外觀上說(shuō)：DDR2代的是240PIN的 （中間部分有凹槽
2014-12-30 14:35:58
效能，不會(huì)在零售市場(chǎng)成為技術(shù)主流）當(dāng)市場(chǎng)需求超過(guò)4GB的時(shí)候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時(shí)也就是DDR3內(nèi)存的普及時(shí)期。2、從外觀上說(shuō)：DDR2代的是240PIN的 （中間部分有凹槽
2014-12-30 14:36:44
1.5V。所以我必須使用bank 15而不是bank 14來(lái)實(shí)現(xiàn)DDR3內(nèi)存接口。這意味著現(xiàn)在我要使用12,13和12號(hào)銀行。 15用于DDR3內(nèi)存接口?？梢允褂眠@3個(gè)銀行進(jìn)行DDR3內(nèi)存接口嗎？使用不相鄰的銀行是一個(gè)問(wèn)題嗎？請(qǐng)幫幫我。問(wèn)候，Iroshana。
2020-04-17 07:54:29
都是其“支持者”。時(shí)至今日，DDR2和DDR3陸續(xù)開(kāi)始退出市場(chǎng)。三星已在2021年末Q4確定停產(chǎn)DDR2；同時(shí)三星及海力士計(jì)劃逐步退出DDR3市場(chǎng)。根據(jù)DDR3市占率頂峰期2014年的數(shù)據(jù)（市占率達(dá)84
2022-10-26 16:37:40
1. 嵌入式的內(nèi)存內(nèi)存的發(fā)展從DRAM到廣泛使用的SDRAM，到之后一代的DDR（或稱DDR1），然后是DDR2和DDR3進(jìn)入大眾市場(chǎng)，2015年開(kāi)始DDR4進(jìn)入消費(fèi)市場(chǎng)。單片機(jī)領(lǐng)域中，使用較多
2021-12-17 07:44:44
主流）當(dāng)市場(chǎng)需求超過(guò)4GB的時(shí)候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時(shí)也就是DDR3內(nèi)存的普及時(shí)期。DDR3 UB DIMM 2007進(jìn)入市場(chǎng)，成為主流時(shí)間點(diǎn)多數(shù)廠商預(yù)計(jì)會(huì)是到2010年。一
2011-12-13 11:29:47
我是一名labview FPGA程序員，使用的是NI 7975 fpga模塊，它具有kintex 7 fpga。該模塊具有外部DDR3 DRAM 0f 2GB以及kintex 7 fpga資源。數(shù)據(jù)應(yīng)該從芯片到芯片之間會(huì)有多少延遲？這是DDR3 DRAM雙端口（同時(shí)讀寫(xiě)操作可能??）???
2020-05-20 14:42:11
自己畫(huà)的6657的板，發(fā)現(xiàn)DDR3初始化有問(wèn)題，初始化參數(shù)是按照芯片手冊(cè)來(lái)設(shè)置的，寫(xiě)數(shù)據(jù)進(jìn)去會(huì)出錯(cuò)。初步懷疑是DDR3布線問(wèn)題,請(qǐng)問(wèn)TI的大神們，6657對(duì)DDR3的布線有什么具體的要求嗎？或者是
2018-06-21 05:42:03
了設(shè)計(jì)的一大挑戰(zhàn)。FPGA可通過(guò)在單個(gè)FPGA中實(shí)現(xiàn)多個(gè)視頻處理器來(lái)提供強(qiáng)大的處理能力。那么現(xiàn)在的挑戰(zhàn)就變成了要使數(shù)據(jù)盡快且高效地從FPGA進(jìn)出。DDR3存儲(chǔ)器系統(tǒng)在大多數(shù)情況下可以為這些基于FPGA的系統(tǒng)
2019-05-27 05:00:02
數(shù)字信號(hào)處理[3]已經(jīng)成為FPGA的一個(gè)重要課題，高速的采樣頻率帶來(lái)的是大容量的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，DDR3以較低的功耗，較快的存儲(chǔ)速度，較高的存儲(chǔ)容量和較低的價(jià)格迅速占領(lǐng)市場(chǎng)；同時(shí)在繪制PCB板圖
2018-08-30 09:59:01
。 本手冊(cè)以一個(gè)經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的可穩(wěn)定工作的設(shè)計(jì)為例，來(lái)系統(tǒng)介紹高云FPGA連接DDR3的硬件設(shè)計(jì)方法，F(xiàn)PGA芯片型號(hào)采用GW2A-LV18PG256，存儲(chǔ)芯片采用鎂光（Micron）公司生產(chǎn)的單晶粒封裝
2022-09-29 06:15:25
大量收購(gòu)現(xiàn)代DDR3長(zhǎng)期回收現(xiàn)代ddr3，高價(jià)收購(gòu)現(xiàn)代DDR3.大量求購(gòu)現(xiàn)代DDR3.深圳帝歐專業(yè)電子回收，帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com
2021-10-13 19:12:25
大量收購(gòu)現(xiàn)代DDR3長(zhǎng)期回收現(xiàn)代ddr3，高價(jià)收購(gòu)現(xiàn)代DDR3.大量求購(gòu)現(xiàn)代DDR3.深圳帝歐專業(yè)電子回收，帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com
2021-10-13 19:18:05
現(xiàn)在因?yàn)轫?xiàng)目需要，要用DDR3來(lái)實(shí)現(xiàn)一個(gè)4入4出的vedio frame buffer。因?yàn)槠邮褂玫氖莑attice的，參考設(shè)計(jì)什么的非常少。需要自己調(diào)用DDR3控制器來(lái)實(shí)現(xiàn)這個(gè)vedio
2015-08-27 14:47:57
大家好，我在DDR3規(guī)格中發(fā)現(xiàn)JEDEC79-3E定義VOH（DC）是DC輸出高測(cè)量級(jí)別（用于IV曲線線性）。但是沒(méi)有關(guān)于如何測(cè)量高輸出直流輸出的指南，特別是當(dāng)信號(hào)在高電壓時(shí)有環(huán)時(shí)，請(qǐng)參見(jiàn)附圖。誰(shuí)能
2019-04-17 13:59:13
自建Spartan6 DDR3仿真平臺(tái)
2019-08-01 06:08:47
怎樣對(duì)DDR3芯片進(jìn)行讀寫(xiě)控制呢？如何對(duì)DDR3芯片進(jìn)行調(diào)試？
2021-08-12 06:26:33
目前有一個(gè)項(xiàng)目需要使用DDR3作為顯示緩存，VGA作為顯示器，F(xiàn)PGA作為主控器，來(lái)刷圖片到VGA上。VGA部分已經(jīng)完成，唯獨(dú)這個(gè)DDR3以前沒(méi)有使用過(guò)，時(shí)序又比較復(fù)雜，所以短時(shí)間內(nèi)難以完成，希望做過(guò)DDR3控制器的大神指點(diǎn)一二。急求?。。?！
2015-11-16 09:18:59
本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。
2021-04-20 06:30:52
DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別文所有權(quán)歸作者Aircity所有1什么是DDRDDR是Double Data Rate的縮寫(xiě)，即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術(shù)，中國(guó)大陸工程師
2021-09-14 09:04:30
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-20 11:34 編輯
各位專家好！剛剛學(xué)習(xí)DSP,還沒(méi)有入門(mén)。實(shí)驗(yàn)室購(gòu)買(mǎi)了TMS320C6678開(kāi)發(fā)板。請(qǐng)問(wèn)：1、為什么DSP需要外接DDR3?2
2018-06-20 00:40:57
出于某種原因，我們需要評(píng)估ML605板上DDR3內(nèi)存的功耗。它不一定非常準(zhǔn)確。我們不想使用萬(wàn)用表來(lái)測(cè)量電壓或電流。是否有任何工具或Excel工作表來(lái)報(bào)告DDR3的近似功耗？像XPower
2019-04-03 08:15:08
DRAM廠想靠DDR3翻身 得先過(guò)技術(shù)門(mén)檻
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DIGITIMES Research指出，2007年以來(lái)，全球DRAM廠商在過(guò)度樂(lè)觀的預(yù)期下，相繼投入產(chǎn)能擴(kuò)充競(jìng)賽，這也使得DRAM供過(guò)于求
2009-11-17 10:10:49590 iSuppli：明年第2季DDR3躍登DRAM市場(chǎng)主流
11月24日消息，根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli的最新預(yù)測(cè)，DDR3(Double Data Rate 3)標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存將在2010年第2季成為產(chǎn)業(yè)主流，全球DRAM市場(chǎng)出貨
2009-11-25 09:21:44511 DDR3將是2010年最有前景市場(chǎng)
2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場(chǎng)之王的日子同樣所剩無(wú)幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問(wèn)世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世
2009-12-15 10:28:14769 
臺(tái)灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3
2010年P(guān)C主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實(shí)。據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑，多家臺(tái)系DRAM芯片
2010-01-18 09:25:13602 DDR2乏人問(wèn)津 DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能
DDR2和DDR3 1月上旬合約價(jià)走勢(shì)迥異，DDR2合約價(jià)大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來(lái)臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，
2010-01-18 16:04:441094 三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費(fèi)者使用，準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。
2010-02-03 10:06:26701 DDR2芯片價(jià)格有望在下半年超過(guò)DDR3
報(bào)道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著DRAM制造商把重點(diǎn)放在DDR3芯片生產(chǎn)上，DDR2芯片的出貨量將開(kāi)始減少，其價(jià)格有望在今年下半
2010-02-05 09:56:18955 Quamtum-SI DDR3仿真解析
Automated DDR3 Analysis
2010-04-29 09:00:114257 
據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM模組市場(chǎng)追蹤報(bào)告，由于速度更快和功耗較低，DDR3技術(shù)在2012年初幾乎完全統(tǒng)治了DRAM模組市場(chǎng)。第一季度DDR3模組出貨量達(dá)到1.507億個(gè)，占全球總體DRAM模組市場(chǎng)的87
2012-05-03 09:19:12871 
總結(jié)了DDR和DDR2，DDR3三者的區(qū)別，對(duì)于初學(xué)者有很大的幫助
2015-11-10 17:05:37
36 DDR3是目前DDR的主流產(chǎn)品，DDR3的讀寫(xiě)分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫(xiě)分離的方法。最開(kāi)始的DDR, 芯片采用的是TSOP封裝，管腳露在芯片兩側(cè)的，測(cè)試起來(lái)相當(dāng)方便；但是，DDRII和III就不一樣了，
2017-11-06 13:44:108454 
雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們?cè)賮?lái)看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變：
2017-11-08 15:42:2330895 DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器)對(duì)設(shè)計(jì)人員特別具有吸引力，因?yàn)樗峁┝藦V泛的性能，用于各種計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。
2018-06-07 22:10:0091644 只要遵循適當(dāng)?shù)牟襟E，對(duì)KeyStone DSPs的DDR3 DRAM控制器的初始化是直接的。然而，如果省略了某些步驟，或者如果以錯(cuò)誤的順序執(zhí)行一些序列敏感的步驟，DDR3操作將是不可預(yù)測(cè)的。
2018-04-28 11:09:349 繼儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器價(jià)格走跌之后，原本報(bào)價(jià)尖挺的DRAM也開(kāi)始松動(dòng)，其中，連續(xù)八季漲價(jià)的DDR3率先走跌，臺(tái)灣包括晶豪科、南亞科等業(yè)者都以DDR3為主要產(chǎn)品，將首當(dāng)其沖。
2018-08-08 10:31:143377 我們通過(guò)Configuration,Package,Speed...等DDR3的命名可知道DDR3的容量，封裝，速度等級(jí)等信息。
2019-03-03 11:04:151909 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是DDR和DDR2與DDR3的設(shè)計(jì)資料總結(jié)包括了：一、DDR的布線分析與設(shè)計(jì)，二、DDR電路的信號(hào)完整性，三、DDR Layout Guide，四、DDR設(shè)計(jì)建議，六、DDR design checklist，七、DDR信號(hào)完整性
2020-05-29 08:00:000 從成本的角度來(lái)看，DDR3也許的確要比DDR4低一些，所以從這個(gè)角度可以講通。
2020-09-08 16:28:234062 2021年還在研發(fā)DDR3內(nèi)存？別急，雖然明年DDR3內(nèi)存已經(jīng)不是什么新東西了，DDR5都要上市了，但DDR3還不會(huì)被淘汰，而且兆易創(chuàng)新主要是用于利基市場(chǎng)，也就是消費(fèi)電子產(chǎn)品，對(duì)內(nèi)存的性能、容量等要求不高。
2020-11-03 10:10:212341 DDR3內(nèi)存。 兆易創(chuàng)新在電話會(huì)議中透露，自研DRAM現(xiàn)在還在按照原計(jì)劃進(jìn)行，目前研發(fā)進(jìn)度跟預(yù)期基本一樣，預(yù)期明年上半年會(huì)有產(chǎn)品出來(lái)。 兆易創(chuàng)新表示，自研第一個(gè)產(chǎn)品會(huì)是DDR3， 4Gb，面向利基市場(chǎng)。 2021年還在研發(fā)DDR3內(nèi)存？別急，雖然明年DDR3內(nèi)存已經(jīng)不是什么新東
2020-11-03 11:13:592021 據(jù)外媒消息，日益嚴(yán)重的DDR3短缺，導(dǎo)致價(jià)格飛漲，三星電子也因此放緩了減少低密度DRAM產(chǎn)能的計(jì)劃。
2021-03-19 10:45:261622 DDR4相比DDR3的相關(guān)變更點(diǎn)相比DDR3，DDR4存在諸多變更點(diǎn)，其中與硬件設(shè)計(jì)直接相關(guān)的變更點(diǎn)主要有：? 增加Vpp電源；? VREFDQ刪除；? CMD、ADD、CTRL命令的端接變更為
2021-11-06 20:36:0028 DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別作者：AirCity 2019.12.17Aircity007@sina.com 本文所有權(quán)歸作者Aircity所有1 什么是DDRDDR
2021-11-10 09:51:03154 日前，世界著名硬件網(wǎng)站TomsHardware上有消息表示，多家大廠都在考慮停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)。DDR3內(nèi)存早在2007年就被引入，至今已長(zhǎng)達(dá)15年，因?yàn)槠洳辉俜河糜谥髁髌脚_(tái)，即便退出市場(chǎng)也不會(huì)
2022-04-06 12:22:564679 ??這篇文章我們講一下Virtex7上DDR3的測(cè)試?yán)蹋琕ivado也提供了一個(gè)DDR的example，但卻是純Verilog代碼，比較復(fù)雜，這里我們把DDR3的MIG的IP Core掛在Microblaze下，用很簡(jiǎn)單的程序就可以進(jìn)行DDR3的測(cè)試。
2022-08-16 10:28:581241 一、DDR3簡(jiǎn)介 ? ? ? ? DDR3全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。所謂同步，是指DDR3數(shù)據(jù)
2022-12-21 18:30:051915 DDR3 SDRAM使用雙倍數(shù)據(jù)速率架構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)高速操作。雙倍數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)是一種8n預(yù)取架構(gòu)，其接口經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)，可在I/O引腳上每個(gè)時(shí)鐘周期傳輸兩個(gè)數(shù)據(jù)字。
DDR3 SDRAM的單個(gè)讀或?qū)懖僮饔行У匕?/div>
2023-02-06 10:12:003 本文介紹一個(gè)FPGA開(kāi)源項(xiàng)目：DDR3讀寫(xiě)。該工程基于MIG控制器IP核對(duì)FPGA DDR3實(shí)現(xiàn)讀寫(xiě)操作。
2023-09-01 16:23:19743 
DDR3是2007年推出的，預(yù)計(jì)2022年DDR3的市場(chǎng)份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的，DDR3的讀寫(xiě)分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫(xiě)分離的方法。
2023-10-18 16:03:56517 
DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來(lái)越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開(kāi)始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003901 法人方面解釋說(shuō)：“標(biāo)準(zhǔn)型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國(guó)企業(yè)主導(dǎo)，因此，中臺(tái)灣企業(yè)在半導(dǎo)體制造方面無(wú)法與之抗衡?！痹?b class="flag-6" style="color: red">ddr3 ddr3的情況下，臺(tái)灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強(qiáng)勢(shì)。ddr3的價(jià)格也隨之上漲，給臺(tái)灣半導(dǎo)體企業(yè)帶來(lái)了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405 已全部加載完成
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