2021 年，JEDEC 宣布發(fā)布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)志著行業(yè)向 DDR5 dual-inline memory modules （DIMM） 的過渡。
2024-03-17 09:50:37
429 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:58:12
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準(zhǔn)的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:53:030 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:24:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 10:16:450 使用STM32CubeMx 配置4Gb DDR3L，目前是這樣配置的
2024-03-11 08:35:45
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPS65295完整 DDR4 存儲器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-06 10:17:540 DDR5已經(jīng)開始商用，但是有的產(chǎn)品還才開始使用DDR4。本文分享一些DDR4的測試內(nèi)容。DDR4 和前代的 DDR3 相比， 它的速度大幅提升，最高可以達(dá)到 3200Mb/s,這樣高速的信號，對信號完整性的要求就更加嚴(yán)格，JESD79‐4 規(guī)范也對 DDR4 信號的測量提出了一些要求。
2024-01-08 09:18:24463 
時鐘頻率：可通過倍頻技術(shù)升級的核心頻率。時鐘頻率可以理解為IO Buffer的實際工作頻率，DDR2中時鐘頻率為核心頻率的2倍，DDR3 DDR4中時鐘頻率為核心頻率的4倍。
2023-12-25 18:18:471188 
JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
2023-12-25 09:51:552 JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
2023-12-23 09:24:37
DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器)是一種高帶寬的存儲器，今天主要講述一下DDR4在Layout過程中的一些細(xì)節(jié)。在DDR的設(shè)計過程中，DDR的Layout是十分重要的環(huán)節(jié)。
2023-11-29 15:39:101470 
對于ddr5市場的發(fā)展，威剛表示，現(xiàn)階段觀察到需求端春燕來臨，主要來自pc，隨著顧客需求的明顯好轉(zhuǎn)和pc內(nèi)存內(nèi)容的提高，明年上半年ddr5將超過ddr4，形成黃金交叉。目前在現(xiàn)貨市場上，ddr5的單價比ddr4高4-50%，從威強的情況來看，ddr5比重的上升有助于總利潤率。
2023-11-24 10:38:38217 法人方面解釋說：“標(biāo)準(zhǔn)型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國企業(yè)主導(dǎo)，因此，中臺灣企業(yè)在半導(dǎo)體制造方面無法與之抗衡。”在ddr3 ddr3的情況下，臺灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強勢。ddr3的價格也隨之上漲，給臺灣半導(dǎo)體企業(yè)帶來了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405 存儲器一般來說可以分為內(nèi)部存儲器(內(nèi)存)，外部存儲器(外存)，緩沖存儲器(緩存)以及閃存這幾個大類。內(nèi)存也稱為主存儲器，位于系統(tǒng)主機板上，可以同CPU直接進行信息交換。
2023-11-04 17:53:251406 
DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計算機的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003885 。美光 1β DDR5 DRAM 可擴大運算能力，并以更高性能輔佐資料中心及客戶端平臺，支持 AI 訓(xùn)練及推論、生成式 AI、資料分析、存儲器資料庫等。全新 1β DDR5 DRAM 產(chǎn)品在現(xiàn)有模組化密度中，速率可達(dá) 4800MT/s 至 7200MT/s，適用于資料中心及客戶端應(yīng)用。
2023-10-19 16:03:00387 DDR3是2007年推出的，預(yù)計2022年DDR3的市場份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56516 
處理器提供多種存儲器接口，其中包括16位lpddr2，ddr3，ddr3l，nand flash，nor flash，emmc，具有qspi spi接口可與廣泛的外設(shè)進行連接，如wifi、藍(lán)牙、gps、顯示屏及攝像頭等。
2023-10-09 08:11:27
處理器提供多種存儲器接口，其中包括16位lpddr2，ddr3，ddr3l，nand flash，nor flash，emmc，具有qspi spi接口可與廣泛的外設(shè)進行連接，如wifi、藍(lán)牙、gps、顯示屏及攝像頭等。
2023-10-09 07:41:53
了外接電源的復(fù)雜性，并簡化了上電時序。這個系列的每個處理器提供多種存儲器接口，其中包括16位lpddr2，ddr3，ddr3l，nand flash，nor flash，emmc，具有qspi spi
2023-10-09 06:31:16
的pmu,降低了外接電源的復(fù)雜性，并簡化了上電時序。這個系列的每個處理器提供多種存儲器接口，其中包括16位lpddr2，ddr3，ddr3l，nand flash，nor flash，emmc，具有
2023-10-09 06:23:56
DDR存儲器發(fā)展的主要方向一言以蔽之，是更高速率，更低電壓，更密的存儲密度，從而實現(xiàn)更好的性能。
2023-10-01 14:03:00488 
摘要：本文將對DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進行詳細(xì)的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101088 我們在買DDR內(nèi)存條的時候，經(jīng)常會看到這樣的標(biāo)簽DDR3-1066、DDR3-2400等，這些名稱都有什么含義嗎？請看下表。
2023-09-26 11:35:331922 
時，就需要外擴DDR SRAM二級存儲來滿足需求。
本期的主角盤古PGL50H FPGA就貼心的在核心板上，為我們配備了兩片DDR3的芯片，來完成二級存儲的需求。
兩片DDR3組成32bit的總線數(shù)據(jù)
2023-09-21 23:37:30
相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡，這樣的設(shè)計可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441478 
以MT41J128M型號為舉例：128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個8bit的DDR3，每個bank的大小為16Mbit，一共有8個bank。
2023-09-15 15:30:09629 
DDR3帶寬計算之前，先弄清楚以下內(nèi)存指標(biāo)。
2023-09-15 14:49:462497 
一看到DDR,聯(lián)想到的就是高速，一涉及到高速板有些人就比較茫然。高速板主要考慮兩個問題點,當(dāng)然其它3W，2H是基本點。
2023-09-15 11:42:37757 
內(nèi)置校準(zhǔn): DDR3和DDR4控制器通常具有內(nèi)置的校準(zhǔn)機制，如ODT (On-Die Termination)、ZQ校準(zhǔn)和DLL (Delay Locked Loop)。這些機制可以自動調(diào)整驅(qū)動和接收電路的特性，以優(yōu)化信號完整性和時序。
2023-09-11 09:14:34420 本文介紹一個FPGA開源項目：DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對FPGA DDR3實現(xiàn)讀寫操作。
2023-09-01 16:23:19741 
本文開源一個FPGA項目：基于AXI總線的DDR3讀寫。之前的一篇文章介紹了DDR3簡單用戶接口的讀寫方式：《DDR3讀寫測試》，如果在某些項目中，我們需要把DDR掛載到AXI總線上，那就要通過MIG IP核提供的AXI接口來讀寫DDR。
2023-09-01 16:20:371887 
上期和大家聊的電源PCB設(shè)計的重要性，那本篇內(nèi)容小編則給大家講講存儲器的PCB設(shè)計建議，同樣還是以大家最為熟悉的RK3588為例，詳細(xì)介紹一下DDR模塊電路的PCB設(shè)計要如何布局布線。由于
2023-08-18 08:09:43384 
MCU200T的DDR3在官方給的如下圖兩份文件中都沒有詳細(xì)的介紹。
在introduction文件中只有簡略的如下圖的一句話的介紹
在schematic文件中也沒有明確表明每個接口的具體信息
2023-08-17 07:37:34
在配置DDR200T的DDR3時，一些關(guān)鍵參數(shù)的選擇在手冊中并沒有給出，以及.ucf引腳約束文件也沒有提供，請問這些信息應(yīng)該從哪里得到？
2023-08-16 07:02:57
復(fù)制Vivado工程路徑vivado_prj\at7.srcs\sources_1\ip\mig_7series_0下的mig_7series_0文件夾。粘貼到仿真路徑testbench\tb_ddr3_cache（新建用于DDR3仿真的文件夾）下。
2023-08-12 11:08:27735
使用的是DDR200T，它板載了512M DDR3L的內(nèi)存，跑的的一個UX600的demosoc.
修改gcc_demooc_ddr.ld，讓LENGTH長度之和超過256M，比方這里是257M
2023-08-11 08:12:14
PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
xilinx平臺DDR3設(shè)計教程之設(shè)計篇_中文版教程3
2023-08-05 18:39:58
CoreLink DDR2動態(tài)存儲器控制器(DMC-341)技術(shù)參考手冊
2023-08-02 15:28:28
內(nèi)存設(shè)備：
?雙倍數(shù)據(jù)速率3（DDR3）SDRAM。
?低壓DDR3 SDRAM。
?雙倍數(shù)據(jù)速率4（DDR4）SDRAM
2023-08-02 08:30:00
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費下載
2023-07-24 09:50:470 DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器”。DDR是一種技術(shù)，中國大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國臺灣以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:103362 
DDR3的速度較高，如果控制芯片封裝較大，則不同pin腳對應(yīng)的時延差異較大，必須進行pin delay時序補償。
2023-07-04 09:25:38312 
DDR是DDR SDRAM的簡稱，只是人們習(xí)慣了稱之為DDR，全稱為Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，中文名為：雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器，同步是指需要時鐘。
2023-06-25 15:06:404898 
注意，這里的DDR指的是Double Data Rate，雙倍數(shù)據(jù)速率。這篇文章并不是講DDR存儲器系列的東西。
2023-06-16 10:22:06781 
視頻圖形顯示系統(tǒng)理想的架構(gòu)選擇。視頻處理和圖形生成需要存儲海量數(shù)據(jù)，F(xiàn)PGA內(nèi)部的存儲資源無法滿足存儲需求，因此需要配置外部存儲器。 ??? 與DDR2 SDRAM相比，DDR3 SDRAM帶寬更好高、傳輸速率更快且更省電，能夠滿足吞吐量大、功耗低的需求，因此
2023-06-08 03:35:011024 一、實驗要求
生成 DDR3 IP 官方例程，實現(xiàn) DDR3 的讀寫控制，了解其工作原理和用戶接口。
二、DDR3 控制器簡介
PGL50H 為用戶提供一套完整的 DDR memory 控制器
2023-05-31 17:45:39
我正在使用帶有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 連接到 T1040 處理器 DDR 控制器。
我嘗試了這個序列，但未能成功生成 DDR 地址奇偶校驗錯誤：
步驟1：
ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03
DDR 驗證是任何 SoC 中最關(guān)鍵和最復(fù)雜的任務(wù)之一，因為它涉及位于 DUT 內(nèi)部的控制器和位于板載 DUT 外部的外部 DDR 存儲器。在這里，我們將討論 DDR VIP 模型的快速初始化。
2023-05-29 09:10:46772 
1 – DDR3 SDRAM JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) JESD79-3F 狀態(tài)圖和圖 2 – DDR4 SDRAM JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) JESD79-4 狀態(tài)圖所示。
2023-05-26 18:02:27995 
數(shù)據(jù)速率 800Mbps
一、實驗要求
生成 DDR3 IP 官方例程，實現(xiàn) DDR3 的讀寫控制，了解其工作原理和用戶接口。
二、DDR3 控制器簡介
GL50H 為用戶提供一套完整的 DDR
2023-05-19 14:28:45
MAX17000A脈寬調(diào)制(PWM)控制器為筆記本電腦的DDR、DDR2、DDR3存儲器提供完整的電源方案。該器件集成了一路降壓控制器、一路可源出/吸入電流的LDO穩(wěn)壓器以及一路基準(zhǔn)緩沖器，能夠產(chǎn)生
2023-05-17 09:48:45
你好 ：
專家，我們想使用S32R45和DDR3，你能幫我在哪里找到示例項目或用例嗎？
2023-05-17 08:13:46
我們使用 mx6ul 14x14_evk 板和 DDR3L。
通過在 u-boot 中設(shè)置 mx6ul_14x14_evk_defconfig，DDR3L 時鐘運行在 400MHZ。
我們想將
2023-05-08 08:44:36
在 i.MX6 SOLO 中有沒有辦法讀取芯片 DDR3 的大小？
2023-05-06 07:04:11
DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場，直接學(xué)習(xí)DDR3 SDRAM感覺有點跳躍；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對比。
2023-04-04 17:08:472867 
SITE LICENSE DDR3 SDRAM ECP3
2023-03-30 12:01:46
IP CORE DDR3 SDRAM CTLR ECP3
2023-03-30 12:01:16
我正在開發(fā)帶有 i.MX8 QXP MCU 的新板，將使用帶 ECC 的 DDR3L。在文檔 i.MX8 QM / i.MX8 QXP 硬件開發(fā)人員指南中，有一些針對 fly-by 拓?fù)渲械?16
2023-03-23 09:08:52
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論