電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>確保SiC驗(yàn)證測(cè)試準(zhǔn)確度,有效測(cè)量碳化硅功率電子系統(tǒng)中的信號(hào)

確保SiC驗(yàn)證測(cè)試準(zhǔn)確度,有效測(cè)量碳化硅功率電子系統(tǒng)中的信號(hào)

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評(píng)論

查看更多

相關(guān)推薦

科銳將向英飛凌供應(yīng)碳化硅晶圓片

科銳首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示:“英飛凌具有很好的美譽(yù)度,是我們長(zhǎng)期且優(yōu)質(zhì)的商業(yè)伙伴。這項(xiàng)協(xié)議的簽署,體現(xiàn)了科銳SiC碳化硅晶圓片技術(shù)的高品質(zhì)和我們的產(chǎn)能擴(kuò)充,同時(shí)將加速SiC碳化硅基方案更為廣泛的采用,這對(duì)于實(shí)現(xiàn)更快、更小、更輕、更強(qiáng)大的電子系統(tǒng)至關(guān)重要?!?/div>
2018-04-04 09:00:597450

碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

,使器件可工作在更高的開(kāi)關(guān)頻率;同時(shí),碳化硅材料更高的熱導(dǎo)率也有助于提升系統(tǒng)的整體功率密度。碳化硅器件的高頻、高壓、耐高溫、開(kāi)關(guān)速度快、損耗低等特性,使電力電子系統(tǒng)的效率和功率密度朝著更高的方向
2022-11-12 10:01:261315

碳化硅 (SiC)的歷史與應(yīng)用

碳化硅SiC),通常被稱(chēng)為金剛砂,是唯一由硅和碳構(gòu)成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在,但其出現(xiàn)相對(duì)罕見(jiàn)。然而,自從1893年以來(lái),粉狀碳化硅就已大規(guī)模生產(chǎn),用作研磨劑。碳化硅在研磨領(lǐng)域有著超過(guò)一百年的歷史,主要用于磨輪和多種其他研磨應(yīng)用。
2023-09-08 15:24:02887

科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破!

  科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破,為更多大功率應(yīng)用帶來(lái)更高效率和更低成本,包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子系統(tǒng)成本并提升能效
2012-05-10 09:27:161086

1200V碳化硅MOSFET系列選型

。尤其在高壓工作環(huán)境下,依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性,其高溫工作特性,大大提高了高溫穩(wěn)定性,也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率?! ‘a(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車(chē)載電源、新能源汽車(chē)電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域?!   ?200V碳化硅MOSFET系列選型    
2020-09-24 16:23:17

600V碳化硅二極管SIC SBD選型

極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂(lè)技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料,SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn),SiC
2019-10-24 14:25:15

650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型

  碳化硅SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn),被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14

SIC碳化硅二極管

SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11

SiC MOSFET:經(jīng)濟(jì)高效且可靠的高功率解決方案

家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外,幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來(lái)基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅SiC)MOSFET即將取代硅功率開(kāi)關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17

SiC碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)的PCB布局方法解析

SiC碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)的PCB布局方法解析:在為任一高功率或高電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)印刷電路板 (PCB) 布局時(shí),柵極驅(qū)動(dòng)電路特別容易受到寄生阻抗和信號(hào)的影響。對(duì)于碳化硅 (SiC) 柵極驅(qū)動(dòng),更需認(rèn)真關(guān)注
2022-03-24 18:03:24

功率模塊的完整碳化硅性能怎么樣?

,換向電感只能在DBC設(shè)計(jì)的限制范圍內(nèi)得到改善。由此產(chǎn)生的換向電感約為 20nH,對(duì)于 6 組功率模塊,這允許在中低功率范圍內(nèi)使用全 SiC 模塊。在全碳化硅,MiniSKiiP 提供 25A 至
2023-02-20 16:29:54

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

器件的特點(diǎn)  碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達(dá)到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)為硅的5.3倍,高達(dá)3.2MV/cm.,其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k?! ∷c硅半導(dǎo)體材料
2019-01-11 13:42:03

碳化硅SiC MOSFET:低導(dǎo)通電阻和高可靠性的肖特基勢(shì)壘二極管

阻并提高可靠性。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí),與現(xiàn)有SiC MOSFET相比,這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1],可將導(dǎo)通電阻[2](RonA)降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能,降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18

碳化硅SiC技術(shù)導(dǎo)入應(yīng)用的最大痛點(diǎn)

和電容器)的尺寸、重量和成本也可隨之降低。在極端情況下,整個(gè)冷卻系統(tǒng)本身效率也可以降低,甚至可以節(jié)省更多的成本。特別是在電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器應(yīng)用,效率的提高是一個(gè)良性循環(huán),因?yàn)榛?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅的逆變器的元件
2023-02-27 14:28:47

碳化硅MOSFET是如何制造的?如何驅(qū)動(dòng)碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管?

充電器、電機(jī)和太陽(yáng)能逆變器,不僅可以從這些新器件受益匪淺,不僅在效率上,而且在尺寸上,可實(shí)現(xiàn)高功率、高溫操作。但是,不僅器件的特性讓人對(duì)新設(shè)計(jì)充滿好奇,也是意法半導(dǎo)體的戰(zhàn)略。碳化硅SiC)技術(shù)是意
2023-02-24 15:03:59

碳化硅MOSFET的SCT怎么樣?

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專(zhuān)門(mén)的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量,并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值,對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07

碳化硅與氮化鎵的發(fā)展

5G將于2020年將邁入商用,加上汽車(chē)走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì),將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì),2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14

碳化硅二極管選型表

應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢我司人員!附件是海飛樂(lè)技術(shù)碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購(gòu)!碳化硅SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

  由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27

碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

和發(fā)電機(jī)繞組以及磁線圈的高關(guān)斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成,具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造,外徑范圍為 6 至 30
2024-03-08 08:37:49

碳化硅器件是如何組成逆變器的?

進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13

碳化硅器件的特點(diǎn)是什么

今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

超過(guò)40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì),2019年國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45

碳化硅基板——汽車(chē)電子發(fā)展新動(dòng)力

大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板;在引擎室,由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求,現(xiàn)有的以樹(shù)脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求,需要散熱性能更好碳化硅電路板,例如斯利通碳化硅基板;在高頻傳輸與無(wú)線雷達(dá)偵測(cè)
2020-12-16 11:31:13

碳化硅如何改進(jìn)開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)?

  在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí),碳化硅SiC)等寬帶隙(WBG)技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過(guò)程的現(xiàn)實(shí)選擇?! ≡谠O(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí),碳化硅SiC)等寬帶隙(WBG)技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過(guò)程的現(xiàn)實(shí)選擇。650V
2023-02-23 17:11:32

碳化硅深層的特性

。強(qiáng)氧化氣體在1000℃以上與SiC反應(yīng),并分解SiC.水蒸氣能促使碳化硅氧化在有50%的水蒸氣的氣氛,能促進(jìn)綠色碳化硅氧化從100℃開(kāi)始,隨著溫度的提高,氧化程度愈為明顯,到1400℃時(shí)為最大
2019-07-04 04:20:22

碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱(chēng)金剛砂。SiC 在自然界以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過(guò),自1893 年以來(lái),粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

,能夠有效降低產(chǎn)品成本、體積及重量?! ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅具有載流子飽和速度高和熱導(dǎo)率大的特點(diǎn),應(yīng)用開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到1MHz,在高頻應(yīng)用優(yōu)勢(shì)明顯,其中碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)耐壓可以達(dá)到6000V以上
2023-02-28 16:34:16

碳化硅陶瓷線路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

利通碳化硅SiC)陶瓷線路板的功率器件導(dǎo)通損耗對(duì)溫度的依存很小,隨溫度的變化也很小,這與傳統(tǒng)的Si器件也有很大差別。4) 開(kāi)關(guān)速度快SiC的熱導(dǎo)系數(shù)幾乎是Si材料的2.5倍,飽和電子漂移率是Si
2021-03-25 14:09:37

CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32

TO-247封裝碳化硅MOSFET引入輔助源極管腳的必要性

產(chǎn)品尺寸,從而提升系統(tǒng)效率。而在實(shí)際應(yīng)用,我們發(fā)現(xiàn):帶輔助源極管腳的TO-247-4封裝更適合于碳化硅MOSFET這種新型的高頻器件,它可以進(jìn)一步降低器件的開(kāi)關(guān)損耗,也更有利于分立器件的驅(qū)動(dòng)
2023-02-27 16:14:19

【直播邀請(qǐng)】羅姆 SiC碳化硅功率器件的活用

)------------------------------------------------------------------------------------------------會(huì)議主題:羅姆 SiC碳化硅功率器件的活用直播時(shí)間:2018
2018-07-27 17:20:31

【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗(yàn)連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究

,利用SiC MOSFET來(lái)作為永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)功率器件,可以降低驅(qū)動(dòng)器損耗,提高開(kāi)關(guān)頻率,降低電流諧波和轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)。本項(xiàng)目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET,驗(yàn)證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04

【轉(zhuǎn)帖】華潤(rùn)微碳化硅/SiC SBD的優(yōu)勢(shì)及其在Boost PFC的應(yīng)用

前言 碳化硅SiC)材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向,用于制作功率器件,可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括:新能源汽車(chē)、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域,在
2023-10-07 10:12:26

什么是碳化硅SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅SiC)?它有哪些用途?碳化硅SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43

從硅過(guò)渡到碳化硅,MOSFET的結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比

近年來(lái),因?yàn)樾履茉雌?chē)、光伏及儲(chǔ)能、各種電源應(yīng)用等下游市場(chǎng)的驅(qū)動(dòng),碳化硅功率器件取得了長(zhǎng)足發(fā)展。更快的開(kāi)關(guān)速度,更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低,效率提升,體積減小,從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率
2022-03-29 10:58:06

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

系統(tǒng)能做得越小巧,則電動(dòng)車(chē)的電池續(xù)航力越高。這是電動(dòng)車(chē)廠商之所以對(duì)碳化硅解決方案趨之若鶩的主要原因。相較于碳化硅在大功率電力電子設(shè)備上攻城略地,氮化鎵組件則是在小型化電源應(yīng)用產(chǎn)品領(lǐng)域逐漸擴(kuò)散,與碳化硅
2021-09-23 15:02:11

你知道為飛機(jī)電源管理提供解決方案的碳化硅嗎?

,在這些環(huán)境,傳統(tǒng)的硅基電子設(shè)備無(wú)法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運(yùn)行的能力將提高各種系統(tǒng)和應(yīng)用的性能,包括飛機(jī)、車(chē)輛、通信設(shè)備和航天器。今天,SiC MOSFET是長(zhǎng)期可靠的功率器件。未來(lái),預(yù)計(jì)多芯片電源或混合模塊將在SiC領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24

創(chuàng)能動(dòng)力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

,獲得華大半導(dǎo)體有限公司投資,創(chuàng)能動(dòng)力致力于開(kāi)發(fā)以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊,并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源,可實(shí)現(xiàn)相比硅元器件更高的工作溫度,實(shí)現(xiàn)雙倍的功率密度,更小
2023-02-22 15:27:51

圖騰柱無(wú)橋PFC混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

75A的混合碳化硅分立器件,并同時(shí)推出了TO-247-3和TO-247-4封裝(如上圖),使得客戶在不需要更改電源電路和PCB的基礎(chǔ)上,直接進(jìn)行Pin To Pin替換驗(yàn)證測(cè)試及使用,在同樣的設(shè)計(jì)系統(tǒng)
2023-02-28 16:48:24

在開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì)

MOSFET之所以有如此的大吸引力,在于與它們具有比硅器件更出眾的可靠性,在持續(xù)使用內(nèi)部體二極管的連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)功率因數(shù)校正(PFC)設(shè)計(jì),例如圖騰功率因數(shù)校正器的硬開(kāi)關(guān)拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中,碳化硅
2023-03-14 14:05:02

如何用碳化硅(SiC)MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)高性能門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路

對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用,碳化硅SiC MOSFET帶來(lái)比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31

應(yīng)用于新能源汽車(chē)的碳化硅半橋MOSFET模塊

  采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列  產(chǎn)品型號(hào)  BMF600R12MCC4  BMF400R12MCC4  汽車(chē)級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35

歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

電子系統(tǒng)的效率和功率密度朝著更高的方向前進(jìn)。碳化硅器件的這些優(yōu)良特性,需要通過(guò)封裝與電路系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)功率信號(hào)的高效、高可靠連接,才能得到完美展現(xiàn),而現(xiàn)有的傳統(tǒng)封裝技術(shù)應(yīng)用于碳化硅器件時(shí)面臨著一些關(guān)鍵挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08

新型電子封裝熱管理材料鋁碳化硅

新型材料鋁碳化硅解決了封裝的散熱問(wèn)題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題,如果你有類(lèi)似的困惑,歡迎前來(lái)探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41

淺析SiC-MOSFET

SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入,但還處于開(kāi)發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05

淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的區(qū)別

風(fēng)險(xiǎn),配置合適的短路保護(hù)電路,可以有效減少開(kāi)關(guān)器件在使用過(guò)程因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比,碳化硅MOSFET短路耐受時(shí)間更短?! ?)硅IGBT:  硅IGBT的承受退保和短路的時(shí)間一般小于
2023-02-27 16:03:36

用于PFC的碳化硅MOSFET介紹

碳化硅SiC)等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員開(kāi)辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比,SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗,并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對(duì)其開(kāi)關(guān)特性的仔細(xì)分析表明,SiC
2023-02-22 16:34:53

電動(dòng)汽車(chē)的全新碳化硅功率模塊

面向電動(dòng)汽車(chē)的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能,特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量,它可提高逆變器的效率,從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16

被稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

°C。系統(tǒng)可靠性大大增強(qiáng),穩(wěn)定的超快速本體二極管,因此無(wú)需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導(dǎo)體廠商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國(guó)英飛凌、美國(guó)Cree公司、GE、ST意法半導(dǎo)體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50

請(qǐng)教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50

降低碳化硅牽引逆變器的功率損耗和散熱

IGBT 的三相電機(jī)半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級(jí),并能夠監(jiān)控和保護(hù)各種故障情況。圖1:電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺(tái)和高強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)特別是對(duì)于SiC MOSFET,柵極驅(qū)動(dòng)器IC
2022-11-02 12:02:05

碳化硅(SiC)基地知識(shí)

碳化硅(SiC)基地知識(shí) 碳化硅又稱(chēng)金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491240

電子系統(tǒng)熱管理設(shè)計(jì)與驗(yàn)證中的結(jié)溫估算與測(cè)量

針對(duì)電子系統(tǒng)容易出現(xiàn)的熱失效問(wèn)題,論述在電子系統(tǒng)的熱管理設(shè)計(jì)與驗(yàn)證中,對(duì)半導(dǎo)體器件結(jié)溫的估算和測(cè)量方法。通過(guò)測(cè)量半導(dǎo)體器件內(nèi)部二極管參數(shù),來(lái)繪制二極管正向壓降與其
2012-04-20 11:18:2232

碳化硅 SiC 可持續(xù)發(fā)展的未來(lái) #碳化硅 #SiC #MCU #電子愛(ài)好者

工業(yè)控制碳化硅
Asd666發(fā)布于 2023-08-10 22:08:03

碳化硅SiC):歷史與應(yīng)用

硅與碳的唯一合成物就是碳化硅SiC),俗稱(chēng)金剛砂。 SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。 不過(guò),自 1893 年以來(lái),粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。 碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史,主要用于磨輪和眾多其他研磨應(yīng)用
2017-05-06 11:32:4554

【大神課堂】碳化硅 (SiC):歷史與應(yīng)用

硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱(chēng)金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過(guò),自1893 年以來(lái),粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2018-04-11 11:37:004934

SiC-碳化硅-功率半導(dǎo)體的介紹講解

SiC-碳化硅-功率半導(dǎo)體的介紹講解說(shuō)明。
2021-04-26 10:11:32140

從硅到碳化硅(SiC) 有哪些好處和應(yīng)用?

碳化硅 (SiC) 具有提高電動(dòng)汽車(chē)整體系統(tǒng)效率的潛力。在太陽(yáng)能行業(yè),碳化硅逆變器優(yōu)化在成本節(jié)約方面也發(fā)揮著很大的作用。在這個(gè)與俄亥俄州立大學(xué)電氣與計(jì)算機(jī)工程系 IEEE 院士教授 Anant
2022-08-03 17:07:351383

碳化硅功率模塊的建模和驗(yàn)證

傳統(tǒng)的硅功率晶體管在理論上已經(jīng)被推到了極限。1,2基于寬帶隙器件的系統(tǒng)(即碳化硅)已經(jīng)超越了效率、密度和工作溫度方面的限制。3阻斷電壓與導(dǎo)通電阻之比是由自身較高的碳化硅帶隙能量產(chǎn)生的。4這就
2022-08-04 14:38:091497

碳化硅在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用挑戰(zhàn)

碳化硅是一種非常高效的材料,具有高功率和高溫特性。 碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體是提高系統(tǒng)效率、支持更高工作溫度和降低電力電子設(shè)計(jì)成本的創(chuàng)新選擇。碳化硅是硅和碳的化合物,是一種具有同素異形變體的半導(dǎo)體
2022-08-08 08:09:591331

碳化硅瞄準(zhǔn)新型電力電子產(chǎn)業(yè)

) 半導(dǎo)體材料顯示出卓越的性能,與傳統(tǒng)硅技術(shù)相比,允許功率器件在高壓下運(yùn)行,尤其是在高溫和開(kāi)關(guān)頻率下。電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)人員正在努力充分利用 GaN 和 SiC 器件。 碳化硅正被用于多種應(yīng)用,尤其是電動(dòng)汽車(chē),以應(yīng)對(duì)開(kāi)發(fā)高效和大功率設(shè)備時(shí)面臨的能源
2022-08-08 09:52:41256

碳化硅電驅(qū)動(dòng)總成設(shè)計(jì)與測(cè)試

驗(yàn)證碳化硅三合一電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng)的性能,對(duì)電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng)制作樣機(jī)并搭建臺(tái)架進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證,測(cè)試結(jié)果表明,該碳化硅三合一電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng)的整體性能優(yōu)越,且碳化硅控制器效率明顯優(yōu)于采用 IGBT 模塊的控制器
2022-12-21 14:02:33836

碳化硅電驅(qū)動(dòng)總成設(shè)計(jì)與測(cè)試

。為了進(jìn)一步驗(yàn)證碳化硅三合一電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng)的性能,對(duì)電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng)制作樣機(jī)并搭建臺(tái)架進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證,測(cè)試結(jié)果表明,該碳化硅三合一電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng)的整體性能優(yōu)越,且碳化硅控制器效率明顯優(yōu)于采用 IGBT 模塊的控制器,采用碳化硅模塊設(shè)計(jì)
2022-12-21 14:05:031414

SiC碳化硅功率器件測(cè)試哪些方面?碳化硅功率器件測(cè)試系統(tǒng)NSAT-2000

SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開(kāi)關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車(chē)、風(fēng)能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。 近年來(lái),全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移。目前
2023-01-13 11:16:441230

汽車(chē)碳化硅技術(shù)原理圖

SiC)技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅SiC)技術(shù)的需求繼續(xù)增長(zhǎng),這種技術(shù)可以最大限度地提高當(dāng)今電力系統(tǒng)的效率,同時(shí)降低其尺寸、重量和成本。但碳化硅溶液并不是硅的替代品,它們也并非都是一樣的。為了實(shí)現(xiàn)碳化硅
2023-02-02 15:10:00467

什么是碳化硅SiC)?

碳化硅SiC)是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片,這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過(guò)在電阻爐中高溫熔化石英砂,石油焦,鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4420953

碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997

功率半導(dǎo)體碳化硅(SiC)技術(shù)

功率半導(dǎo)體碳化硅SiC)技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅SiC)技術(shù)的需求繼續(xù)增長(zhǎng),這種技術(shù)可以最大限度地提高當(dāng)今電力系統(tǒng)的效率
2023-02-15 16:03:448

SiC碳化硅功率器件測(cè)試哪些方面

SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開(kāi)關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車(chē)、風(fēng)能發(fā) 電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。 近年來(lái),全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移
2023-02-16 15:28:254

閃光法測(cè)量高導(dǎo)熱碳化硅圓晶中存在的問(wèn)題

摘要:對(duì)于高導(dǎo)熱碳化硅(4H-SiC、6H-SiC)圓晶的導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試,目前普遍都采用閃光法,但都存在測(cè)試結(jié)果偏低的現(xiàn)象。本文基于這種高導(dǎo)熱碳化硅特性和閃光法,解釋了這種測(cè)試誤差較大的原因,并通過(guò)
2023-02-20 15:55:040

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開(kāi)說(shuō)明。碳和硅進(jìn)過(guò)化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經(jīng)過(guò)碳化硅單晶生長(zhǎng)成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693

SiC碳化硅功率器件產(chǎn)品線和硅基產(chǎn)品線介紹

碳化硅功率器件涵蓋碳化硅裸芯片,碳化硅二極管和碳化硅MOSFET,還要碳化硅模塊。我們重點(diǎn)介紹一下碳化硅二極管和碳化硅MOSFET。碳化硅二極管除了確保符合當(dāng)今最嚴(yán)格的能效法規(guī)(Energy
2023-02-21 10:06:42898

SiC碳化硅二極管的特性和優(yōu)勢(shì)

什么是第三代半導(dǎo)體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體,這個(gè)是相對(duì)以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090

SiC碳化硅二極管功率器件有哪些封裝?

我們拿慧制敏造碳化硅半導(dǎo)體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來(lái)我們來(lái)看一下碳化硅二極管的貼片封裝,常見(jiàn)的有有TO-263和TO-252封裝,隨著近些年電源對(duì)于功率密度要求不斷提高,碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:161795

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專(zhuān)業(yè)讀者喜愛(ài),本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng),以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì),感謝各位
2023-05-31 09:43:20390

11.1 電力電子系統(tǒng)的介紹∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

11.1電力電子系統(tǒng)的介紹第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)
2022-04-14 11:22:07277

碳化硅功率器件的基本原理、特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

碳化硅SiC功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件,具有許多優(yōu)勢(shì)和廣泛的應(yīng)用前景。
2023-06-28 09:58:092317

瞻芯電子正式開(kāi)發(fā)第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品

瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產(chǎn)線,開(kāi)發(fā)了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品,其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101
2023-08-21 09:42:121285

碳化硅SiC功率器件,全球市場(chǎng)總體規(guī)模,前三十大廠商排名及市場(chǎng)份額

本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件,功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊(SiC MOSFET Module),分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管(主要是碳化硅肖特二極管)。
2023-09-08 11:30:451806

第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率器件的應(yīng)用

SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開(kāi)關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。 在眾多的半導(dǎo)體器件中,碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342

碳化硅的5大優(yōu)勢(shì)

碳化硅SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:33456

碳化硅功率器件的特點(diǎn)和應(yīng)用現(xiàn)狀

  隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅SiC功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優(yōu)點(diǎn)
2023-12-14 09:14:46240

碳化硅功率器件的原理和應(yīng)用

隨著科技的快速發(fā)展,碳化硅SiC功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個(gè)領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的原理、應(yīng)用、技術(shù)挑戰(zhàn)以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2023-12-16 10:29:20359

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)應(yīng)及發(fā)展趨勢(shì)

的優(yōu)勢(shì)高頻率:碳化硅材料的電子遷移率比硅高,使得碳化硅功率器件能夠承受更高的開(kāi)關(guān)頻率。這有助于減小無(wú)源元件的尺寸,提高系統(tǒng)的整體效率。低損耗:碳化硅的導(dǎo)通電阻比硅低,使得碳化硅功率器件在導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗遠(yuǎn)低于硅器件。這有助于減小系統(tǒng)的散熱需求,提高設(shè)備的能效。高效率:碳化硅
2024-01-06 14:15:03353

碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379

SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢(shì)

碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。
2024-01-20 17:18:29502

一文了解SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢(shì)

共讀好書(shū) 碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效
2024-02-21 18:24:15412

已全部加載完成