SiC碳化硅二極管全稱SiC碳化硅勢壘二極管,又叫做SiC碳化硅肖特基二極管,屬于碳化硅功率器件的一種,也是SiC碳化硅電力電子器件的一種,也稱為第三代半導(dǎo)體。我們要知道SiC碳化硅二極管 SiC碳化硅勢壘肖特基二極管 SiC SBD應(yīng)用,那首先必須知道一些基本的概念。
什么是第三代半導(dǎo)體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體,這個(gè)是相對(duì)以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管和碳化硅MOSFET。第三代半導(dǎo)體涵蓋SiC碳化硅二極管,SiC碳化硅MOSFET,SiC碳化硅模塊,SiC碳化硅裸芯片這四類。
下面我們再介紹一下碳化硅功率器件,主要指碳化硅二極管,SiC碳化硅二極管,SiC碳化硅勢壘肖特基二極管,SiC SBD和碳化硅MOSFET,SiC MOSFET。
我們再來了解一下SiC碳化硅二極管的特性和優(yōu)勢,拿慧制敏造半導(dǎo)體出品的KNSCHA SiC碳化硅二極管為例子說明,主要封裝有貼片型SiC碳化硅二極管和插件型SiC碳化硅二極管,貼片型二極管的封裝規(guī)格為:DFN5×6、DFN8×8、TO-252-2L、TO-263-2L;插件型SiC碳化硅二極管封裝:TO-220-2、TO-247-2、TO-247-3。
這些寬帶隙 碳化硅二極管的優(yōu)點(diǎn)包括可大幅提高效率和高溫可靠性,同時(shí)響應(yīng)市場對(duì)降低系統(tǒng)執(zhí)行成本并減少維護(hù)需求。這些裝置適用于 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 降壓變換器、光伏逆變器、不斷電系統(tǒng)和工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品應(yīng)用。此外,碳化硅二極管也適用于其他各種電路,例如功率因子校正用途的升壓轉(zhuǎn)換器。
碳化硅二極管擁有高效率效能,表現(xiàn)優(yōu)于傳統(tǒng)硅晶型產(chǎn)品,能為電源供應(yīng)器設(shè)計(jì)人員帶來空前產(chǎn)品效能優(yōu)勢,例如:
● 低電容電荷 (QC) 可將切換損耗降至極低,進(jìn)而提升高速切換產(chǎn)品應(yīng)用的效率。適合用于功率密度具有較高、解決方案總尺寸較小的電路設(shè)計(jì)。
● 低順向電壓 (VF) 可進(jìn)一步提高效率、降低功率損耗和營運(yùn)成本。
● 減少散熱,有助于降低整個(gè)系統(tǒng)的散熱預(yù)算。
● 高突波電流能力可提升穩(wěn)固性,實(shí)現(xiàn)較佳系統(tǒng)可靠性,而出色的熱效能還可降低建構(gòu)成本。
以上我們知道了碳化硅二極管的詳細(xì)知識(shí),接下來我們言歸正傳,談一下SiC碳化硅二極管 SiC碳化硅勢壘肖特基二極管 SiC SBD應(yīng)用介紹
1.太陽能逆變器
太陽能發(fā)電用二極管的基本材料,碳化硅二極管的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均優(yōu)于普通雙極二極管(silicon bipolar)技術(shù)。SiC碳化硅二極管導(dǎo)通與關(guān)斷狀態(tài)的轉(zhuǎn)換速度非常快,而且沒有普通雙極二極管技術(shù)開關(guān)時(shí)的反向恢復(fù)電流。在消除反向恢復(fù)電流效應(yīng)后,碳化硅二極管的能耗降低70%,能夠在寬溫度范圍內(nèi)保持高能效,并提高設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)工作頻率的靈活性,碳化硅二極管提高太陽能逆變器的效率。
2.新能源汽車充電器
SiC碳化硅二極管通過汽車級(jí)產(chǎn)品測試,極性接反擊穿電壓提高到650V,能夠滿足設(shè)計(jì)人員和汽車廠商希望降低電壓補(bǔ)償系數(shù) 的要求,以確保車載充電半導(dǎo)體元器件的標(biāo)稱電壓與瞬間峰壓 ,之間有充足的安全裕度 。二極管的雙管產(chǎn)品 ,可最大限度提升空間利用率,降低車載充電器的重量。
3.開關(guān)電源優(yōu)勢
SiC碳化硅的使用可以極快的切換,高頻率操作,零恢復(fù)和溫度無關(guān)的行為,再加我們的低電感RP包,這些碳化硅二極管可以用在任向數(shù)量的快速開關(guān)二極管電路或高頻轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。
4.工業(yè)優(yōu)勢
SiC碳化硅二極管:重型電機(jī)、工業(yè)設(shè)備主要是用在高頻電源的轉(zhuǎn)換器上,可以帶來高效率、大功率、高頻率的優(yōu)勢
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