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      弘模半導體

      文章：51 被閱讀：22.5w 粉絲數(shù)：10 關注數(shù)：0 點贊數(shù)：1

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      關于MOS-AK Peking 器件模型國際會議的分析和介紹

      如果您是設計公司，通過參加這個活動，就能了解到為什么自己的產(chǎn)品和其他公司沒有在一個起跑線上。如果您是....
      的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-08 10:59 ?2299次閱讀
      關于MOS-AK Peking 器件模型國際會議的分析和介紹

      關于MOS-AK Peking器件模型國際會議分析和介紹

      所有投稿由技術專家委員會審核，5月28日是Abstract 提交截止日，內(nèi)容不需要多，1-2頁即可，....
      的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-08 10:54 ?1739次閱讀
      關于MOS-AK Peking器件模型國際會議分析和介紹

      關于中興通訊被制裁事件的分析介紹

      模型從業(yè)者的商業(yè)模式?jīng)Q定了規(guī)模不可能大，而且是以研發(fā)為主，所以沒有國家支持是很難生存下去的。美國的C....
      的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-08 10:49 ?10736次閱讀

      關于歐盟項目TARANTO的分析和介紹

      半導體產(chǎn)業(yè)鏈很長，每個產(chǎn)品牽涉很多知識，所以XMOD也一直通過在參與歐盟項目的同時，把那些愿意把技術....
      的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-08 10:43 ?3360次閱讀

      關于AI背景下的on-chip ESD (靜電保護）需求分析和應用

      ofics 的on-chip ESD 覆蓋目前主流工藝，應用也非常廣泛，除了上面的人工智能，硅光電，....
      的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-08 10:34 ?2514次閱讀

      關于先進節(jié)點和特殊應用下的On-chip ESD 研討會的分析和介紹

      在和英國IP 供應商Moortec，和Icsense三方的合作中，Sofics 成功得在28nm, ....
      的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-08 10:29 ?3962次閱讀
      關于先進節(jié)點和特殊應用下的On-chip ESD 研討會的分析和介紹

      回顧關于MOS-AK北京器件模型會議邀請報告分析和發(fā)展介紹

      半導體所的文章，首先回顧第一性原理（密度泛函理論）來計算納米電子，通過對二維（2D）材料為基礎的亞1....
      的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-08 10:23 ?2456次閱讀
      回顧關于MOS-AK北京器件模型會議邀請報告分析和發(fā)展介紹

      關于MOS-AK北京器件模型邀請報告提要和分析

      對于III-V族器件， 模型的問題一直困擾者很多電路設計者，由于模型準確度的局限性，很多時候，需要靠....
      的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-08 10:17 ?1999次閱讀
      關于MOS-AK北京器件模型邀請報告提要和分析

      回顧關于MOS-AK 北京器件模型會議可靠性報告的發(fā)展

      FinFET和FDSOI是先進的工藝技術節(jié)點采用的新的器件創(chuàng)新來繼續(xù)保持摩爾定律。在這些器件結構中，....
      的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-08 10:07 ?3572次閱讀
      回顧關于MOS-AK 北京器件模型會議可靠性報告的發(fā)展

      回顧MOS-AK 北京器件模型國際會議的主要內(nèi)容和主題

      當然，MOS-AK會議前期的培訓部分也非常精彩，6月14日，Dr. Franz Sischka 的R....
      的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-08 09:59 ?3685次閱讀

      關于用于功率和射頻的氮化鎵(GaN)的分析介紹和應用

      對于電容參數(shù)的描述，ASM GaN 是應用場效應板來解決的。當然，模型開發(fā)出來后，需要和真正的器件進....
      的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-08 09:44 ?6532次閱讀
      關于用于功率和射頻的氮化鎵(GaN)的分析介紹和應用

      關于Fraunhofer IAF W-band LNA 芯片的性能分析和應用介紹

      總的來說，這款LNA的芯片在NF方面的表現(xiàn)是非常不錯，對于其應用還是非常廣泛的, 比如風力發(fā)電中玻璃....
      的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-08 09:36 ?5003次閱讀
      關于Fraunhofer IAF W-band LNA 芯片的性能分析和應用介紹

      關于GaN微波器件大信號模型及其應用和發(fā)展分析

      然而上述兩種模型為了達到大信號特性高精度，仍舊需要引入較多的擬合參數(shù)，加大了模型參數(shù)提取的難度和模型....
      的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-08 09:28 ?6825次閱讀
      關于GaN微波器件大信號模型及其應用和發(fā)展分析

      關于300GHz雷達芯片套裝的性能分析和介紹

      此芯片基于SiGe HBT BiCMOS工藝，包括了MIXER，VCO，F(xiàn)requency doub....
      的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-08 09:20 ?4571次閱讀
      關于300GHz雷達芯片套裝的性能分析和介紹

      對于24GHz雷達傳感器的性能分析和介紹

      團隊目前已經(jīng)開發(fā)出不同頻率，寬帶的傳感器，從基帶10Ghz, 24GHz, 122GHz, 到200....
      的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-08 09:08 ?7430次閱讀
      對于24GHz雷達傳感器的性能分析和介紹

      關于SiGe HBT 技術和應用的未來分析和介紹

      在雷達應用這塊， 除了早已上市的77-78，79-81GHz雷達，主用于ADAS。同時94GHz雷達....
      的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-06 17:38 ?17937次閱讀
      關于SiGe HBT 技術和應用的未來分析和介紹

      關于鍺硅工藝的建模，設計和應用分析和介紹

      下午，主要由來自Silicon Radar的設計主管Dr. Wojciech Debski 帶來基于....
      的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-06 17:26 ?4606次閱讀

      關于Graphcore 采用Sofics 16nm FinFET ESD 解決方案的介紹和分析

      無論是0.18um CMOS還是12nm FinFet并不重要，設計公司將始終受益于更短的開發(fā)時間，....
      的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-06 17:17 ?2112次閱讀
      關于Graphcore 采用Sofics 16nm FinFET ESD 解決方案的介紹和分析

      關于SiGe HBT工藝120GHz超寬帶芯片SPEC的性能分析和應用

      122 GHz收發(fā)雷達前端（RFE）主要應用領域是在短程/高分辨雷達系統(tǒng)，范圍高達約7米。通過使用附....
      的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-06 17:09 ?5435次閱讀
      關于SiGe HBT工藝120GHz超寬帶芯片SPEC的性能分析和應用

      關于歐盟項目Kamerad的分析和介紹

      作為歐盟項目自動駕駛相關項目的活躍合作伙伴Silicon Radar, 將在6月20日的MOS-AK....
      的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-06 17:04 ?2121次閱讀

      回顧MOS-AK成都器件模型國際會議的內(nèi)容介紹

      成都電子科技大學團隊的硅基磁光非互易光子器件向大家展示了團隊在這方面所做的努力和成績。在先進節(jié)點方面....
      的頭像 弘模半導體 發(fā)表于 09-06 16:51 ?4053次閱讀