關(guān)于MOS-AK Peking 器件模型國際會(huì)議的分析和介紹

一年一度的MOS-AK器件模型國際會(huì)議在主辦方的積極籌備下， 將于今年的 6月15~16日兩天在北京舉辦。和2016年第一次舉辦MOS-AK會(huì)議的宗旨一樣， 希望MOS-AK WORKSHOP 作為設(shè)計(jì)公司和半導(dǎo)體廠橋梁，能夠讓更多設(shè)計(jì)工作者，半導(dǎo)體廠工作者參與進(jìn)來，通過充分溝通交流，讓器件模型產(chǎn)業(yè)真正為國內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)服務(wù)，為國內(nèi)設(shè)計(jì)公司的產(chǎn)品獲得更好的核心價(jià)值和更高的附加價(jià)值。

此次活動(dòng)由清華大學(xué)主辦，中國仿真學(xué)會(huì)集成微系統(tǒng)建模與仿真專委會(huì)，XMOD Technologies 作為協(xié)辦方配合工作。這次的邀請報(bào)告方面也是根據(jù)目前的市場熱點(diǎn)進(jìn)行了選擇。在III-V族微波方面，邀請到了德國Fraunhofer IAF 有幾十年工作經(jīng)驗(yàn)的專家，為大家講述 mHEMT 方面的器件模型，工藝，模塊和尖端應(yīng)用，特別是國內(nèi)關(guān)心的MPW公開，也會(huì)帶來最新的信息。 來自國內(nèi)EDA龍頭企業(yè)華大九天，會(huì)給大家共享公司在TFT方面模型和設(shè)計(jì)的整個(gè)流程的案例，因?yàn)門FT模型的復(fù)雜性和其在應(yīng)用中的驗(yàn)證一直是比較棘手的問題。來自香港科技大學(xué)的教授會(huì)對Memeory 器件模型的難點(diǎn)重點(diǎn)刨析并提出解決方案，使之在大規(guī)模集成電路中的應(yīng)用驗(yàn)證成為可能。Qorvo的專家會(huì)對于TCAD simulation, modeling 和實(shí)際流片結(jié)果為什么有不匹配，做原理方面的解析，也提出了TCAD方面的局限性和需要注意的關(guān)鍵要點(diǎn)。 另外，我們?yōu)榇蠹覝?zhǔn)備了一天的培訓(xùn)，主題是Succesful and Verified RF measurements for device modeling, 這個(gè)主題由IC-CAP modeling handbook的作者Dr. Franz Sischka 來主講，具體內(nèi)容，我們會(huì)在后期的MOS-AK Peking 活動(dòng)更新中具體介紹。當(dāng)然，我們也期待來自各行各業(yè)更多高質(zhì)量的投稿，使會(huì)議能夠覆蓋CMOS先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)、III-V、SOI、FINFET，SiGe HBT和目前比較熱門的硅光電工藝等，也能夠關(guān)聯(lián)更上一層面的TCAD工具、電路設(shè)計(jì)，讓參會(huì)者深刻理解模型的橋梁作用。

如果您是設(shè)計(jì)公司，通過參加這個(gè)活動(dòng)，就能了解到為什么自己的產(chǎn)品和其他公司沒有在一個(gè)起跑線上。如果您是半導(dǎo)體廠，通過參加這個(gè)活動(dòng)，就能了解到設(shè)計(jì)公司的心聲，更好地為設(shè)計(jì)公司服務(wù)。因此，無論您處于半導(dǎo)體行業(yè)的哪個(gè)環(huán)節(jié)，這個(gè)活動(dòng)都將是適合您的一道菜。

具體內(nèi)容請點(diǎn)擊下面的圖片放大后觀看，或者點(diǎn)擊閱讀原文可以到網(wǎng)站了解更多信息并且報(bào)名參會(huì)。為了讓更多半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界的朋友們了解器件模型產(chǎn)業(yè)的活動(dòng)，也煩請大家轉(zhuǎn)發(fā)給身邊的朋友，共同為爭取更深層次的中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心價(jià)值而努力。關(guān)心MOS-AK PEKING活動(dòng)的朋友，也請關(guān)注我們的公眾號(hào)，留意最新信息發(fā)布。