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2018年6月15-16日，第三屆MOS-AK器件模型國際會議（北京）順利閉幕。本次會議由清華大學主辦，中國仿真協(xié)會集成微系統(tǒng)建模和仿真專委會、XMOD共同協(xié)辦。MOS-AK（北京）也得到了華大九天，Maury, Platform-Da, Cogenda, 杭州電子科技大學的贊助。本次為期二天的會議吸引了來自設計公司、半導體廠、EDA 廠商、學校和研究所等科研單位人員來參加。會議共包含了6篇邀請報告，14篇演講報告，給大家留下了深刻印象。MOS-AK（北京）的報告注重質量，而且產學研的路線貫徹到底，得到了參會人員的好評。

中國仿真協(xié)會集成微系統(tǒng)建模與仿真專業(yè)委員會副主任委員、國際期刊Journal of Computational Electronics副主編、清華大學王燕教授致開幕詞，熱烈歡迎大家到來，提出了模型產業(yè)在半導體產業(yè)的重要性，并預祝本次活動圓滿成功。接下來，XMOD作為協(xié)辦方介紹了本年度各地MOS-AK會議的安排，也回顧了前幾年的活動情況。另外，對于當前的模型產業(yè)細分的狀況，希望通過MOS-AK平臺互相交流，取長補短。

作為邀請報告部分，香港科技大學對于存儲器件的仿真和大規(guī)模產業(yè)應用給出了指導性的意見。德國Fraunhofer IAF和Ondosense的III-V族方面的報告，讓大家意識到，和歐洲先進工藝和技術相比，差距還是比較大的。清華大學帶來了Angelov模型方面的實戰(zhàn)應用，通過開發(fā)統(tǒng)一等效電路，解析公式以及創(chuàng)建的參數(shù)抽取方法獲得了測試和仿真非常匹配的結果，有很不錯的借鑒作用。華大九大的OLED器件的模型介紹，讓大家意識到一個好的模型開發(fā)，要經歷各種挑戰(zhàn)和瓶頸，需要不斷從工業(yè)界的反饋中把模型做的更接近實際結果。中科院半導體所的報告，從非?；A的第一性原理出發(fā)，對新材料、新結構的器件做了前瞻的分析，給后續(xù)的研究、應用打好了基礎。Qorvo帶來的關于TCAD用于III-V器件仿真的報告，從器件的真實材料、結構以及物理現(xiàn)象出發(fā)，對于TCAD可能的不一致性提出了自己的觀點。

此次活動，除了上述邀請報告，也吸引到了其他半導體廠，設計公司，EDA廠商，科院院所和學校的報告和文章。他們分別是Cadence、 Synopsys、中科院微系統(tǒng)所、中科院微電子所、中國工程物理研究院、Cogenda,、Platform-Da、華中科技大學、西安電子科大、成都電子科大、杭州電子科大、澳大利亞Macquarie 大學、蘇州能訊、海威華芯、MOS-AK等（以上次序不分先后）。在這里，特別要提到中科院下面的幾個研究所，分別作了非常基礎的研究，比如半導體所和微電子所，他們通過最基礎的物理，電子方程給國內模型產業(yè)發(fā)展提供了借鑒作用，對后續(xù)產業(yè)應用的模型開發(fā)起了非常好的輔助作用。微系統(tǒng)所在總劑量模型方面，介紹了總劑量模型軟件, 為宇航芯片研發(fā)提供了設計支持。中國工程物理研究院對70nm GaAs mHEMT 工藝，提出了自己的一套Design oriented Model 方法，使之能夠在220GHz 范圍內做到理想的匹配。這些經驗對應用和產業(yè)化，提供了很好的知識儲備。當然，EDA廠商，半導體服務企業(yè)，國內外的幾所大學的報告也同樣精彩，后續(xù)我們會在網站上和大家一起分享。

最后，會議在MOS-AK 2019的主辦方成都電子科大的精彩介紹中順利閉幕，大家共同期待2019年成都再次相見。

開幕詞：

邀請報告（不分先后）：

演講嘉賓（不分先后）：

部分參與人員合影：

當然，MOS-AK會議前期的培訓部分也非常精彩，6月14日，Dr. Franz Sischka 的RF測試和建模一天課程，很多培訓者給了大大的贊，連贊助商的參展人員，也說，這么多干貨的培訓確實難得，對于明年再次贊助MOS-AK活動表達了強烈的意愿。

RF器件測量模型培訓（6月14日）：

MOS-AK 北京器件模型國際會議結束后，我們會和演講者一起解讀幾篇有特色的報告給大家。對會議PPT感興趣的朋友，由于演講報告和最終報告有區(qū)別（有些報告需要刪除敏感內容），需要些時間，請耐心等待。

最后再次感謝本次MOS-AK活動的組織方和贊助方：

微信熱點文章：

1. MOS-AK 北京器件模型會議邀請報告前瞻（1）

2.MOS-AK 北京器件模型邀請報告前瞻（2）