英飛凌工業(yè)半導體

動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-01-13 17:36

  功率器件熱設計基礎（十二）——功率半導體器件的PCB設計

  

  /前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率半導體的電流密度隨著功率半導體芯片損耗降低，最高工作結溫提升，器件的功率密度越來越高，也就是

  PCB設計 功率半導體器件 功率器件

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• 發(fā)布了文章 2025-01-11 09:05

  第二屆電力電子科普作品創(chuàng)作大賽斬獲殊榮——榮獲2024年全國科普日優(yōu)秀活動表彰

  

  2024年12月27日，中國科協(xié)辦公廳正式發(fā)布了《關于表彰2024年全國科普日優(yōu)秀組織單位與活動的通知》，由中國電源學會科普工作委員會攜手英飛凌科技（中國）有限公司精心策劃的第二屆電力電子科普作品創(chuàng)作大賽，斬獲“2024年全國科普日優(yōu)秀活動”殊榮。第二屆大賽，我們鼓勵參賽者圍繞自身工作、學習及興趣，用文字、視頻、動漫等多種形式，展示電力電子技術在電源管理、電

  電力電子 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-01-09 17:06

  新品 | 670V TRENCHSTOP™ IGBT7 PR7帶反并聯(lián)二極管TO-247-3大爬電距離和電氣間隙封裝

  

  670VTRENCHSTOPIGBT7PR7帶反并聯(lián)二極管TO-247-3大爬電距離和電氣間隙封裝該產(chǎn)品專門針對RAC/CAC和HVAC等升壓PFC電路進行了優(yōu)化。它是TRENCHSTOPIGBT5的后續(xù)產(chǎn)品，具有更好的EMI特性、同類最佳的可靠性和堅固性，可為大功率和高開關頻率應用提供先進的性能和更高的性價比。產(chǎn)品型號：■KW30N67PR7■IKW40N

  IGBT 二極管 電氣

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• 發(fā)布了文章 2025-01-08 17:03

  英飛凌一站式方案助力熱泵系統(tǒng)，全新高效功率器件震撼首秀

  

  隨著全球能源轉型和低碳經(jīng)濟的發(fā)展，建筑節(jié)能成為重要議題，熱泵系統(tǒng)作為一種高效的供暖、制冷和熱水供應方式，能夠顯著降低建筑能耗，提高能源利用效率，在現(xiàn)代社會中有著廣泛的應用需求。然而，人們對居住環(huán)境舒適度的要求日益提高，熱泵行業(yè)面臨著一個共同挑戰(zhàn)：如何實現(xiàn)安靜、高效且可靠的熱泵系統(tǒng)。英飛凌憑借多年的豐富經(jīng)驗，提供MCU控制器，不同封裝的功率器件，以及GateD

  功率器件 功率模塊 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-01-06 17:05

  功率器件熱設計基礎（十一）——功率半導體器件的功率端子

  

  /前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率器件的輸出電流能力器件的輸出電流能力首先是由芯片決定的，但是IGBT芯片的關斷電流能力很強，

  功率半導體 功率器件 熱設計

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• 發(fā)布了文章 2025-01-03 17:31

  應用指南導讀 | 優(yōu)化HV CoolGaN™功率晶體管的PCB布局

  

  作為寬禁帶半導體，氮化鎵（GaN）以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成為現(xiàn)代功率電子領域的新寵。然而，GaN器件的高速開關行為也對PCB布局設計提出了巨大挑戰(zhàn)。因此想要充分發(fā)揮GaN的潛力，我們必須理解和管理PCB布局產(chǎn)生的寄生阻抗，確保電路正常、可靠地運行，并且不會引起不必要的電磁干擾（EMI）?！秲?yōu)化HVCoolGaN功率晶體管的PCB布局》應用指南，

  GaN pcb PCB 功率晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-01-02 17:41

  新品 | 3300V，1200A IGBT4 IHV B模塊

  

  3300V,1200AIGBT4IHVB模塊知名的IHVB3.3kV單開關IGBT模塊經(jīng)過了重大改進，以滿足牽引和工業(yè)應用（如中壓傳動或HVDC）當前和未來的要求。其最新推出的產(chǎn)品組合類型是經(jīng)過優(yōu)化的IGBT和二極管比率，F(xiàn)Z1200R33HE4D_B9足以取代英飛凌和競爭對手的1500A3.3kV單開關。它采用TRENCHSTOPIGBT4和發(fā)射極可控EC

  IGBT 二極管

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• 發(fā)布了文章 2024-12-31 17:06

  2024年度盤點：創(chuàng)新賦能，銳意前行

  

  2024年，面對充滿挑戰(zhàn)且不確定的市場環(huán)境，英飛凌始終秉持創(chuàng)新驅動技術領先的原則，不斷突破技術與產(chǎn)品性能的邊界，接連推出了多款重量級產(chǎn)品。今日，小編帶你一起盤點2024年的高光時刻。全新2000VCoolSiCMOSFET和二極管，業(yè)界首發(fā)作為市面上第一款擊穿電壓達到2000V的碳化硅分立器件，全新推出的CoolSiCMOSFET2000V采用TO-247P

  MOSFET 二極管 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-12-30 19:33

  2024年度盤點：步履不停，載譽前行

  

  在充滿挑戰(zhàn)和不確定的2024年，英飛凌始終堅守以客戶為中心的核心價值觀，將滿足客戶需求作為企業(yè)發(fā)展的根本動力。這一年，英飛凌憑借創(chuàng)新的技術實力、可靠的產(chǎn)品質量，專業(yè)的客戶支持，以及穩(wěn)健的運營管理，贏得了客戶的認可與贊譽。今日，小編帶你一起盤點2024年的榮耀時刻。維諦技術：最佳產(chǎn)品質量獎特變電工：金牌戰(zhàn)略合作伙伴獎株洲中車時代電氣:技術協(xié)作獎施耐德電氣:最佳

  施耐德電氣 特變電工 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-12-27 17:07

  新品 | CoolSiC™ MOSFET 3.3 kV XHP™ 2半橋模塊

  

  新品CoolSiCMOSFET3.3kVXHP2半橋模塊XHP2CoolSiCMOSFET3.3kV集成體二極管、XHP2封裝，采用.XT互聯(lián)技術。產(chǎn)品型號：■FF2000UXTR33T2M1■FF2600UXTR33T2M1■FF4000UXTR33T2M1產(chǎn)品特點Inom大損耗低高開關頻率體積小.XT連接技術I2t浪涌電流穩(wěn)健性應用價值能源效率高功率密度

  MOSFET SiC

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