英飛凌工業(yè)半導體

動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-09-10 08:03

  新品 | 6500V、1000A 單開關 IGBT 模塊 FZ1000R65KE4

  

  新品6500V、1000A單開關IGBT模塊FZ1000R65KE46500V1000A，190mmIHV單開關IGBT模塊采用IGBT4溝槽柵場終止技術，是HVDC-VSC、牽引和工業(yè)應用的最佳解決方案。產(chǎn)品特點低VCEsat碳化硅鋁基板存儲溫度低至-55°CCTI600應用價值實現(xiàn)緊湊型逆變器設計低功率損耗標準化封裝競爭優(yōu)勢高性能堅固可靠低功率損耗應用領

  IGBT 模塊 逆變器

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• 發(fā)布了文章 2024-09-05 08:03

  新品 | 采用第二代1200V CoolSiC™ MOSFET的集成伺服電機的驅(qū)動器

  

  新品采用第二代1200VCoolSiCMOSFET的集成伺服電機的驅(qū)動器REF-DR3KIMBGSIC2MA是為集成伺服電機的驅(qū)動器應用而開發(fā)的升級版逆變器和柵極驅(qū)動器板。設計用于評估采用TO-263-7封裝的第二代1200VCoolSiCMOSFET。采用IMBG120R040M2H作為三相逆變器板的功率開關。驅(qū)動電路采用了具有米勒鉗位功能的EiceDRI

  MOSFET 伺服電機 驅(qū)動器

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• 發(fā)布了文章 2024-09-04 08:02

  兩位IEEE Fellow授課│第三代半導體器件技術與應用高級研修班10月上海開班

  

  來源：內(nèi)容來自中國電源學會01組織機構主辦單位：中國電源學會承辦單位：中國電源學會科普工作委員會、英飛凌-上海海事大學功率器件應用培訓和實驗中心、上海臨港電力電子研究院02培訓時間地點2024年10月11-13日中國(上海)自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)上海海事大學物流工程學院03培訓介紹培訓內(nèi)容本課程旨在全面系統(tǒng)深入地介紹第三代功率半導體新技術的發(fā)展，重點講授碳

  半導體器件 氮化鎵 電力電子

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• 發(fā)布了文章 2024-09-03 08:02

  新品 | 600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列

  

  新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出的600VCoolMOS8引領著全球高壓超級結(jié)MOSFET技術的發(fā)展，在全球范圍內(nèi)樹立了技術和性價比標準。CoolMOS8是英飛凌新一代硅基MOSFET技術，旨在取代現(xiàn)有的高/低功率開關電源（SMPS）的CoolMOS7產(chǎn)品系列（包括P7、S7、CFD7、C7、G7和PFD7）。它也是CoolGa

  MOS MOSFET 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-08-30 12:25

  離網(wǎng)場景下SiC MOSFETs應用于三相四橋臂變流器的優(yōu)勢

  

  *本論文摘要由PCIM官方授權發(fā)布/摘要/工商業(yè)側(cè)儲能正以其經(jīng)濟性，電網(wǎng)友好性等特點蓬勃發(fā)展，其中離網(wǎng)應用場景下，不平衡負載帶載能力，諧波畸變度等都是其PCS的重要指標。三相四橋臂（3P4L）變流器具有最強的不平衡負載能力，但對比三相三線（3P3W）系統(tǒng)，成本增加，諧波畸變度更高。SiCMOSFETs由于其優(yōu)越的材料特性與器件特性，相較IGBT可大幅提升開關

  MOSFET SiC 變流器

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• 發(fā)布了文章 2024-08-30 12:24

  新品 | EiceDRIVER™ 2ED314xMC12L 6.5 A、5.7 kV（有效值）雙通道隔離柵極驅(qū)動器

  

  新品EiceDRIVER2ED314xMC12L6.5A、5.7kV（有效值）雙通道隔離柵極驅(qū)動器EiceDRIVER2ED314xMC12L是一個雙通道隔離柵極驅(qū)動器IC系列，用于驅(qū)動SiMOSFET、IGBT和SiCMOSFET。所有產(chǎn)品均采用14引腳DSO封裝，輸入-輸出爬電間距為8mm，加強絕緣。所有型號都具有死區(qū)時間控制（DTC）功能和獨立驅(qū)動通道

  MOSFET SiC 驅(qū)動器

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• 發(fā)布了文章 2024-08-30 12:24

  系統(tǒng)寄生參數(shù)對SiC器件開關的影響分析

  

  *本論文摘要由PCIM官方授權發(fā)布/摘要/本文分析了系統(tǒng)寄生參數(shù)對SiC(碳化硅)器件使用的影響。本文還研究了SiCMOS開關開通時的過流機理，以及開通電流振蕩的原因。除了寄生電感對功率器件電壓應力的影響外，本文還討論了系統(tǒng)設計中寄生電容對開通電流應力、電流振蕩和開通損耗的負面影響。01導言隨著SiC技術的發(fā)展和電力電子行業(yè)的增長，SiC器件越來越受到工程師

  MOS sic器件 二極管

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• 發(fā)布了文章 2024-08-30 12:24

  新品 | 集成溫度傳感器工業(yè)和汽車級CoolMOS™ S7T和S7TA SJ MOSFET

  

  新品集成溫度傳感器工業(yè)和汽車級CoolMOSS7T和S7TASJMOSFET集成溫度傳感器的CoolMOSS7T和S7TA提高了結(jié)溫測量的準確性和穩(wěn)健性，測溫簡單，并實現(xiàn)了功能安全。該器件針對低頻和大電流開關應用進行優(yōu)化。它非常適合固態(tài)繼電器、固態(tài)斷路器和SMPS中的輸入整流等工業(yè)應用，以及汽車中的電池分斷、電子保險絲和車載充電器。溫度傳感器增強了CoolM

  MOSFET 傳感器 工業(yè)

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• 發(fā)布了文章 2024-08-14 08:14

  英飛凌推出高性能 CIPOS™ Maxi 智能功率模塊，適用于功率高達 4 千瓦的工業(yè)電機驅(qū)動器

  

  英飛凌科技推出用于電機驅(qū)動的低功耗CIPOSMaxi智能功率模塊(IPM)系列，進一步擴展了其第七代TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品系列。新型IM12BxxxC1系列基于最新的TRENCHSTOPIGBT71200V和快速二極管EmCon7技術。由于采用了最新的微溝槽設計，該產(chǎn)品具有卓越的控制能力和性能。這大大降低了損耗，提高了效率和功率密度。該產(chǎn)品組合包

  工業(yè) 電機驅(qū)動器 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-08-13 08:14

  新品 | 900A 1700V Wave基板的EconoDUAL™ 3 IGBT7 模塊

  

  新品900A1700VWave基板的EconoDUAL3IGBT7模塊EconoDUAL3FF900R17ME7W_B11基板采用Wave波浪結(jié)構，針對開放式液冷散熱器應用進行了優(yōu)化，以實現(xiàn)更高的功率密度和更長的使用壽命。目前的EconoDUAL3Wave產(chǎn)品組合新增了1700V電壓等級的900A模塊。產(chǎn)品型號：FF900R17ME7W_B11900A170

  IGBT 散熱器 模塊

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