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英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

同名公眾號(hào)致力于打造電力電子工程師園地,英飛凌功率半導(dǎo)體產(chǎn)品、技術(shù)和應(yīng)用的交流平臺(tái),包括工程師應(yīng)用知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)分享,在線課程、研討會(huì)視頻集錦。

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動(dòng)態(tài)

  • 發(fā)布了文章 2024-12-12 17:03

    新品 | 3300V,1600A二極管IHV B模塊

    新品3300V,1600A二極管IHVB模塊知名的IHVBIHVB3.3kV單開關(guān)IGBT模塊經(jīng)過了重大改進(jìn),以滿足牽引和工業(yè)應(yīng)用(如中壓傳動(dòng)或HVDC)當(dāng)前和未來(lái)的要求。這是首次擴(kuò)展二極管產(chǎn)品組合,DD1600S33HE4是同類最佳的3.3kV二極管模塊,足以取代原來(lái)2個(gè)雙二極管3.3kV模塊。它采用發(fā)射極可控EmCon4二極管,功率循環(huán)能力更強(qiáng),標(biāo)準(zhǔn)封裝
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  • 發(fā)布了文章 2024-12-11 17:04

    深度 | GaN還是SiC,電氣工程師該如何選擇?

    /編輯推薦/氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來(lái)新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通電阻小,寄生參數(shù)小等。他們也有各自與眾不同的特性:氮化鎵晶體管的極小寄生參數(shù),極快開關(guān)速度使其特別適合高頻應(yīng)用。碳化硅MOSFET的易驅(qū)動(dòng),高可靠等特性使其適合于高性能開關(guān)電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體
  • 發(fā)布了文章 2024-12-11 01:03

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(八)——利用瞬態(tài)熱阻計(jì)算二極管浪涌電流

    /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。上一篇講了兩種熱等效電路模型,Cauer模型和Foster模型,這一篇以二極管的浪涌電流為例,講
  • 發(fā)布了文章 2024-12-10 01:00

    英飛凌推出新型EiceDRIVER™ Power全橋變壓器驅(qū)動(dòng)器系列,適用于結(jié)構(gòu)緊湊、經(jīng)濟(jì)高效的柵極驅(qū)動(dòng)器電源

    英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出適用于IGBT、SiC和GaN柵極驅(qū)動(dòng)器電源的EiceDRIVERPower2EP1xxR全橋變壓器驅(qū)動(dòng)器系列。2EP1xxR系列擴(kuò)大了英飛凌功率器件產(chǎn)品陣容,為設(shè)計(jì)人員提供了隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器電源解決方案。該系列半導(dǎo)體器件可以幫助實(shí)現(xiàn)非對(duì)稱輸出電壓,以經(jīng)濟(jì)高效、節(jié)省空間的方式為隔離式柵極
  • 發(fā)布了文章 2024-12-07 01:05

    新品 | 電動(dòng)汽車充電直流-直流變換器次級(jí)用Easy模塊

    新品電動(dòng)汽車充電直流——直流變換器次級(jí)用Easy模塊DDB2U60N07W1RF_B58和DDB2U60N12W3RF_C39EasyPACK封裝圖DDB2U60N12W3RF_C39EasyBRIDGE為1200V、60A整流模塊,采用溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)IGBT7和CoolSiC肖特基二極管G51200V芯片,帶NTC和PressFIT壓接針腳技術(shù)。DDB2
  • 發(fā)布了文章 2024-12-06 01:02

    英飛凌全新一代氮化鎵產(chǎn)品重磅發(fā)布,電壓覆蓋700V!

    作為第三代半導(dǎo)體材料的代表者,氮化鎵(GaN)憑借其優(yōu)異的電氣性能、高熱導(dǎo)率、電子飽和率和耐輻射性等特性,引領(lǐng)了全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)革新,隨著氮化鎵技術(shù)的不斷成熟和應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展,其市場(chǎng)規(guī)模正呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。英飛凌長(zhǎng)期深耕氮化鎵領(lǐng)域,再次推動(dòng)了氮化鎵革命,率先成功開發(fā)出了全球首個(gè)300mm氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù),是全球首家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的
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  • 發(fā)布了文章 2024-12-04 01:04

    新品 | Easy2B Easy3B 1200V IGBT7 H7高速芯片的T型三電平模塊的先導(dǎo)產(chǎn)品

    新品Easy2BEasy3B1200VIGBT7H7高速芯片的T型三電平模塊的先導(dǎo)產(chǎn)品EasyPACK封裝圖采用最新一代TRENCHSTOPIGBTH7芯片的FS3L40R12W2H7P_B11和F3L500R12W3H7_H11擴(kuò)展了Easy系列在1000VDC系統(tǒng)中產(chǎn)品組合,可以實(shí)現(xiàn)高開關(guān)頻率應(yīng)用。FS3L40R12W2H7P_B11EasyPACK2B
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  • 發(fā)布了文章 2024-12-03 01:03

    功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(七)——熱等效模型

    /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。有了熱阻熱容的概念,自然就會(huì)想到在導(dǎo)熱材料串并聯(lián)時(shí),就可以用阻容網(wǎng)絡(luò)來(lái)描述。一個(gè)帶銅基板的
  • 發(fā)布了文章 2024-11-29 01:03

    新品 | 第二代 CoolSiC™ 34mΩ 1200V SiC MOSFET D²PAK-7L封裝

    新品第二代CoolSiC34mΩ1200VSiCMOSFETD2PAK-7L封裝采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代CoolSiCG21200VMOSFET系列以第一代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為基礎(chǔ),加快了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的成本優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)高效率、緊湊設(shè)計(jì)和可靠性。第二代產(chǎn)品在硬開關(guān)工況和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵性能指標(biāo)上都有顯著改進(jìn),適用于所有常見的交流-直流、直流-直流
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  • 發(fā)布了文章 2024-11-28 01:00

    英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件

    英飛凌近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN650VG5晶體管,該系列進(jìn)一步豐富了英飛凌氮化鎵(GaN)產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛,包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數(shù)據(jù)中心、電信整流器等消費(fèi)和工業(yè)開關(guān)電源(SMPS)、可再生能源,以及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。CoolGaN650VG5晶體管最新一代CoolGaN晶體管可直接替代Co

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