0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

碳化硅SiC在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)

科技綠洲 ? 來源:網(wǎng)絡整理 ? 作者:網(wǎng)絡整理 ? 2024-11-25 16:37 ? 次閱讀

碳化硅(SiC)在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)非常出色,這得益于其獨特的物理和化學性質(zhì)。以下是對碳化硅在高溫環(huán)境下表現(xiàn)的分析:

一、高溫穩(wěn)定性

碳化硅具有極高的熔點,其熔點遠高于硅等傳統(tǒng)半導體材料。因此,在高溫環(huán)境下,碳化硅能夠保持穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)和性能,不易發(fā)生性能衰退或結(jié)構(gòu)破壞。這使得碳化硅在高溫工藝制造、航空航天等領域中具有顯著優(yōu)勢。

二、高溫強度

碳化硅在高溫下仍能保持較高的強度。例如,在1600℃時,碳化硅的抗拉強度仍然可以達到80MPa以上。這種高溫強度使得碳化硅能夠承受高溫環(huán)境下的機械應力和熱應力,從而保證了其在高溫條件下的穩(wěn)定性和可靠性。

三、耐氧化性能

碳化硅在高溫下具有良好的耐氧化性能。在高溫氧化環(huán)境中,碳化硅表面會形成一層致密的二氧化硅(SiO2)保護膜,這層保護膜能夠阻止氧氣的進一步侵入,從而保護碳化硅材料不被氧化。然而,需要注意的是,當氧化溫度超過一定限度(如1473K以上)時,二氧化硅保護膜可能會轉(zhuǎn)化為方石英,導致保護膜結(jié)構(gòu)破壞,產(chǎn)生裂紋,進而影響碳化硅材料的壽命。因此,在實際應用中,需要綜合考慮碳化硅材料的抗氧化性能和工作環(huán)境溫度。

四、抗熱沖擊性能

碳化硅具有優(yōu)異的抗熱沖擊性能。在高溫環(huán)境下,碳化硅能夠承受急劇的溫度變化而不發(fā)生破壞。這種抗熱沖擊性能使得碳化硅在高溫工藝制造、熱交換器等領域中具有廣泛的應用前景。

五、高熱導率

碳化硅具有高熱導率,這使得它在高溫環(huán)境下能夠有效地傳遞熱量。高熱導率有助于降低碳化硅器件在工作過程中的溫度,從而提高器件的穩(wěn)定性和可靠性。此外,高熱導率還有助于提高碳化硅材料的熱均勻性,減少熱應力對材料的影響。

六、化學穩(wěn)定性

碳化硅在高溫下仍能保持良好的化學穩(wěn)定性。它能夠抵抗多種化學物質(zhì)的侵蝕,包括大多數(shù)酸堿溶液。這種化學穩(wěn)定性使得碳化硅在高溫化學環(huán)境中具有廣泛的應用前景,如化工、石油等行業(yè)。

七、應用領域

由于碳化硅在高溫環(huán)境下的優(yōu)異表現(xiàn),它已被廣泛應用于多個領域。例如:

  • 在鋼鐵及有色冶煉行業(yè)中,碳化硅被用作高爐風口、內(nèi)壁及陶瓷杯、各種爐壁的內(nèi)襯材料及窯具材料等關鍵部位的材料。
  • 在航空航天領域中,碳化硅被用于制造高溫結(jié)構(gòu)件和熱防護系統(tǒng)。
  • 電力電子行業(yè)中,碳化硅被用于制造高功率、高頻率的半導體器件。

綜上所述,碳化硅在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)非常出色,具有高溫穩(wěn)定性、高強度、耐氧化性能、抗熱沖擊性能、高熱導率和化學穩(wěn)定性等優(yōu)異特性。這些特性使得碳化硅在高溫工藝制造、航空航天、電力電子等領域中具有廣泛的應用前景。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體材料
    +關注

    關注

    11

    文章

    537

    瀏覽量

    29568
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    29

    文章

    2814

    瀏覽量

    62638
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    2762

    瀏覽量

    49053
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展

    碳化硅SiC半導體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展呈現(xiàn)出蓬勃的態(tài)勢,其獨特的物理和化學性質(zhì)使其成為新一代高性能半導體材料的佼佼者。以下是對碳化硅半導體產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:30 ?355次閱讀

    碳化硅SiC光電器件中的使用

    。 高熱導率 :SiC的熱導率是Si的三倍以上,有助于器件的散熱。 高電子飽和速度 :SiC的電子飽和速度高于Si,適合于高速電子器件。 化學穩(wěn)定性 :SiC
    的頭像 發(fā)表于 11-25 18:10 ?481次閱讀

    碳化硅SiC電動車中的應用

    碳化硅SiC電動車中的應用主要集中電力電子系統(tǒng)方面,以下是對其電動車中具體應用的分析: 一、電動車充電設備
    的頭像 發(fā)表于 11-25 17:32 ?450次閱讀

    碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅SiC與傳統(tǒng)半導體對比

    的硅砂和碳素材料(例如石油焦)作為主要原料。 這些原料通過精細磨粉、混合和成型步驟,制備成合適的反應物。 高溫熱處理 將原料置于高溫爐中進行熱處理。熱處理溫度一般2000°C以上,這個高溫
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:32 ?1234次閱讀

    碳化硅SiC電子器件中的應用

    隨著科技的不斷進步,電子器件的性能要求也日益提高。傳統(tǒng)的硅(Si)材料某些應用中已經(jīng)接近其物理極限,尤其是高溫、高壓和高頻領域。碳化硅SiC
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:30 ?609次閱讀

    碳化硅SiC材料應用 碳化硅SiC的優(yōu)勢與性能

    碳化硅SiC材料應用 1. 半導體領域 碳化硅是制造高性能半導體器件的理想材料,尤其是高頻、高溫、高壓和高功率的應用中。
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:28 ?590次閱讀

    碳化硅功率器件的工作原理和應用

    碳化硅SiC)功率器件近年來電力電子領域取得了顯著的關注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨特的優(yōu)點,使其高效能、
    的頭像 發(fā)表于 09-13 11:00 ?579次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的工作原理和應用

    碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢

    碳化硅SiC)功率器件是一種基于碳化硅半導體材料的電力電子器件,近年來功率電子領域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅(Si)功率器件相比,碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:25 ?562次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件有哪些優(yōu)勢

    英國公司Clas-SiC考慮印度建設碳化硅工廠

    總部位于英國蘇格蘭的碳化硅SiC)晶圓制造公司Clas-SiC,正積極尋求與多家企業(yè)合作,印度建立一座或多座碳化硅功率半導體晶圓廠。這一
    的頭像 發(fā)表于 06-13 09:44 ?678次閱讀

    碳化硅模塊(SiC模塊/MODULE)大電流下的驅(qū)動器研究

    由于碳化硅SiC)MOSFET具有高頻、低損耗、高耐溫特性,提升新能源汽車逆變器效率和功率密度方面具有巨大優(yōu)勢。對于SiC MOSFET功率模塊,研究大電流下的短路保護問題、高開關
    發(fā)表于 05-14 09:57

    碳化硅功率器件的應用優(yōu)勢

    碳化硅具有比硅更高的熱導率、更寬的能帶寬度和更高的電子飽和漂移速度。這些特性使得SiC功率器件高溫、高頻以及高電壓應用中表現(xiàn)優(yōu)異。
    發(fā)表于 04-09 12:24 ?319次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的應用優(yōu)勢

    SIC 碳化硅認識

    1:什么是碳化硅 碳化硅SiC)又叫金剛砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成,其實碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了,它
    的頭像 發(fā)表于 04-01 10:09 ?1032次閱讀
    <b class='flag-5'>SIC</b> <b class='flag-5'>碳化硅</b>認識

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻,然后特定的大氣和環(huán)境條件下在
    發(fā)表于 03-08 08:37

    碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應用

    碳化硅SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點,因此高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:26 ?2877次閱讀