三星電子計(jì)劃在韓國(guó)天安市新建一座半導(dǎo)體封裝工廠,以擴(kuò)大HBM內(nèi)存等產(chǎn)品的后端產(chǎn)能。該工廠將依托現(xiàn)有封裝設(shè)施,進(jìn)一步提升三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域的生產(chǎn)能力。
據(jù)悉,三星電子將以租賃形式獲得三星顯示位于天安市的一幢大樓使用權(quán),用于新建封裝工廠。在三年內(nèi),三星電子將陸續(xù)為該建筑導(dǎo)入生產(chǎn)HBM等所需的高端半導(dǎo)體后端加工設(shè)備,以確保新工廠能夠順利投產(chǎn)。
此次擴(kuò)建計(jì)劃不僅有助于三星電子提升HBM內(nèi)存的產(chǎn)能,還將進(jìn)一步鞏固其在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。未來(lái),三星電子將繼續(xù)加大在半導(dǎo)體領(lǐng)域的投資力度,推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級(jí)。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
相關(guān)推薦
,內(nèi)部封裝工藝的重要性正在上升。為此,三星正集中力量提升封裝能力,以保持技術(shù)領(lǐng)先并縮小與 SK Hynix 的差距。 業(yè)內(nèi)人士消息稱(chēng)三星電子
發(fā)表于 11-25 15:28
?185次閱讀
近日,英偉達(dá)公司正在積極推進(jìn)對(duì)三星AI內(nèi)存芯片的認(rèn)證工作。據(jù)英偉達(dá)CEO透露,他們正在不遺余力地加速這一進(jìn)程,旨在盡快將三星的內(nèi)存解決方案融入其產(chǎn)品中。 此次認(rèn)證工作的焦點(diǎn)在于
發(fā)表于 11-25 14:34
?249次閱讀
三星電子公司近日宣布了一項(xiàng)重大投資決策,計(jì)劃擴(kuò)建其位于韓國(guó)忠清南道的半導(dǎo)體封裝設(shè)施,以提高高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)的產(chǎn)量。這一舉措標(biāo)志著
發(fā)表于 11-13 14:14
?314次閱讀
近日,三星電子計(jì)劃在韓國(guó)忠清南道天安市的現(xiàn)有封裝設(shè)施基礎(chǔ)上,再建一座半導(dǎo)體封裝工廠,專(zhuān)注于HBM
發(fā)表于 11-13 11:36
?527次閱讀
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,三星電子已對(duì)其2025年底的高帶寬內(nèi)存(HBM)最大產(chǎn)能目標(biāo)進(jìn)行了調(diào)整,下調(diào)幅度超過(guò)10%,從原先計(jì)劃的每月20萬(wàn)顆減至17
發(fā)表于 10-14 16:00
?402次閱讀
近日,三星電子因向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E內(nèi)存的延遲,對(duì)其HBM內(nèi)存的產(chǎn)能規(guī)劃進(jìn)行了調(diào)整。據(jù)韓媒報(bào)道
發(fā)表于 10-11 17:37
?574次閱讀
進(jìn)入八月,市場(chǎng)傳言四起,韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭三星電子(簡(jiǎn)稱(chēng)“三星”)的8層HBM3E內(nèi)存(新一代高帶寬內(nèi)存
發(fā)表于 08-23 15:02
?710次閱讀
據(jù)韓國(guó)媒體最新報(bào)道,三星電子已正式確認(rèn)在平澤P4工廠投資建設(shè)先進(jìn)的1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線(xiàn),并預(yù)計(jì)該
發(fā)表于 08-13 14:29
?522次閱讀
在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,三星電子再次展現(xiàn)了其作為行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的前瞻視野與戰(zhàn)略布局。據(jù)韓國(guó)媒體最新報(bào)道,三星電子已正式啟動(dòng)了組織重組計(jì)劃,旨
發(fā)表于 07-08 11:54
?456次閱讀
近日,據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商三星即將在今年推出其高帶寬內(nèi)存(HBM)的3D封裝服務(wù)。這一重大舉措是三星在2024年
發(fā)表于 06-19 14:35
?973次閱讀
英偉達(dá)公司CEO黃仁勛近日就有關(guān)三星HBM(高帶寬內(nèi)存)的傳聞進(jìn)行了澄清。他明確表示,英偉達(dá)仍在認(rèn)證三星提供的HBM
發(fā)表于 06-06 10:06
?567次閱讀
慶桂顯此行主要推廣三星的HBM內(nèi)存,并探索AI合作可能性。然而,由于此前在HBM策略上出現(xiàn)失誤,三星已被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士超越;位于第
發(fā)表于 04-16 16:46
?612次閱讀
提及此前有人預(yù)測(cè)英偉達(dá)可能向三星購(gòu)買(mǎi)HBM3或HBM3E等內(nèi)存,黃仁勛在會(huì)上直接認(rèn)可三星實(shí)力,稱(chēng)其為“極具價(jià)值的公司”。他透露目前已對(duì)
發(fā)表于 03-20 16:17
?843次閱讀
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)據(jù)報(bào)道,三星電子在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域再次邁出重要步伐,計(jì)劃增加“MUF”芯片制造技術(shù),用于生產(chǎn)HBM(高帶寬
發(fā)表于 03-14 00:17
?3960次閱讀
三星電子近日宣布,公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實(shí)現(xiàn)了顯著的提升,這也意味著
發(fā)表于 03-08 10:10
?695次閱讀
評(píng)論