美光推LPDDR5X內(nèi)存，助提升手機電池續(xù)航

據(jù)4月15日報道，美光在最新博文中透露，全新一代9.6Gbps（9600MHz）LPDDR5X內(nèi)存樣品已經(jīng)交付給移動設備制造商。相較前代產(chǎn)品，此款新品功耗降低4%。

美光強調(diào)，此新型內(nèi)存不僅可以滿足AI密集型應用對高帶寬的需求，還大幅提升了能效。

參考IT之家早先報道，美光首批9.6GbpsLPDDR5X內(nèi)存于去年10月面世，最大容量16GB，適配高通驍龍8Gen3平臺;SK海力士亦在2023年推出同速LPDDR5T內(nèi)存。

據(jù)Statista2023年調(diào)查報告指出，71%的受訪者表示下一次購機將優(yōu)先考慮“電池續(xù)航”，遠超選擇“耐用性”（61%）及“相機質(zhì)量”（48%）的比例。

這表明電池續(xù)航能力仍然是消費者關注的焦點，也是手機制造商亟待改善的重要環(huán)節(jié)。而作為手機整體的組成部分，節(jié)能型內(nèi)存系統(tǒng)有助于延長用戶使用時間。

美光新版9.6GbpsLPDDR5X內(nèi)存依然基于未引入EUV光刻的1β（1-beta）節(jié)點，采用第二代HKMG技術與改良JEDECeDVFSC技術，以實現(xiàn)更強的功耗控制與電源效率提升。