三星電子采用大規(guī)?；亓髂Ｖ频撞刻畛浼夹g(shù)嗎？
據(jù)報道，隨著人工智能浪潮引發(fā)對高性能半導(dǎo)體的巨量需求，三星電子計劃引進SK海力士的大規(guī)模回流模制底部填充（MR-MUF）技術(shù)。但此消息被三星否認(rèn)，其聲明顯示“從未考慮在半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中運用此技術(shù)”。
盡管面對AI熱潮及HBM需求的飆升，三星電子仍未與英偉達達成HBM芯片供應(yīng)協(xié)議。分析指出，其堅持使用熱壓非導(dǎo)電薄膜（TC NCF）制程，可能導(dǎo)致產(chǎn)能問題。對比之下，SK海力士已將問題歸結(jié)于NCF，轉(zhuǎn)而采用MR-MUF向英偉達提供HBM3解決方案。
多位業(yè)內(nèi)分析者透露，三星HBM3芯片生產(chǎn)良率僅有約10%至20%，而SK海力士則高達60%至70%。此外，三星還在積極與日本名古屋電解研等企業(yè)商討MUF材料供應(yīng)事宜。
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