0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

三星電子擬升級(jí)工藝,引入模塑底部填膠提升封裝工藝

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-02-20 16:22 ? 次閱讀

據(jù)韓國媒體ETNews透露,三星電子正在研究將非導(dǎo)電膠(NCF)更換為模塑底部填膠(MUF),以提升公司的封裝技術(shù)水平。

此前,三星一直利用非導(dǎo)電膠來完成半導(dǎo)體間的垂直連接。盡管NCF能有效避免芯片變形,但其難度較大且生產(chǎn)率低下的缺點(diǎn)使其未受到廣泛認(rèn)同。

據(jù)報(bào)道,三星電子擬在硅通孔(through-silicon electrode,TVS)的制造過程中引用MUF材料。TVS可以在晶圓或裸晶表面鉆出許多微小的孔洞,提供垂直連接通道。而MUF則可以填充這些孔洞,減小半導(dǎo)體間的空隙,從而讓各種垂直堆疊的半導(dǎo)體更加穩(wěn)定。

據(jù)悉,三星已從日本引進(jìn)相關(guān)設(shè)備,以推進(jìn)MUF的應(yīng)用。此外,SK海力士也在第三代HBM(HBM2E)之后改用MUF,尤其是針對(duì)MR-MUF進(jìn)行了調(diào)整。

業(yè)內(nèi)人士評(píng)價(jià)說:“相較于NCF,MR-MUF具有更高的導(dǎo)熱性能,對(duì)工藝速度及良品率均有顯著改善。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 三星電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    34

    文章

    15863

    瀏覽量

    181019
  • TVS
    TVS
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    786

    瀏覽量

    60616
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    52

    文章

    4912

    瀏覽量

    127998
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    功率模塊封裝工藝

    功率模塊封裝工藝 典型的功率模塊封裝工藝在市場(chǎng)上主要分為種形式,每種形式都有其獨(dú)特的特點(diǎn)和適用場(chǎng)景。以下是這封裝工藝的詳細(xì)概述及分點(diǎn)說
    的頭像 發(fā)表于 12-06 10:12 ?381次閱讀
    功率模塊<b class='flag-5'>封裝工藝</b>

    功率模塊封裝工藝有哪些

    本文介紹了有哪些功率模塊封裝工藝。 功率模塊封裝工藝 典型的功率模塊封裝工藝在市場(chǎng)上主要分為種形式,每種形式都有其獨(dú)特的特點(diǎn)和適用場(chǎng)景。以下是這
    的頭像 發(fā)表于 12-02 10:38 ?305次閱讀
    功率模塊<b class='flag-5'>封裝工藝</b>有哪些

    芯片封裝工藝詳細(xì)講解

    芯片封裝工藝詳細(xì)講解
    發(fā)表于 11-29 14:02 ?1次下載

    三星電子計(jì)劃新建封裝工廠,擴(kuò)產(chǎn)HBM內(nèi)存

    三星電子計(jì)劃在韓國天安市新建一座半導(dǎo)體封裝工廠,以擴(kuò)大HBM內(nèi)存等產(chǎn)品的后端產(chǎn)能。該工廠將依托現(xiàn)有封裝設(shè)施,進(jìn)一步提升
    的頭像 發(fā)表于 11-14 16:44 ?473次閱讀

    三星電子:18FDS將成為物聯(lián)網(wǎng)和MCU領(lǐng)域的重要工藝

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)今年上半年,三星在FD-SOI工藝上面再進(jìn)一步。3月份,意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)宣布與三星聯(lián)合推出18nm FD-SOI
    發(fā)表于 10-23 11:53 ?293次閱讀
    <b class='flag-5'>三星</b><b class='flag-5'>電子</b>:18FDS將成為物聯(lián)網(wǎng)和MCU領(lǐng)域的重要<b class='flag-5'>工藝</b>

    芯片封裝underfill底部填充點(diǎn)工藝基本操作流程

    的脫落。在烘烤工藝中,參數(shù)制定的依據(jù)PCBA重量的變化,具體可以咨詢漢思新材料。二、預(yù)熱對(duì)主板進(jìn)行預(yù)熱,可以提高Underfill底部填充的流動(dòng)性。要注意的是——
    的頭像 發(fā)表于 08-30 13:05 ?47次閱讀
    芯片<b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>膠</b>underfill<b class='flag-5'>底部</b>填充<b class='flag-5'>膠</b>點(diǎn)<b class='flag-5'>膠</b><b class='flag-5'>工藝</b>基本操作流程

    芯片底部填充工藝流程有哪些?

    芯片底部填充工藝流程有哪些?底部填充工藝(Underfill)是一種在電子封裝過程中廣泛使用的技
    的頭像 發(fā)表于 08-09 08:36 ?1732次閱讀
    芯片<b class='flag-5'>底部</b>填充<b class='flag-5'>工藝</b>流程有哪些?

    詳解點(diǎn)工藝用途和具體要求?

    電子產(chǎn)品芯片的微型化正變得越來越受歡迎。但是微型化帶來了焊點(diǎn)可靠性問題。元件和基板使用錫膏進(jìn)行焊接,但是由于體積太小使得焊點(diǎn)更容易受到應(yīng)力影響而出現(xiàn)脫落問題。因此引入底部填充工藝。該
    的頭像 發(fā)表于 07-10 13:38 ?859次閱讀
    詳解點(diǎn)<b class='flag-5'>膠</b><b class='flag-5'>工藝</b>用途和具體要求?

    mos封裝工藝是什么,MOS管封裝類型

    MOS封裝工藝是指將制造好的MOS管芯片通過一系列步驟封裝到外殼中的過程。以下是MOS封裝工藝的詳細(xì)步驟和相關(guān)信息:
    的頭像 發(fā)表于 06-09 17:07 ?1587次閱讀

    受困于良率?三星否認(rèn)HBM芯片生產(chǎn)采用MR-MUF工藝

    芯片生產(chǎn)中應(yīng)用MR-MUF(批量回流模制底部填充)技術(shù)的傳言并不屬實(shí)。 ? 三星在HBM生產(chǎn)中目前主要采用非導(dǎo)電薄膜(NCF)技術(shù),而非SK海力士使用的批量回流模制底部填充(MR-MUF)封裝
    的頭像 發(fā)表于 03-14 00:17 ?3962次閱讀
    受困于良率?<b class='flag-5'>三星</b>否認(rèn)HBM芯片生產(chǎn)采用MR-MUF<b class='flag-5'>工藝</b>

    三星效仿SK海力士,采用競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手主導(dǎo)的芯片封裝工藝

    就此,知情人士指出,三星此舉體現(xiàn)出該公司提升HBM良率的決心。對(duì)此,一家行業(yè)分析機(jī)構(gòu)表示,考慮到AI行業(yè)對(duì)HBM3及HBM3E芯片需求日益增長,三星有必要作出調(diào)整。
    的頭像 發(fā)表于 03-13 13:35 ?515次閱讀

    金屬陶瓷黏劑封裝工藝及可靠性研究

    共讀好書 王強(qiáng)翔 李文濤 苗國策 吳思宇 (南京國博電子股份有限公司) 摘要: 本文重點(diǎn)研究了金屬陶瓷功率管黏劑封裝工藝黏劑的固化溫度、時(shí)間、壓力等主要
    的頭像 發(fā)表于 03-05 08:40 ?521次閱讀
    金屬陶瓷<b class='flag-5'>膠</b>黏劑<b class='flag-5'>封裝工藝</b>及可靠性研究

    半導(dǎo)體封裝工藝面臨的挑戰(zhàn)

    半導(dǎo)體工藝主要是應(yīng)用微細(xì)加工技術(shù)、膜技術(shù),把芯片及其他要素在各個(gè)區(qū)域中充分連接,如:基板、框架等區(qū)域中,有利于引出接線端子,通過可塑性絕緣介質(zhì)后灌封固定,使其形成一個(gè)整體,以立體結(jié)構(gòu)方式呈現(xiàn),最終形成半導(dǎo)體封裝工藝。
    發(fā)表于 03-01 10:30 ?829次閱讀
    半導(dǎo)體<b class='flag-5'>封裝工藝</b>面臨的挑戰(zhàn)

    半導(dǎo)體封裝工藝的研究分析

    控,能采用精細(xì)化管理模式,在細(xì)節(jié)上規(guī)避常規(guī)問題發(fā)生;再從新時(shí)代發(fā)展背景下提出半導(dǎo)體封裝工藝面臨的挑戰(zhàn),建議把工作重心放在半導(dǎo)體封裝工藝質(zhì)量控制方面,要對(duì)其要點(diǎn)內(nèi)容全面掌握,才可有效提升半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 02-25 11:58 ?1034次閱讀
    半導(dǎo)體<b class='flag-5'>封裝工藝</b>的研究分析

    LGA和BGA封裝工藝分析

    LGA和BGA是兩種常見的封裝工藝,它們?cè)诩呻娐?b class='flag-5'>封裝中起著重要的作用。
    的頭像 發(fā)表于 01-24 18:10 ?3204次閱讀