三星電子硅谷實驗室啟動3D DRAM研究，布局下一代芯片技術(shù)

三星電子已在美國硅谷設(shè)立R&D實驗室，專精于研發(fā)下一代3D DRAM芯片。

此實驗室隸屬硅谷Device Solutions America（DSA）旗下，負(fù)責(zé)管理韓國科技巨頭在美的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，并助推新世代DRAM產(chǎn)品研發(fā)。憑借去年九月發(fā)布業(yè)界容量最大的32 Gb DDR5 DRAM芯片，運用12nm制程生產(chǎn)，預(yù)計產(chǎn)出容量高達1 TB的內(nèi)存產(chǎn)品，為三星穩(wěn)固DRAM技術(shù)的市場領(lǐng)先地位。

值得強調(diào)的是，Gb是DRAM存儲密度單位，非GB；常見的內(nèi)存卡容量通常為8GB至32GB，而服務(wù)器級內(nèi)存亦有128GB，均由不同數(shù)量DRAM構(gòu)成。如美光官網(wǎng)所示，DDR5 SDRAM產(chǎn)品為16Gb和24Gb兩種規(guī)格，三星官網(wǎng)上線的則全數(shù)為16Gb規(guī)格，SK Hynix主營之品同樣為16Gb。

受早前全球首次市場化的3D垂直結(jié)構(gòu)NAND（3D V-NAND）的成功案例啟發(fā)，三星電子致力于主導(dǎo)DRAM 3D垂直結(jié)構(gòu)研發(fā)。去年十月，“內(nèi)存技術(shù)日”活動期間，三星公布將在下次10納米或以下的DRAM中導(dǎo)入新型3D架構(gòu)，而非沿用2D平面結(jié)構(gòu)，以突破3D垂直結(jié)構(gòu)在縮小芯片體積同時提升性能的難度，預(yù)期一片芯片的容量增至逾百G。

此外，據(jù)述，三星去年在日本VLSI研討會上分享了關(guān)于3D DRAM研究成果論文，并揭示了3D DRAM的實際半導(dǎo)體呈現(xiàn)效果圖。

分析師預(yù)測，未來數(shù)年間，隨著3D DRAM市場的高速增長，至2028年時該市場規(guī)模將大大超過千億美元。在此領(lǐng)域，包括三星在內(nèi)的各大內(nèi)存芯片制造商正展開激烈競爭，力求引領(lǐng)市場新潮流。