三星積極研發(fā)LLW DRAM內(nèi)存,劍指蘋果下一代XR設(shè)備市場

近日，韓媒ZDNet Korea報道，三星電子正全力投入到低延遲寬I/O（LLW DRAM）內(nèi)存的研發(fā)中，旨在為未來蘋果Vision Pro之后的下一代頭戴式顯示器（XR設(shè)備）訂單做好充分準(zhǔn)備。這一舉措標(biāo)志著三星在高端智能設(shè)備內(nèi)存領(lǐng)域的雄心壯志，以及其對市場格局重塑的堅定決心。

LLW DRAM，全稱為Low Latency Wide I/O DRAM，是一種專為高性能需求設(shè)計的特殊內(nèi)存。其最顯著的特點在于擁有數(shù)量眾多的I/O引腳，從而實現(xiàn)了高帶寬、低延遲和低功耗的完美結(jié)合。三星電子宣稱，其LLW DRAM內(nèi)存產(chǎn)品能夠達到驚人的128GB/s帶寬，同時保持極低的能耗，僅為1.2pJ/bit。這一技術(shù)突破不僅將顯著提升設(shè)備的響應(yīng)速度和整體效率，還將為用戶帶來前所未有的流暢體驗。

值得注意的是，目前蘋果Vision Pro頭顯上的關(guān)鍵內(nèi)存組件正是由SK海力士獨家供應(yīng)的LLW DRAM內(nèi)存。這款內(nèi)存單顆容量達到1GB，I/O引腳數(shù)量更是傳統(tǒng)內(nèi)存的八倍，以LPDDR5內(nèi)存的64bit為基礎(chǔ)，其位寬可達512bit，提供了高達256GB/s的帶寬。然而，盡管SK海力士已經(jīng)在這一領(lǐng)域占據(jù)先機，但三星電子并未放棄競爭，反而加快了LLW DRAM內(nèi)存技術(shù)的研發(fā)步伐，目前正處于小規(guī)模生產(chǎn)階段，目標(biāo)直指從SK海力士手中奪取市場份額。

據(jù)悉，三星與蘋果之間在LLW DRAM供應(yīng)問題上早有接觸。早在2022年，雙方就曾就這一問題進行過深入洽談，但最終SK海力士贏得了這份訂單。然而，這并未阻止三星繼續(xù)推進LLW DRAM內(nèi)存技術(shù)的研發(fā)。相反，三星正利用其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚積累和技術(shù)優(yōu)勢，不斷縮小與SK海力士的差距，并致力于在未來市場中占據(jù)更有利的位置。

對于消費者而言，LLW DRAM內(nèi)存的引入無疑將帶來更加出色的產(chǎn)品體驗。無論是圖形密集型應(yīng)用還是日常任務(wù)處理，這款新型內(nèi)存都將顯著提升設(shè)備的響應(yīng)速度和多任務(wù)處理能力。此外，隨著XR設(shè)備的普及和應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展，LLW DRAM內(nèi)存技術(shù)還將在AI邊緣計算、智能手機、筆記本電腦和汽車等多個領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

綜上所述，三星電子正積極研發(fā)LLW DRAM內(nèi)存技術(shù)，旨在為未來蘋果下一代XR設(shè)備訂單做好準(zhǔn)備。這一舉措不僅展現(xiàn)了三星在高端智能設(shè)備內(nèi)存領(lǐng)域的強大實力和技術(shù)優(yōu)勢，也預(yù)示著智能設(shè)備市場即將迎來一場技術(shù)革新風(fēng)暴。對于消費者而言，這無疑是一個令人期待的好消息。