傳感器新增9處管控，第四代半導(dǎo)體被加入制裁！這42個(gè)國(guó)家加強(qiáng)對(duì)中國(guó)技術(shù)封鎖！

近日，瓦森納協(xié)定全體會(huì)議在維也納舉行，共計(jì)42個(gè)成員國(guó)參加，包括美國(guó)等西方國(guó)家及俄羅斯、印度、以色列多國(guó)，會(huì)后發(fā)布了2023年度最新版《瓦森納協(xié)定》（亦稱(chēng)瓦森納協(xié)議，Wassenaar Arrangement）。

《瓦森納協(xié)定》是美國(guó)等西方國(guó)家對(duì)中國(guó)實(shí)現(xiàn)高科技技術(shù)封鎖的基礎(chǔ)，想必大家都有耳聞。瓦森納協(xié)定全體會(huì)議每年至少召開(kāi)一次全會(huì)，由各成員國(guó)逐年輪流擔(dān)任會(huì)議主席，主要旨在各國(guó)協(xié)商一致，并對(duì)《瓦森納協(xié)定》根據(jù)科技的發(fā)展及需求進(jìn)行更新。

2023年最新版《瓦森納協(xié)定》中，傳感器及激光器（Sensors and "Lasers"）條目新增了9處修訂，是各條目中修訂次數(shù)最多，傳感器技術(shù)亦是被封禁最多的技術(shù)大類(lèi)。

電子(Electronics)條目新增7處修改，是修訂次數(shù)第二多的技術(shù)大類(lèi)，許多關(guān)鍵半導(dǎo)體技術(shù)歸類(lèi)在電子條目中，尤其值得注意的是，新增了對(duì)第四代半導(dǎo)體制造設(shè)備的制裁。詳情見(jiàn)下文。

《瓦森納協(xié)定》年度更新！傳感器條目新增9處修訂，改動(dòng)最多！第四代半導(dǎo)體關(guān)鍵材料設(shè)備被新加入制裁！ 12月1日，2023年最新版《瓦森納協(xié)定》公布，涵蓋了9大類(lèi)技術(shù)： 第1類(lèi)“特殊材料與相關(guān)設(shè)備”共計(jì)21頁(yè)，第2類(lèi)“材料加工”共計(jì)25頁(yè)，第3類(lèi)“電子”共計(jì)28頁(yè)，第4類(lèi)“計(jì)算機(jī)”共計(jì)6頁(yè)，第5類(lèi)“電信和信息安全”共計(jì)23頁(yè)，第6類(lèi)“傳感器與激光器”共計(jì)40頁(yè)，第7類(lèi)“導(dǎo)航與航空電子”共計(jì)9頁(yè)，第8類(lèi)“船舶”共計(jì)7頁(yè)，第9類(lèi)“航空與推進(jìn)設(shè)備”共計(jì)13頁(yè)。 從類(lèi)目頁(yè)數(shù)上來(lái)看，傳感器與激光器（Sensors and “Lasers”）仍然是被禁技術(shù)種類(lèi)最多的類(lèi)目，多達(dá)40頁(yè)。 半導(dǎo)體技術(shù)主要包含在“電子Electronics”大類(lèi)中，包含了系統(tǒng)、設(shè)備和組件、測(cè)試、檢查和生產(chǎn)設(shè)備、材料、軟件和技術(shù)等多個(gè)環(huán)節(jié)，囊括了半導(dǎo)體的各個(gè)領(lǐng)域。

▲2023新修改版《瓦森納協(xié)定》目錄 具體技術(shù)條目的修改方面，“傳感器與激光器”是修改最多的條目，有9處修改，“電子”條目有7處修改，是僅次于傳感器條目的第二多修訂技術(shù)大類(lèi)。 其中，“傳感器與激光器”條目新增修改技術(shù)信息如下：

6.A.1.a.1.d. - “水下”替換為“潛水器” - 編輯

6.A.1.a.2.b. - TN 從 6.A.1.a.2.b.2 移至到條目末尾，語(yǔ)言與標(biāo)準(zhǔn)措辭一致 - 編輯

6.A.1.a.2.d.1. - 明確航向傳感器的精確度參數(shù)

6.A.1.b.1.b., 6.A.1.b.2. - 明確聲納記錄設(shè)備的精度參數(shù)

6.A.2.a.2. - 刪除 TN

6.A.3.a.3. - 明確電子條紋照相機(jī)的精度參數(shù)

6.A.5.d.1.e. - 更正 TN 起首部分的參考編號(hào) - 編輯

6.A.5.f.3.a. - 明確光學(xué)設(shè)備的精度參數(shù)

6.C.5.b. - TN 換算成 Note - 編輯

本文編輯注：TN是Technical Note （技術(shù)注釋?zhuān)┑目s寫(xiě)

▲2023新修改版《瓦森納協(xié)定》修訂說(shuō)明 從新修訂信息可見(jiàn)，本次主要進(jìn)行“打補(bǔ)丁”式的修改，主要是通過(guò)對(duì)文字描述的修改及對(duì)技術(shù)參數(shù)的豐富，使制裁協(xié)議更全面細(xì)致，來(lái)避免技術(shù)制裁中的“漏網(wǎng)之魚(yú)”。 條目中的“編輯（editorial）”主要指文字措辭的修改，值得注意的是，重新修訂了航向傳感器、聲吶設(shè)備、條紋照相機(jī)、光學(xué)設(shè)備等4種關(guān)鍵傳感器技術(shù)參數(shù)。 以下是對(duì)本次新修訂的“傳感器與激光器”條目 6.A.3.a.3.電子條紋照相機(jī)條例的一些簡(jiǎn)單翻譯：

6. A. 3. 以下攝像機(jī)、系統(tǒng)或設(shè)備及其組件：

a. 儀表相機(jī)及其專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的組件如下：

注：儀表相機(jī)，按 6.A.3.a.3 規(guī)定。到 6.A.3.a.5.，具有模塊化結(jié)構(gòu)的，應(yīng)根據(jù)其最大能力進(jìn)行評(píng)估，并使用根據(jù)相機(jī)制造商的規(guī)格提供的插件。

1.自2017年起未使用

2.自2017年起未使用

3.時(shí)間分辨率小于（優(yōu)于）50納秒的電子條紋相機(jī)；

4.速度超過(guò)100萬(wàn)幀/秒的電子分幅相機(jī)；

5. 具有以下所有條件的電子相機(jī)：

a.每幀電子快門(mén)速度（選通能力）小于 1 μs；和

b.讀出時(shí)間允許幀速率超過(guò)每秒 125 個(gè)幀；

▲來(lái)源：2023新修改版《瓦森納協(xié)定》 條紋相機(jī)是實(shí)現(xiàn)超快過(guò)程探測(cè)的重要傳感設(shè)備，對(duì)基礎(chǔ)前沿科學(xué)研究和重大原始性創(chuàng)新具有重大意義，在高能量密度物理、激光慣性約束聚變、同步輻射光源、激光雷達(dá)成像、高壓放電、生物醫(yī)學(xué)、光物理、光化學(xué)等研究中發(fā)揮著重要作用，可獲取目標(biāo)的時(shí)間、強(qiáng)度、空間等信息。 可以看到，瓦森納協(xié)定里對(duì)傳感器技術(shù)的應(yīng)用范圍、目的，以及具體參數(shù)等，都有比較明確而嚴(yán)苛的要求。

“電子”條目中，新增7項(xiàng)修改，包含了轉(zhuǎn)換器、諧波混頻器、信號(hào)發(fā)生器、信號(hào)分析儀等設(shè)備的技術(shù)參數(shù)修訂，其中，最值得關(guān)注的是3.B.1.a.2. 條目的修訂說(shuō)明：addition of oxygen to compounds for equipment for epitaxial growth,resulting in the addition of gallium oxide 將氧添加到用于外延生長(zhǎng)設(shè)備的化合物中，從而添加氧化鎵

▲2023新修改版《瓦森納協(xié)定》修訂說(shuō)明 3.B.1.a.2. 條目主要描述了金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積設(shè)備（MOCVD）的技術(shù)管制參數(shù)，是在基板上成長(zhǎng)半導(dǎo)體薄膜的一種關(guān)鍵設(shè)備，此前該條目的技術(shù)參數(shù)中并沒(méi)有包含氧。以下為3.B.1.a.條目描述的簡(jiǎn)單翻譯： 1.設(shè)計(jì)或改造的設(shè)備，用于生產(chǎn)除硅以外的任何材料層，其厚度在75 mm或以上的距離上均勻性小于±2.5%；包括原子層外延（ALE）設(shè)備。 2.金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）反應(yīng)器，設(shè)計(jì)用于具有以下元素中的兩種或多種的材料的化合物半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)：鋁、鎵、銦、砷、磷、銻、氧或氮； 3.使用氣體或固體源的分子束外延生長(zhǎng)設(shè)備（MBE）。

▲來(lái)源：2023新修改版《瓦森納協(xié)定》 氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料，是被國(guó)際普遍關(guān)注并認(rèn)可已開(kāi)啟產(chǎn)業(yè)化的第四代半導(dǎo)體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體相比，氧化鎵的禁帶寬度遠(yuǎn)高于后兩者，從功率半導(dǎo)體特性來(lái)看，與前代半導(dǎo)體材料相比，氧化鎵材料具備更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度與更低的導(dǎo)通電阻，從而能量損耗更低，功率轉(zhuǎn)換效率更高。氧化鎵具有良好的化學(xué)和熱穩(wěn)定性，成本低，制備方法簡(jiǎn)便、便于批量生產(chǎn)，在產(chǎn)業(yè)化方面優(yōu)勢(shì)明顯。 今年3月份，西安郵電大學(xué)新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片，這一成果標(biāo)志著我國(guó)在超寬禁帶半導(dǎo)體研究上取得重要進(jìn)展。

▲來(lái)源：西安郵電大學(xué)官網(wǎng) 瓦森納協(xié)定限制了什么傳感器？ 從全文看，瓦森納協(xié)定里，“sensor”（傳感器）一詞出現(xiàn)的次數(shù)多達(dá)141次，而此前因華為無(wú)芯可用，備受公眾矚目的芯片“Integrated circuit”（集成電路），全文出現(xiàn)次數(shù)為76次，“semiconductor”（半導(dǎo)體）一詞全文出現(xiàn)52次。

傳感器技術(shù)受制裁的范圍之廣，種類(lèi)之多，在瓦森納協(xié)定中的各項(xiàng)管制技術(shù)中，排名前列，無(wú)論是力、聲學(xué)、光學(xué)……幾乎所有的傳感器種類(lèi)在瓦森納協(xié)定中，都能找到被限制的規(guī)定，幾乎沒(méi)有瓦森納協(xié)定沒(méi)有限制的傳感器技術(shù)。 譬如在第2類(lèi)材料加工中，對(duì)磁力軸承系統(tǒng)技術(shù)的限制中，特意列明：

“特別是為此設(shè)計(jì)的如下部件：……3、高溫（450K/177℃以上）的位置傳感器?！?/p>

第7類(lèi)導(dǎo)航與航空電子中，對(duì)慣性測(cè)量單元（IMU）、加速度計(jì)、陀螺儀等傳感器的限制。

瓦森納協(xié)定中，傳感器全文共出現(xiàn)141次，主要對(duì)傳感器的限制列在了第6類(lèi)傳感器與激光器中，主要有聲學(xué)、光學(xué)、激光器、雷達(dá)、重力計(jì)、電磁傳感器……等種類(lèi)。 并且，不止是傳感器本身，只要是其他被禁技術(shù)中需要用到的關(guān)鍵傳感技術(shù)，都一一列明，美國(guó)等西方國(guó)家對(duì)中國(guó)掌握先進(jìn)傳感器技術(shù)的忌憚?dòng)纱丝梢?jiàn)。什么是瓦森納協(xié)定？ 從上文，我們看到了傳感器技術(shù)在瓦森納協(xié)定中的“地位”，那么，什么是瓦森納協(xié)定，對(duì)我們中國(guó)造成了多大麻煩？ 瓦森納協(xié)定的前身是巴黎統(tǒng)籌委員會(huì)（簡(jiǎn)稱(chēng)“巴統(tǒng)”），“巴統(tǒng)”成立于1949年，在美國(guó)主導(dǎo)下，英國(guó)、日本、法國(guó)、澳大利亞等在內(nèi)的十七個(gè)國(guó)家參與，主要目的是蘇聯(lián)等社會(huì)主義國(guó)家發(fā)展高端武器，當(dāng)然也包括中國(guó)。 中國(guó)1952年被列入名單中，從此西方國(guó)家對(duì)新中國(guó)開(kāi)始了長(zhǎng)達(dá)70年的技術(shù)制裁。這也是人類(lèi)歷史上，對(duì)單一國(guó)家技術(shù)封鎖最長(zhǎng)的時(shí)間。 由于這個(gè)禁運(yùn)，中國(guó)缺乏高級(jí)計(jì)算機(jī)，當(dāng)年中國(guó)的的核爆實(shí)驗(yàn)計(jì)算是利用手搖式計(jì)算機(jī)完成的試驗(yàn)計(jì)算。

隨著蘇聯(lián)在1991年解體，巴黎統(tǒng)籌委員會(huì)名存實(shí)亡，1994年正式解散。然而中國(guó)并沒(méi)有迎來(lái)“好日子”，1996年在美國(guó)的提議下，轉(zhuǎn)頭成立了一個(gè)更嚴(yán)格的“旨在控制常規(guī)武器和高新技術(shù)貿(mào)易的國(guó)際性組織”，這就是“瓦森納協(xié)定”。 目前瓦森納協(xié)定中，有42個(gè)簽署國(guó)，其中17個(gè)是前“巴統(tǒng)”成員國(guó)。諷刺的是，俄羅斯、烏克蘭等前蘇聯(lián)核心成員國(guó)也加入了其中。

▲瓦森納協(xié)定簽署國(guó)家分布 雖然瓦森納協(xié)定是個(gè)較松散的國(guó)際組織，各國(guó)可以視自己國(guó)家的情況而向非成員國(guó)出口產(chǎn)品，但就是這個(gè)框架，給美國(guó)對(duì)各國(guó)隨意干涉的理由。 瓦森納協(xié)定給中國(guó)造成了多大的麻煩？ 包括傳感器產(chǎn)業(yè)、MEMS產(chǎn)業(yè)等在內(nèi)的許多中國(guó)高科技產(chǎn)業(yè)，我們經(jīng)常聽(tīng)到，落后的一個(gè)重要原因就是起步慢，起步慢使我們處于追逐的被動(dòng)局面。 那么，是什么原因造成中國(guó)高科技產(chǎn)業(yè)起步慢呢？這就是瓦森納協(xié)定給中國(guó)帶來(lái)的巨大麻煩，也是中國(guó)許多高科技產(chǎn)業(yè)慢人一步的關(guān)鍵原因。

西方國(guó)家?guī)缀鯊男轮袊?guó)建國(guó)后，就一直對(duì)中國(guó)進(jìn)行嚴(yán)格的科技封鎖，因此，今天中國(guó)的科技底子，除了早期來(lái)自蘇聯(lián)的援助，都是自己自力更生發(fā)展起來(lái)的。 建國(guó)初期從蘇聯(lián)引進(jìn)的156個(gè)項(xiàng)目以及相關(guān)技術(shù)，這些項(xiàng)目包括了一個(gè)現(xiàn)代國(guó)家所需要的大部分工業(yè)門(mén)類(lèi)，使中國(guó)初步建成了自己的工業(yè)生產(chǎn)和科研體系。

以我國(guó)的傳感器產(chǎn)業(yè)為例，我國(guó)最早的傳感器，是20世紀(jì)50年代仿制前蘇聯(lián)的機(jī)械式或機(jī)電式傳感器，在仿制蘇制地-地導(dǎo)彈（1059）過(guò)程中，研究人員研制出國(guó)內(nèi)第一只渦輪式流量傳感器。五十年代末期，出現(xiàn)第一只半導(dǎo)體熱敏電阻。 我國(guó)傳感器制造行業(yè)正式發(fā)展始于20世紀(jì)60年代，在1972年組建成立中國(guó)第一批壓阻傳感器研制生產(chǎn)單位；1974年，研制成功中國(guó)第一個(gè)實(shí)用壓阻式壓力傳感器；1978年，誕生中國(guó)第一個(gè)固態(tài)壓阻加速度傳感器；1982年，國(guó)內(nèi)最早開(kāi)始硅微機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)加工技術(shù)和SOI(絕緣體上硅)技術(shù)的研究。 傳感器是非常敏感的高科技技術(shù)，一直以來(lái)受到瓦森納協(xié)定的強(qiáng)烈限制。因?yàn)闊o(wú)法獲得最新的科研成果，中國(guó)傳感器產(chǎn)業(yè)科研幾乎都需要自己摸索發(fā)展，是“慢”的重要原因。

這方面的一個(gè)著名例子，是2004年捷克取消了向中國(guó)出口的雷達(dá)訂單。捷克之前已批準(zhǔn)了向中國(guó)出口價(jià)值6000萬(wàn)美元的維拉雷達(dá)系統(tǒng)許可證，這個(gè)項(xiàng)目談了好幾年，雙方都很滿(mǎn)意。 結(jié)果到了2004年的5月19日，捷克突然取消了這筆交易，并解釋說(shuō)是應(yīng)“偉大朋友”的要求而做出的決定，說(shuō)該雷達(dá)能幫助中國(guó)探測(cè)到美國(guó)的隱形飛機(jī)。 幾天后，美國(guó)國(guó)務(wù)院證實(shí)，說(shuō)美國(guó)的確與捷克政府討論了中國(guó)問(wèn)題，并且為捷克做出這個(gè)決定而感到高興。

除此之外，以瓦森納協(xié)定為武器，美國(guó)制約了許多中國(guó)企業(yè)的發(fā)展。 華為被制裁而無(wú)芯片可用不說(shuō)，中芯國(guó)際為什么遲遲不能趕上三星、臺(tái)積電，制造更先進(jìn)芯片？ 因?yàn)橹行緡?guó)際買(mǎi)不到先進(jìn)制程的***！受美國(guó)的壓力，中芯國(guó)際只能購(gòu)買(mǎi)5年前的ASML***！

Intel、三星、臺(tái)積電2015年能買(mǎi)到ASML10NM的***。而大陸的中芯國(guó)際，2015年只能買(mǎi)到ASML2010年生產(chǎn)的32NM的***。5年時(shí)間對(duì)半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，已經(jīng)足夠讓市場(chǎng)更新?lián)Q代3次了。

在此前2021年11月對(duì)瓦森納協(xié)定的修訂中，添加了ECAD軟件和GAAFET（全柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的最新表述，其中ECAD軟件主要用于集成電路或印刷電路板的設(shè)計(jì)、分析、優(yōu)化和驗(yàn)證環(huán)節(jié)；當(dāng)FinFET結(jié)構(gòu)發(fā)展到7nm時(shí)，芯片制程的微縮會(huì)遇到困難，而GAAFET結(jié)構(gòu)的出現(xiàn)能夠讓芯片工藝制程出現(xiàn)進(jìn)一步縮小的可能。 而中芯國(guó)際的FinFET工藝，可以將14nm制程進(jìn)一步提升至類(lèi)似臺(tái)積電7nm制程水平！ CAD等工業(yè)軟件，更是中國(guó)尚未全面掌握并且十分重要的關(guān)鍵科技，在工業(yè)仿真、設(shè)計(jì)等許多方面具有重要用途，具體參看《這才是中國(guó)傳感器被卡脖子最嚴(yán)重的地方！100%無(wú)國(guó)產(chǎn)！》內(nèi)容。 可見(jiàn)，這是為了防止中國(guó)企業(yè)掌握CAD相關(guān)技術(shù)、進(jìn)軍7nm制程，而特意新增的限制。

同樣的，早期紅外探測(cè)器芯片——紅外傳感器的核心，中國(guó)并不能生產(chǎn)，需要從國(guó)外進(jìn)口。 我國(guó)紅外傳感器企業(yè)高德紅外此前一直向法國(guó)公司購(gòu)買(mǎi)紅外探測(cè)器芯片，然后進(jìn)行封裝紅外傳感器售賣(mài)。 2008年，法國(guó)受到美國(guó)的壓力，禁止企業(yè)向高德紅外出口紅外探測(cè)器芯片，高德紅外陷入缺芯危機(jī)——這與今天華為手機(jī)無(wú)芯片可用是一樣的。 于是，高德紅外只能自研紅外探測(cè)器芯片，從而成為今天的中國(guó)紅外傳感器龍頭。關(guān)于高德紅外的故事可以參看《湖北首富，竟然也是做傳感器的》內(nèi)容。 結(jié)語(yǔ) 中國(guó)科技能夠發(fā)展到今天的地步，已經(jīng)是極不容易。 只要中國(guó)還沒(méi)掌握的技術(shù)，擁有發(fā)展前景的高科技，幾乎都在瓦森納協(xié)定里面，這其中，尤以傳感器技術(shù)這樣的隱形王者最多。在產(chǎn)業(yè)中，幾乎所有高精度傳感器都涉及此類(lèi)問(wèn)題，因此中國(guó)傳感器企業(yè)在發(fā)展之初，最好堅(jiān)定掌握自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)的信念，因?yàn)樵酵叨说膫鞲衅髯?，越?huì)碰到這堵“墻”。 致敬所有不斷突破壟斷封鎖技術(shù)，抬高國(guó)產(chǎn)科技上限的所有中國(guó)企業(yè)！

審核編輯 黃宇