意法半導(dǎo)體發(fā)布第四代SiC MOSFET技術(shù)

意法半導(dǎo)體（簡稱ST）近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)，標(biāo)志著公司在高效能半導(dǎo)體領(lǐng)域又邁出了重要一步。此次推出的第四代技術(shù)，在能效、功率密度和穩(wěn)健性方面均樹立了新的市場標(biāo)桿，將為汽車和工業(yè)市場帶來革命性的改變。

針對電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件——逆變器，意法半導(dǎo)體對第四代SiC MOSFET技術(shù)進(jìn)行了特別優(yōu)化。這一創(chuàng)新技術(shù)不僅滿足了電動汽車對高性能、高可靠性和長壽命的嚴(yán)苛要求，還進(jìn)一步推動了電動汽車的小型化和節(jié)能化進(jìn)程。

作為SiC功率MOSFET市場的領(lǐng)跑者，意法半導(dǎo)體始終致力于技術(shù)創(chuàng)新和突破。此次發(fā)布的最新一代SiC器件，充分利用了SiC材料相對于硅基器件在能效和功率密度上的顯著優(yōu)勢，旨在為未來電動汽車電驅(qū)逆變器平臺提供更出色的性能表現(xiàn)。

展望未來，意法半導(dǎo)體計(jì)劃在2027年前推出更多先進(jìn)的SiC技術(shù)創(chuàng)新成果，以持續(xù)履行其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新承諾。公司堅(jiān)信，通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新和突破，將進(jìn)一步釋放SiC材料的潛力，為電動汽車和工業(yè)應(yīng)用帶來更加高效、可靠和環(huán)保的解決方案。

此次發(fā)布的第四代SiC MOSFET技術(shù)，是意法半導(dǎo)體在推動半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展、助力全球節(jié)能減排事業(yè)方面邁出的又一堅(jiān)實(shí)步伐。