16家SiC企業(yè)公布成績(jī)單，上半年誰(shuí)更賺錢？

截至8月31日，16家SiC相關(guān)上市公司披露了2023上半年年度報(bào)告，其中：

襯底外延方面，天岳先進(jìn)營(yíng)收增長(zhǎng)超172%，晶盛、合盛等實(shí)現(xiàn)8英寸SiC突破，東尼獲得大訂單。

器件模塊方面，三安車規(guī)SiC預(yù)計(jì)24年上車；華潤(rùn)微SiC/GaN收入增長(zhǎng)3.6倍；士蘭微主驅(qū)SiC MOS Q3交付；中芯集成車規(guī)級(jí)SiC MOS產(chǎn)能2000片/月；斯達(dá)新增多個(gè)主驅(qū)SiC模塊定點(diǎn)；揚(yáng)杰主驅(qū)碳化硅模塊預(yù)計(jì)25年上車……

更多的財(cái)報(bào)內(nèi)容和企業(yè)的碳化硅進(jìn)展，請(qǐng)往下看：

SiC襯底/外延：天岳、三安、東尼、合盛、晶盛

初步統(tǒng)計(jì)，天岳先進(jìn)、三安光電、東尼電子、合盛硅業(yè)、晶盛機(jī)電等SiC襯底/外延企業(yè)營(yíng)收和利潤(rùn)情況請(qǐng)看下表：

●天岳先進(jìn)：營(yíng)收增長(zhǎng)172.38%

報(bào)告顯示，天岳先進(jìn)2023年H1營(yíng)收4.38億元，同比增長(zhǎng)172.38%；凈利潤(rùn)-0.72億元，同比增長(zhǎng)1.29%。

天岳先進(jìn)已經(jīng)實(shí)現(xiàn) 6 英寸導(dǎo)電型襯底、6 英寸半絕緣型襯底、4 英寸半絕緣襯底等SiC產(chǎn)品的：規(guī)?；?yīng)，并自主擴(kuò)徑完成高品質(zhì) 8 英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底制備。報(bào)告期內(nèi)，公司營(yíng)業(yè)收入主要來(lái)自于6 英寸導(dǎo)電型產(chǎn)品銷售。

根據(jù)今年5月上海臨港新片區(qū)管理委員會(huì)對(duì)外公示的《關(guān)于“天岳半導(dǎo)體碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目（調(diào)整）”》的環(huán)評(píng)審批意見(jiàn)，根據(jù)公告，調(diào)整后，6英寸碳化硅晶片生產(chǎn)規(guī)模擴(kuò)大至96萬(wàn)片/年，產(chǎn)能將增加220%。

報(bào)告期內(nèi)，天岳先進(jìn)高品質(zhì)SiC襯底獲得國(guó)際客戶的認(rèn)可。今年5月，天岳先進(jìn)與英飛凌簽訂了合作協(xié)議，8月24日，天岳先進(jìn)與客戶F簽訂了一份碳化硅采購(gòu)協(xié)議，約定2024年至2026年向合同對(duì)方供應(yīng)碳化硅產(chǎn)品，合同價(jià)值預(yù)估為8.05億人民幣。

●三安光電：車規(guī)SiC 24年上車

報(bào)告顯示，三安光電2023年H1營(yíng)收64.69億元，同比下降4.33%；凈利潤(rùn)1.70億元，同比下降81.76%。

報(bào)告期內(nèi)，三安光電SiC產(chǎn)能達(dá)15000 片/月。湖南三安6 吋碳化硅襯底已通過(guò)數(shù)家國(guó)際大客戶驗(yàn)證，并實(shí)現(xiàn)批量出貨，8 吋SiC襯底已實(shí)現(xiàn)小批量試制。

SiC MOSFET80mΩ 產(chǎn)品已在光伏及車載充電機(jī)客戶端導(dǎo)入批量訂單；車規(guī)級(jí) 1200V 16mΩ 已在數(shù)家戰(zhàn)略客戶處進(jìn)行模塊驗(yàn)證，預(yù)計(jì)于 2024 年正式上車量產(chǎn)。

此外，湖南三安與理想合資成立的規(guī)劃年產(chǎn)240 萬(wàn)只碳化硅半橋功率模塊蘇州斯科半導(dǎo)體，已完成動(dòng)力設(shè)備安裝、調(diào)試，待產(chǎn)線通線后進(jìn)入試生產(chǎn)。與意法半導(dǎo)體在重慶共同設(shè)立合資代工公司，預(yù)計(jì)2025 年完成階段性建設(shè)并逐步投產(chǎn)，2028 年規(guī)劃達(dá)產(chǎn)后產(chǎn)能為10000 片/周。

●東尼電子：簽訂6.75億大訂單

報(bào)告顯示，東尼電子2023年H1營(yíng)收7.77億元，同比下降7.30%；凈利潤(rùn)-0.66億元，同比下降207.41%。

2023上半年，東尼電子募集資金投資項(xiàng)目“年產(chǎn)12萬(wàn)片碳化硅半導(dǎo)體材料”已實(shí)施完畢。今年1月，東尼電子子公司東尼半導(dǎo)體與下游客戶 T簽訂《采購(gòu)合同》，約定東尼半導(dǎo)體2023 年向該客戶交付 6 英寸碳化硅襯底 13.50 萬(wàn)片，含稅銷售金額合計(jì)人民幣6.75 億元；2024年、2025 年分別向該客戶交付 6 英寸碳化硅襯底 30 萬(wàn)片和 50 萬(wàn)片。

●合盛硅業(yè)：順利研發(fā)8吋SiC襯底

報(bào)告顯示，合盛硅業(yè)2023年H1營(yíng)收119.38億元，同比下降8.17%；凈利潤(rùn)17.82億元，同比下降49.71%。

SiC業(yè)務(wù)發(fā)展方面，目前合盛硅業(yè)已完整掌握了SiC全產(chǎn)業(yè)鏈核心工藝技術(shù)，SiC生產(chǎn)線具備量產(chǎn)能力，產(chǎn)品良率處于國(guó)內(nèi)企業(yè)領(lǐng)先水平。其中6 英寸襯底和外延片已得到國(guó)內(nèi)多家下游器件客戶的驗(yàn)證，并順利開(kāi)發(fā)了日韓、歐美客戶；8 英寸SiC襯底研發(fā)順利，并實(shí)現(xiàn)了樣品的產(chǎn)出。

此外，碳化硅襯底及外延片產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線項(xiàng)目正在建設(shè)中。

●晶盛機(jī)電：已建8吋SiC襯底試驗(yàn)線

報(bào)告顯示，晶盛機(jī)電2023年H1營(yíng)收84.06億元，同比上升92.37%；凈利潤(rùn)22.06億元，同比增長(zhǎng)82.78%。

晶盛機(jī)電產(chǎn)品包括SiC襯底和外延設(shè)備。據(jù)報(bào)告顯示，晶盛機(jī)電還通過(guò)自有籽晶多輪擴(kuò)徑，成功生長(zhǎng)出 8 英寸 N 型SiC晶體，建設(shè)了 8 英寸SiC襯底研發(fā)試驗(yàn)線。

上半年，晶盛機(jī)電6 英寸SiC外延設(shè)備實(shí)現(xiàn)批量銷售且訂單量快速增長(zhǎng)，成功開(kāi)發(fā)具有國(guó)際先進(jìn)水平的 8 英寸單片式SiC外延生長(zhǎng)設(shè)備。

SiC器件/模塊：華潤(rùn)微、士蘭微、中芯、斯達(dá)、中車、揚(yáng)杰、納芯微

2023上半年，華潤(rùn)微、士蘭微、中芯集成、斯達(dá)半導(dǎo)體、中車時(shí)代、揚(yáng)杰科技和納芯微等SiC器件/模塊企業(yè)成績(jī)單請(qǐng)看下表：

●華潤(rùn)微：SiC/GaN收入增長(zhǎng)3.6倍

報(bào)告顯示，華潤(rùn)微2023年H1營(yíng)收50.30億元，同比下降2.25%；凈利潤(rùn)7.78億元，同比下降42.57%。

在報(bào)告期內(nèi)，SiC和GaN功率器件銷售收入同比增長(zhǎng)約 3.6 倍，碳化硅 JBS G3 較 G2 平臺(tái)電流密度預(yù)計(jì)提升 10%，碳化硅 MOS 性能對(duì)標(biāo)國(guó)際一流，持續(xù)豐富 G1、G2 平臺(tái)產(chǎn)品系列化，助力碳化硅 MOS 在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源等領(lǐng)域多個(gè)客戶規(guī)模上量。

此外，碳化硅 MOS 上半年月度銷售額持續(xù)攀升，在SiC功率器件銷售中的比例逐步提升至50%以上，與此同時(shí)，車規(guī)級(jí) SiC MOS、SiC 模塊研發(fā)以及 HPD 預(yù)研工作正在有序推進(jìn)。

氮化鎵方面，華潤(rùn)微在通訊、工控、照明和快充領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)近10家行業(yè)頭部客戶合作。針對(duì)工控和通訊領(lǐng)域的氮化鎵三代產(chǎn)品芯片能量密度明顯提升，封裝體明顯減小，開(kāi)發(fā)工作有序推進(jìn)。另外，氮化鎵 8 吋工藝及產(chǎn)品平臺(tái)研發(fā)已實(shí)現(xiàn)全流程通線，靜態(tài)電性等符合預(yù)期。

●士蘭微：主驅(qū)SiC MOSQ3交付、產(chǎn)能年底6000片/月

報(bào)告顯示，士蘭微2023年H1營(yíng)收44.76億元，同比增長(zhǎng)6.95%；凈利潤(rùn)-0.41億元，同比下降106.88%。

報(bào)告期內(nèi)，士蘭微用于光伏的 IGBT 器件（單管）、逆變控制模塊、SiC MOS 器件實(shí)現(xiàn)批量出貨。此外，士蘭微已完成第二代平面柵 SiC-MOSFET 技術(shù)的開(kāi)發(fā)，性能指標(biāo)達(dá)到業(yè)內(nèi)同類器件結(jié)構(gòu)的先進(jìn)水平?；诠咀灾餮邪l(fā)的Ⅱ代 SiC-MOSFET 芯片生產(chǎn)的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，已通過(guò)部分客戶測(cè)試，爭(zhēng)取在今年三季度實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)和交付。

2023 年上半年，士蘭微加快推進(jìn)“士蘭明鎵 SiC 功率器件芯片生產(chǎn)線”項(xiàng)目的建設(shè)。截至目前，士蘭明鎵已形成月產(chǎn)3000片6 英寸 SiC 芯片的生產(chǎn)能力，預(yù)計(jì)2023 年年底將形成月產(chǎn)6000片6 英寸 SiC 芯片（SiC MOSFET 和 SiC SBD）的生產(chǎn)能力。

●中芯集成：車規(guī)級(jí)SiC MOS產(chǎn)能2000片/月

報(bào)告顯示，中芯集成2023年H1營(yíng)收25.20億元，同比上升24.09%；凈利潤(rùn)-11.09億元。

經(jīng)過(guò)兩年的研發(fā)和可靠性驗(yàn)證，中芯集成SiC MOSFET 技術(shù)研發(fā)已完成工藝平臺(tái)搭建，并已完成全系列產(chǎn)品參數(shù)及可靠性認(rèn)定，用于新能源汽車主驅(qū)逆變的 SiC MOSFET 已實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)(2000片/月)和裝車，產(chǎn)能利用率超過(guò) 90%，接下來(lái)還將進(jìn)一步擴(kuò)大量產(chǎn)規(guī)模。

8月31日，中芯集成發(fā)布公告，公司擬投資設(shè)立控股子公司——芯聯(lián)動(dòng)力，主要從事SiC等寬禁帶半導(dǎo)體的工藝研發(fā)、生產(chǎn)及銷售業(yè)務(wù)。其中擬參股方包括多家股權(quán)投資機(jī)構(gòu)，包括上汽集團(tuán)、小鵬汽車、寧德時(shí)代、立訊精密、陽(yáng)光電源、瑤芯微等多家新能源（包括汽車與能源）企業(yè)及其下屬產(chǎn)業(yè)投資機(jī)構(gòu)。

●斯達(dá)半導(dǎo)體：新增多個(gè)主驅(qū)SiC模塊定點(diǎn)

報(bào)告顯示，斯達(dá)半導(dǎo)2023年H1營(yíng)收16.88億元，同比上漲46.25 %。凈利潤(rùn)4.30億元，同比增長(zhǎng)24.06%。

上半年，使用斯達(dá)半導(dǎo)自主 SiC MOSFET 芯片的車規(guī)級(jí) SiC MOSFET 模塊在主電機(jī)控制器客戶完成驗(yàn)證并開(kāi)始小批量出貨。

同時(shí)新增多個(gè)使用車規(guī)級(jí) SiC MOSFET 模塊的 800V 系統(tǒng)的主電機(jī)控制器項(xiàng)目定點(diǎn)，這將對(duì)斯達(dá)半導(dǎo) 2024-2030年主控制器用車規(guī)級(jí) SiC MOSFET 模塊銷售增長(zhǎng)提供持續(xù)推動(dòng)力。

●中車時(shí)代：新能源車用SiC產(chǎn)品持續(xù)驗(yàn)證

報(bào)告顯示，中車時(shí)代半導(dǎo)體2023年H1營(yíng)收85.70億元，同比增長(zhǎng)31.31 %；凈利潤(rùn)11.54億元，同比上升32.52%。

報(bào)告期內(nèi)，中車時(shí)代開(kāi)發(fā)了高性能、高可靠的750V-3300V的 SiC 器件，產(chǎn)品批量應(yīng)用于機(jī)車、動(dòng)車、城軌、柔性輸電、礦用變頻、風(fēng)電、光伏、高端工業(yè)裝備等領(lǐng)域。新能源車用 SiC 產(chǎn)品處于持續(xù)驗(yàn)證階段，SiC 產(chǎn)線升級(jí)改造項(xiàng)目進(jìn)度正常，SiC 產(chǎn)品開(kāi)發(fā)加速推進(jìn)。

此外，中車時(shí)代還構(gòu)建了全套特色先進(jìn)碳化硅工藝技術(shù)的 4 英寸及 6 英寸兼容的專業(yè)碳化硅芯片制造平臺(tái)；完成基于 SiC 半導(dǎo)體功率器件輔助變流器樣機(jī)（180kVA）的研制，并著手研制250 kW高壓大功率碳化硅油冷電驅(qū)總成。

●揚(yáng)杰科技：1200V SiC MOS累計(jì)出貨超1kk，主驅(qū)碳化硅模塊25年上車

報(bào)告顯示，揚(yáng)杰科技2023年H1營(yíng)收26.25億元，同比下降11.07 %。凈利潤(rùn)4.11億元，同比下滑30.05%。

2022 年開(kāi)始，揚(yáng)杰科技陸續(xù)完成1200V 17-240mohm、650V 20-120mohm SiC MOSFET 產(chǎn)品開(kāi)發(fā)上市，1200V MOS 平臺(tái)的比導(dǎo)通電阻（RSP）做到 3.5mΩ.cm2 以下，F(xiàn)OM 值達(dá)到 3300mΩ.nC 以下，目前累計(jì)出貨量已突破1kk。

車載模塊方面，自主開(kāi)發(fā)的 HPD 以及 DCM 全碳化硅主驅(qū)模塊將在今年完成 A 樣試制，目前已經(jīng)獲得多家Tier1 和終端車企的測(cè)試及合作意向，計(jì)劃于 2025 年完成全國(guó)產(chǎn)主驅(qū)碳化硅模塊的批量上車。

● 納芯微：推出SiC 二極管、SiC MOSFET

報(bào)告顯示，納芯微2023年H1營(yíng)收7.24億元，同比下降8.80 %；凈利潤(rùn)-1.32億元，同比下降167.48%。

報(bào)告期內(nèi)，納芯微推出了首款 SiC 二極管系列新品并全面送樣。除 SiC 二極管產(chǎn)品外，公司也在積極研發(fā)和驗(yàn)證 1200V SiC MOSFET 產(chǎn)品。

在第三代半導(dǎo)體技術(shù)方面，納芯微利用SiC材料，實(shí)現(xiàn)大功率開(kāi)關(guān)管及二極管等功率器件應(yīng)用。SiC二極管基于混合式 PIN-肖特基二極管技術(shù)，推出了 1200V系列產(chǎn)品，可實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電壓<1.4V,極低的反向漏電流 uA 級(jí)，額定電流 10 倍以上的抗浪涌電流能力；SiC MOSFET 器件基于平面柵工藝，推出新一代自對(duì)準(zhǔn)高電流密度產(chǎn)品，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的比導(dǎo)通電阻參數(shù)<4mohm2，損耗更低，同時(shí)兼容 15V/18V 驅(qū)動(dòng)電壓。

SiC設(shè)備：北方華創(chuàng)、晶升、連城、高測(cè)營(yíng)收、利潤(rùn)大幅增長(zhǎng)

2023年上半年，北方華創(chuàng)、高測(cè)股份、連城數(shù)控與晶升股份4家SiC設(shè)備企業(yè)營(yíng)收增長(zhǎng)迅速，凈利潤(rùn)也大幅上升，詳見(jiàn)下表：

●北方華創(chuàng)：外延設(shè)備累計(jì)出貨1000腔

報(bào)告顯示，北方華創(chuàng)2023年H1營(yíng)收為84.27億元，同比增長(zhǎng)54.79 %；凈利潤(rùn)17.99億元，同比上升138.43%。

北方華創(chuàng)憑借20余年在半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域的成熟經(jīng)驗(yàn)，可為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈提供長(zhǎng)晶、外延、刻蝕、薄膜、高溫氧化/激活等多種核心工藝設(shè)備，且已實(shí)現(xiàn)批量應(yīng)用，為客戶技術(shù)創(chuàng)新及迭代打造全面裝備解決方案。

外延設(shè)備方面，北方華創(chuàng)已發(fā)布包括8英寸及以下的單片及多片大產(chǎn)能硅外延設(shè)備、12英寸硅外延設(shè)備、4/6/8英寸碳化硅外延設(shè)備、8英寸及以下單片及多片大產(chǎn)能硅基氮化鎵外延設(shè)備，共發(fā)布20余款量產(chǎn)型外延設(shè)備，累計(jì)出貨近1000腔。

●高測(cè)股份：8寸SiC切片機(jī)設(shè)備訂單9臺(tái)

報(bào)告顯示，高測(cè)股份2023年H1營(yíng)收25.21億元，同比增長(zhǎng)88.80%；凈利潤(rùn)7.14億元，同比上升201.27%。

2022年他們推出的碳化硅金剛線切片機(jī)和碳化硅專用金剛線已形成批量銷售，2022年底行業(yè)內(nèi)首次推出了GC-SCDW8300型碳化硅金剛線切片機(jī)，可兼容8寸和6寸碳化硅晶片的切割需求。目前，該8寸碳化硅金剛線切片機(jī)設(shè)備已簽訂訂單9臺(tái)，并已經(jīng)在頭部客戶實(shí)現(xiàn)試用，受到客戶一致認(rèn)可。

●連城數(shù)控：液相法長(zhǎng)晶爐獲數(shù)臺(tái)訂單

報(bào)告顯示，連城數(shù)控2023年H1營(yíng)收18.91億元，同比增長(zhǎng)55.16 %；凈利潤(rùn)2.33億元，同比上升30.35%。

2023 年上半年，連城數(shù)控技術(shù)研發(fā)成果包括創(chuàng)新推出單晶爐設(shè)備“一鍵拉晶”系統(tǒng)、液相法碳化硅長(zhǎng)晶爐順利下線并取得客戶數(shù)臺(tái)訂單、碳化硅立式感應(yīng)合成爐科研成果通過(guò)專家團(tuán)鑒定等。

截至2023年6月末，該公司設(shè)備類產(chǎn)品在手訂單90.06億元左右，其中晶體生長(zhǎng)及加工設(shè)備訂單77.94億元。

● 晶升股份：8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備已實(shí)現(xiàn)交付

報(bào)告顯示，晶升股份2023年H1營(yíng)收1.14億元，同比增長(zhǎng)75.79 %；凈利潤(rùn)0.15億元，同比上升447.17%

報(bào)告期內(nèi)，晶升股份開(kāi)展了多個(gè)SiC設(shè)備在研項(xiàng)目，包括8英寸碳化硅單晶爐改進(jìn)、碳化硅單晶爐自動(dòng)化系統(tǒng)開(kāi)發(fā)、電阻爐大尺寸碳化硅單晶生長(zhǎng)工藝研究、碳化硅原料合成工藝優(yōu)化、多片式碳化硅外延設(shè)備開(kāi)發(fā)等。

晶升股份宣布其在7月初已向多家客戶交付了8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備，部分客戶已經(jīng)取得了一定的研發(fā)成果，并正在不斷優(yōu)化工藝制程。