VCSEL制造工藝全流程
作為自動駕駛所需的LiDAR等3D傳感技術的光源，半導體激光器的市場變得活躍起來。其中之一是具有小型化、節(jié)能等優(yōu)點的VCSEL（Vertical Cavity Surface Emitting Laser），下面介紹面向VCSEL的干法工藝。
VCSEL制造工藝
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1. 外延生長 在GaAs（砷化鎵）襯底上，通過分子束外延生長由 多個周期的AlGaAs(砷化鋁鎵)/GaAs層堆疊在一起的 AlGaAs/GaAs系DBR（分布反射型Distributed Bragg Reflector）。 |
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2. Patterning＆Mask形成 為了將外延層做成被稱為 Mesa 的圓柱形，制作一個掩模圖案。 |
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3. Mesa加工 用干法蝕刻進行Mesa加工。 |
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4. 氧化狹窄＆保護膜形成 活性層附近設計的特定AlGaAs層通過濕法氧化而氧化狹窄 （氧化狹窄層作為電流和光的封閉結構， 成為影響VCSEL特性的非常重要的層）。另外，沉積Mesa側壁保護膜。 |
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5. 電極形成 n型、p型電極形成。 |
審核編輯：湯梓紅
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原文標題：VCSEL制造工藝全流程
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