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      標簽　>　VCSEL

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      VCSEL百科

      　　垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，簡稱VCSEL，又譯垂直共振腔面射型激光）是一種半導體，其激光垂直于頂面射出，與一般用切開的獨立芯片制程，激光由邊緣射出的邊射型激光有所不同。

      　　在制作的過程中，VCSEL比邊射型激光多了許多優(yōu)點。邊射型激光需要在制作完成后才可進行測試。若一個邊射型激光無法運作，不論是因為接觸不良或者是物質成長的品質不好，都會浪費制作過程與物質加工的處理時間。

      　　然而VCSEL可以在制造的任何過程中，測試其品質并且作問題處理，因為VCSEL的激光是垂直于反應區(qū)射出，與邊射型激光平行于反應區(qū)射出相反，所以可以同時有數(shù)萬個VCSEL在一個三英寸大的砷鎵芯片上被處理。此外，既使VCSEL在制造的過程需要較多的勞動與較精細的材料，生產(chǎn)結果是可被控制的及更多可被預期的。

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