第三代半導(dǎo)體碳化硅器件在應(yīng)用領(lǐng)域的深度分析
SiC（碳化硅）器件作為第三代半導(dǎo)體，具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場(chǎng)高等特性，碳化硅器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域和新能源汽車、光伏、航天、軍工等環(huán)境應(yīng)用領(lǐng)域有著不可替代的優(yōu)勢(shì)...以下針對(duì)SiC器件進(jìn)行深度分析：
審核編輯：郭婷
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
334文章
27362瀏覽量
218695 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
29文章
2814瀏覽量
62643 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
25文章
2762瀏覽量
49054
原文標(biāo)題：第三代半導(dǎo)體：SiC碳化硅深度產(chǎn)業(yè)分析【推薦】
文章出處：【微信號(hào)：today_semicon，微信公眾號(hào)：今日半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展
當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中，新能源汽車市場(chǎng)的快速發(fā)展是第三代
碳化硅MOSFET柵極氧化層缺陷的檢測(cè)技術(shù)
碳化硅材料在功率器件中的優(yōu)勢(shì)碳化硅（SiC）作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，相較于傳統(tǒng)硅基
第三代寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹
? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢(shì)，且它們在電力電子系統(tǒng)和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對(duì)其進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。 以
碳化硅功率器件有哪些應(yīng)用領(lǐng)域
碳化硅功率器件作為下一代半導(dǎo)體技術(shù)的重要代表，以其優(yōu)越的性能和廣闊的應(yīng)用前景，成為能源革命中的重要推動(dòng)力。本文將從市場(chǎng)資訊的角度，深入探討碳化硅
碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì)，逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶
納微半導(dǎo)體發(fā)布第三代快速碳化硅MOSFETs
納微半導(dǎo)體作為GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體的行業(yè)領(lǐng)軍者，近日正式推出了其最新研發(fā)的第三代快速（G3F）碳化硅MO
一、二、三代半導(dǎo)體的區(qū)別
在5G和新能源汽車等新市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化
發(fā)表于 04-18 10:18
?3056次閱讀
總投資32.7億！第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在寶安區(qū)啟用
2月27日，第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在寶安區(qū)啟用，由深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“重投天科”）建設(shè)運(yùn)營(yíng)，預(yù)計(jì)今年襯底和外延產(chǎn)
深圳第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地啟用
總計(jì)投資32.7億元人民幣的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地是中共廣東省委和深圳市委重點(diǎn)關(guān)注的項(xiàng)目之一，同時(shí)也是深圳全球招商大會(huì)的重點(diǎn)簽約項(xiàng)目。
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)碳化硅功率器件
隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代
深度解讀第三代半導(dǎo)體—碳化硅
碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。
第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）行業(yè)研究報(bào)告：市場(chǎng)空間、未來展望、產(chǎn)業(yè)鏈深度梳理
為首的第三代半導(dǎo)體材料在這一趨勢(shì)下逐漸從科研走向產(chǎn)業(yè)化，并成為替代部分硅基功率器件的明確趨勢(shì)。然而，目前行業(yè)仍存在一些挑戰(zhàn)和改進(jìn)的空間。未來需要對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)進(jìn)行
半導(dǎo)體碳化硅(SiC)行業(yè)研究
第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越，應(yīng)用場(chǎng)景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎(chǔ)，經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場(chǎng)景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵為
2023年第三代半導(dǎo)體融資超62起，碳化硅器件及材料成投資焦點(diǎn)
。 ? 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅、氮化鎵等為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。某機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2022年，國(guó)內(nèi)有超26家碳化硅企業(yè)拿到融資。而根據(jù)電子發(fā)
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論