預計2020年中國存儲芯片市場規(guī)模將突破3000億元

在國家大力支持半導體產業(yè)發(fā)展的大背景下，中國半導體存儲器基地于2016年開工建設。半導體行業(yè)迅速發(fā)展推動中國存儲芯片應用場景不斷拓寬。當前中國存儲芯片在各領域的應用處于起步發(fā)展階段，可成熟應用各相關存儲芯片產品的企業(yè)數(shù)量稀少，全球DRAM、NOR Flash、NAND Flash市場被韓國、日本、美國企業(yè)所占據(jù)。

行業(yè)起步較晚，技術基礎薄弱

中國存儲芯片發(fā)展較晚，2016年以前行業(yè)幾乎沒有生產能力，存儲芯片極度依賴于進口。面對國外企業(yè)在存儲芯片行業(yè)所擁有的壟斷優(yōu)勢，近年來中國開始在存儲芯片行業(yè)投入巨資，目前中國主要有長江存儲、合肥長鑫、福建晉華等存儲芯片企業(yè)介入這個行業(yè)，經過數(shù)年的發(fā)展，它們開始逐漸取得一些成績。

目前中國大陸地區(qū)的企業(yè)在相關領域內的市場份額仍然較低，通過國家政府層面的大規(guī)模投資有機會快速切入相關領域，也是芯片國產化之路邁出的可靠而重要的一步。

存儲芯片行業(yè)屬于技術密集型產業(yè)，中國存儲芯片行業(yè)起步晚，缺乏技術經驗累積。雖然中國本土長江存儲、合肥長鑫和福州晉華三大存儲芯片企業(yè)已逐步完善NAND和DRAM產業(yè)布局，但各家存儲芯片產品仍處于投產初期，尚未實現(xiàn)產品的規(guī)模量產。與國外存儲芯片制造商相比，中國存儲芯片技術基礎薄弱，此為制約行業(yè)發(fā)展的主要因素。

以3D NAND存儲器為例，三星、海力士通過不斷研發(fā)創(chuàng)新，改善數(shù)據(jù)存儲單元結構增加單位存儲容量，均已研發(fā)和生產出176層3DNAND。長江存儲2020年推出128層QLC 3D NAND閃存，可見，與國外領先的3D NAND企業(yè)相比，中國長江存儲技術與國外企業(yè)仍存在差距，中國3D NAND技術基礎較為薄弱。

市場波動上升，NAND Flash和DRAM為主要產品

在“互聯(lián)網(wǎng)+”的背景下，智能手機功能逐漸多樣化，覆蓋眾多應用領域，促使市場對智能手機的存儲空間要求不斷提高以滿足消費者對移動互聯(lián)網(wǎng)的使用體驗。2016年后，中國智能手機等消費電子應用市場迅速擴張促進了存儲芯片市場需求快速釋放。

2014-2019年，中國存儲芯片市場規(guī)模由1274億元增長至2697億元，年均復合增長率達到16．18%，預計2020年市場規(guī)模將突破3000億元。

目前存儲芯片市場以NAND Flash和DRAM為主。2019年，中國NAND Flash產品銷售額占總市場規(guī)模比重約為42%，占全球NAND Flash市場銷售額37%;2019年中國DRAM產品銷售額占總市場規(guī)模比重約為55%，占全球DRAM市場34%。

市場由國外企業(yè)壟斷，國內廠商奮力追趕

存儲芯片是一個高度壟斷的市場，三星、SK海力士、美光，合計占據(jù)全球DRAM市場95%左右的份額，NAND Flash經過幾十年的發(fā)展，已經形成了由三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士、英特爾六大原廠組成的穩(wěn)定市場格局。

從中國存儲芯片行業(yè)競爭格局來看，市場主要由國外存儲芯片巨頭領導，細分領域也落后于國外及臺灣廠商（如NOR Flash的旺宏/華邦等），但近年來國內廠商奮力追趕，已在部分領域實現(xiàn)突破，逐步縮小與國外原廠的差距。

其中，兆易創(chuàng)新位列NOR Flash市場前三，聚辰股份在EEPROM芯片領域市占率全球第三，長江存儲128層3DNAND存儲芯片，直接跳過96層，加速趕超國外廠商先進技術。值得注意的是，兆易創(chuàng)新集團旗下還包含長鑫存儲（CXMT），意味著兆易創(chuàng)新集團同時握有中國NOR Flash與DRAM的自主研發(fā)能力，扮演中國半導體發(fā)展的重要角色。

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