三星明年全年DRAM和NAND的供應(yīng)將嚴(yán)重不足

據(jù)報(bào)道，盡管存儲(chǔ)行業(yè)受疫情影響小于其他行業(yè)，但消費(fèi)產(chǎn)品仍受到負(fù)面影響，外界對(duì)前景產(chǎn)生擔(dān)憂。

而三星正利用這一時(shí)期擴(kuò)大領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，三星計(jì)劃明年將DRAM、閃存和代工芯片的月晶圓產(chǎn)能分別擴(kuò)大3萬(wàn)、6萬(wàn)和2萬(wàn)片。

一位投資經(jīng)理表示，明年全年DRAM和NAND的供應(yīng)將嚴(yán)重不足，從而導(dǎo)致價(jià)格和利潤(rùn)回升。三星在這方面顯示出非常有吸引力的風(fēng)險(xiǎn)回報(bào)。

他進(jìn)一步表示，三星正在與零部件供應(yīng)商進(jìn)行討論，確保在下訂單之前解決任何潛在問(wèn)題。

三星在京畿道平澤工廠將在處理新增產(chǎn)能方面發(fā)揮核心作用。在最近公布的三季度業(yè)績(jī)電話會(huì)議上，三星表示隨著存儲(chǔ)芯片庫(kù)存水平的合理調(diào)整，公司收到了更多服務(wù)器芯片訂單，預(yù)計(jì)將出現(xiàn)轉(zhuǎn)機(jī)。

NH Investment分析師Do Hyun-woo表示，三星將積極生產(chǎn)NAND閃存芯片，而在DRAM方面保持保守離場(chǎng)?？紤]到代工芯片的短缺，三星明年將向平澤和美國(guó)奧斯汀的工廠投資至少10萬(wàn)億韓元。

三星對(duì)NAND閃存芯片業(yè)務(wù)的需求之所以上升，是因?yàn)槟壳暗腄RAM技術(shù)能否在小于1nm的產(chǎn)品中維持存儲(chǔ)能力越來(lái)越令人質(zhì)疑。雖然NAND芯片在10-20nm的層面上很快將面臨挑戰(zhàn)，但三星相信隨著EUV技術(shù)推進(jìn)制造工藝，NAND芯片在密度和成本改善方面處于優(yōu)勢(shì)地位。
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