深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購(gòu)適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線,收購(gòu)三星指紋排線,全國(guó)高價(jià)回收三星指紋排線,專業(yè)求購(gòu)指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
近日,據(jù)韓媒報(bào)道,三星位于中國(guó)西安的NAND閃存工廠正在加速推進(jìn)技術(shù)升級(jí)與產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。該工廠在成功將制程從第六代V-NAND(即136層技術(shù))轉(zhuǎn)換至第八代V-
發(fā)表于 02-14 13:43
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據(jù)報(bào)道,三星電子已正式否認(rèn)了有關(guān)其將重新設(shè)計(jì)第五代10nm級(jí)DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認(rèn)引發(fā)了業(yè)界對(duì)三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新
發(fā)表于 01-23 15:05
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近日,三星電子宣布了一項(xiàng)重大決策,將大幅削減其晶圓代工部門在2025年的設(shè)施投資。據(jù)透露,與上一年相比,此次削減幅度將超過(guò)一半。 具體來(lái)說(shuō),三星晶圓代工已將2025年的設(shè)施投資預(yù)算定為
發(fā)表于 01-23 14:36
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據(jù)DigiTimes報(bào)道,三星電子對(duì)重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級(jí)DRAM(1b DRAM)的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前,ETNews曾有報(bào)道稱,三星電子內(nèi)部為解決12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
發(fā)表于 01-23 10:04
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近日,三星電子已做出決定,將減少其位于中國(guó)西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護(hù)自身盈利能力而采取的重要措施。 當(dāng)前,全球NAND閃存市場(chǎng)面臨供過(guò)于求的局面,預(yù)計(jì)今年
發(fā)表于 01-14 14:21
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近日,三星電子宣布將對(duì)其在中國(guó)西安的NAND閃存工廠實(shí)施減產(chǎn)措施,以應(yīng)對(duì)全球NAND市場(chǎng)供過(guò)于求的現(xiàn)狀及預(yù)期的價(jià)格下滑趨勢(shì)。據(jù)《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)道,三星決定將該工廠的晶圓投入量
發(fā)表于 01-14 10:08
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近日,業(yè)界傳出消息稱,三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產(chǎn)能供給,并計(jì)劃在2024年底停止在現(xiàn)貨市場(chǎng)銷售該類產(chǎn)品,而到了2025年6月
發(fā)表于 11-21 14:16
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近日,三星電子被曝出計(jì)劃對(duì)其芯片高管職位進(jìn)行大幅削減,并著手重組半導(dǎo)體相關(guān)業(yè)務(wù)。據(jù)相關(guān)消息稱,三星電子正在對(duì)其設(shè)備解決方案(DS)部門下的內(nèi)存部門進(jìn)行嚴(yán)格的審計(jì),該部門主要負(fù)責(zé)監(jiān)管公司的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。
發(fā)表于 10-11 15:56
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三星電子近期調(diào)整了其晶圓代工產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃,決定暫緩平澤P4工廠的進(jìn)一步擴(kuò)建,轉(zhuǎn)而將重心放在NAND Flash與高頻寬存儲(chǔ)器(HBM)的生產(chǎn)上。這一戰(zhàn)略調(diào)整反映了三星對(duì)當(dāng)前市場(chǎng)需求的精
發(fā)表于 09-19 17:23
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近日,有關(guān)三星的8層HBM3E芯片已通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試的報(bào)道引起了廣泛關(guān)注。然而,三星電子迅速對(duì)此傳聞進(jìn)行了回應(yīng),明確表示該報(bào)道并不屬實(shí)。
發(fā)表于 08-08 10:06
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近期,有媒體報(bào)道稱三星電子已成功通過(guò)英偉達(dá)(NVIDIA)的HBM3E(高帶寬內(nèi)存)質(zhì)量測(cè)試,并預(yù)計(jì)很快將啟動(dòng)量產(chǎn)流程,以滿足市場(chǎng)對(duì)高性能存儲(chǔ)解決方案的迫切需求。然而,這一消息迅速遭到了三星電子的官方否認(rèn)。
發(fā)表于 07-05 15:08
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在人工智能(AI)技術(shù)日新月異的今天,數(shù)據(jù)中心對(duì)大容量固態(tài)硬盤(SSD)的需求呈現(xiàn)出前所未有的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。業(yè)內(nèi)最新消息顯示,由于NAND閃存供應(yīng)可能在下半年出現(xiàn)短缺,三星電子的V8-NAND技術(shù)正成為市場(chǎng)關(guān)注的焦點(diǎn)。
發(fā)表于 07-01 10:11
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1. 傳三星計(jì)劃Q3 對(duì)DRAM 、NAND 漲價(jià)15%~20% ,現(xiàn)已通報(bào)客戶 ? 6月26日,多家媒體報(bào)道稱,三星計(jì)劃于第三季度把動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)、
發(fā)表于 06-27 11:02
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近日,韓國(guó)三星電子代工晶圓制造工廠的生產(chǎn)缺陷傳聞在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。有消息傳出,三星在第二代3納米工藝生產(chǎn)過(guò)程中,發(fā)生了高達(dá)2500批次的生產(chǎn)缺陷,這一規(guī)模相當(dāng)于每月生產(chǎn)約6.5萬(wàn)片12英寸晶圓,預(yù)計(jì)將導(dǎo)致約1萬(wàn)億韓元(折合人
發(fā)表于 06-27 10:47
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評(píng)論