被美光搶先推出176層閃存 三星回應技術(shù)延誤

在3D閃存技術(shù)上，作為全球閃存最大廠商的三星一直是領(lǐng)先的，堆棧層數(shù)也是最多的，不過美光日前率先推出了176層堆棧的 3D閃存，進度比三星要快。

根據(jù)美光的說法，176層閃存其實是基于兩個88層疊加而成，第一批為TLC顆粒，單個Die的容量為512Gb（64GB），當然后期很可能會加入QLC。

更重要的是，美光不只是宣布了新技術(shù)，而且176層閃存已經(jīng)量產(chǎn)并出貨了，已經(jīng)用于一些Crucial英睿達品牌的消費級SSD，明年還會發(fā)布更多新產(chǎn)品。

在176層閃存技術(shù)上，美光這一波操作確實可以，后來者居上了，他們在全球閃存市場份額上是大幅落后于三星、東芝、西數(shù)的，尤其是三星一直是領(lǐng)頭羊。

對于這次沒能首發(fā)新一代閃存，韓國媒體爆料稱三星是遇到技術(shù)問題，原本他們計劃一次性堆棧到190層以上，現(xiàn)在也降低目標到176層。

此外，美光、SK海力士都準備用雙堆棧技術(shù)做176層閃存，三星原本希望用單堆棧技術(shù)做到200層，發(fā)現(xiàn)技術(shù)上不可行，導致進度落后了。

報道稱，三星高層雖然拒絕承認技術(shù)延誤了，但不得不承認進度確實落后了一截，高官表示技術(shù)變化導致他們花費更多時間和投資修改制程，預計明年才能（推出176層）閃存。

三星追趕的時間可能是在明年Q1季度后，預計2021年4月份推出176層或者更低一些的160層閃存。

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