長沙三安第三代半導(dǎo)體項目開工活動在長沙高新區(qū)舉行
7月20日，長沙三安第三代半導(dǎo)體項目開工活動在長沙高新區(qū)舉行。
長沙三安第三代半導(dǎo)體項目總投資160億元，總占地面積1000畝，主要建設(shè)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。項目建成達(dá)產(chǎn)后將形成超百億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，并帶動上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預(yù)計逾千億元。
根據(jù)此前的公告披露，三安光電擬在長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會園區(qū)成立子公司投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6英寸SIC導(dǎo)電襯底、4英寸半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiC MOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
456文章
50908瀏覽量
424444 -
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
334文章
27467瀏覽量
219537 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
29文章
2835瀏覽量
62706
原文標(biāo)題：長沙三安第三代半導(dǎo)體項目開工
文章出處：【微信號：cjssia，微信公眾號：集成電路園地】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
第三代半導(dǎo)體廠商加速出海
近年來，在消費(fèi)電子需求帶動下，加上新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏、風(fēng)電、工業(yè)控制等產(chǎn)業(yè)的興起，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體廠商發(fā)展迅速。
第三代半導(dǎo)體對防震基座需求前景?
隨著科技的發(fā)展，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于快速擴(kuò)張階段。在全球范圍內(nèi)，各國都在加大對第三代半導(dǎo)體的投入，建設(shè)了眾多新的晶圓廠和生產(chǎn)線。如中國，多
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展
當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中，新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)的重要動力之一，新能源汽車需要高效、高密度的功率器件來實現(xiàn)
第三代寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹
? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢，且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對其進(jìn)行簡單介紹。 以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁
第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識
第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導(dǎo)體領(lǐng)域的一顆“新星”——第三代
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用
隨著科技的發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)歷了多次變革，而第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn)，正在深刻改變我們的日常生活和工業(yè)應(yīng)用。
第三代半導(dǎo)體和半導(dǎo)體區(qū)別
半導(dǎo)體是指導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料，具有獨(dú)特的電學(xué)性質(zhì)，是電子工業(yè)中不可或缺的基礎(chǔ)材料。隨著科技的進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，半導(dǎo)體材料經(jīng)歷了從第一代到
原子半導(dǎo)體項目簽約落戶無錫高新區(qū)
來源：原子半導(dǎo)體 （無錫簽約活動現(xiàn)場） 8月26日，香港科技大學(xué)副校長鄭光廷一行來訪無錫高新區(qū)。無錫高新區(qū)黨工委書記、新吳區(qū)委書記崔榮國與鄭光廷一行交流會談，共同出席原子
德高化成第三代半導(dǎo)體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴(kuò)產(chǎn)項目正式開工
封裝制造擴(kuò)產(chǎn)項目正式開工建設(shè)。 據(jù)悉，第三代半導(dǎo)體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴(kuò)產(chǎn)項目是德高化成按照“十四五”發(fā)展戰(zhàn)略要求，結(jié)合國家
10億元！連橙時代半導(dǎo)體芯片封裝項目在長沙簽約！
來源：長沙商務(wù) 7月5日，連橙時代半導(dǎo)體芯片、模組研發(fā)中心、生產(chǎn)基地及企業(yè)總部項目正式簽約落戶寧鄉(xiāng)高新區(qū)，長沙市政協(xié)主席、市人工智能產(chǎn)業(yè)鏈鏈
宇泉半導(dǎo)體在保定國家高新區(qū)正式揭牌投產(chǎn)
來源：華之安產(chǎn)業(yè) 揭牌儀式|圖1 5月28日上午，由華安產(chǎn)業(yè)北京招商中心招引落地的宇泉半導(dǎo)體有限公司在保定高新區(qū)正式揭牌，標(biāo)志著宇泉半導(dǎo)體在
一、二、三代半導(dǎo)體的區(qū)別
在5G和新能源汽車等新市場需求的驅(qū)動下，第三代半導(dǎo)體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三
發(fā)表于 04-18 10:18
?3117次閱讀
深圳第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園揭牌 重點布局6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產(chǎn)線
2月27日，深圳市第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園揭牌儀式在寶安石巖街道舉行。
深圳第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地啟用
總計投資32.7億元人民幣的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地是中共廣東省委和深圳市委重點關(guān)注的項目之一，同時也是深圳全球招商大會的重點簽約項目。
基于第三代半導(dǎo)體射頻微系統(tǒng)芯片研究國家重點研發(fā)計劃項目啟動
據(jù)云塔科技消息，1月15日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院孫海定教授牽頭的國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作”重點專項“基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵和氮化鈧鋁異質(zhì)集成射頻微系統(tǒng)芯片研究”項目啟動會暨實施方案論證會在云塔科技（
工商網(wǎng)監(jiān)
評論