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      QLC、PLC閃存有多坑？最快35次寫完

      如意 ? 來(lái)源：百家號(hào) ? 作者：太平洋電腦網(wǎng) ? 2020-06-30 15:54 ? 次閱讀

      SSD硬盤現(xiàn)在已經(jīng)開始從TLC閃存向著QLC閃存升級(jí)，未來(lái)很快還會(huì)升級(jí)到PLC，容量還會(huì)增加，但是代價(jià)就是寫入壽命越來(lái)越低。從行業(yè)報(bào)告來(lái)看，PLC閃存的P/E壽命最短只有35次。

      我們都知道NAND閃存的一些基本特性，那就是隨著TLC、QLC及PLC的升級(jí)，P/E壽命會(huì)下降，同時(shí)制程工藝升級(jí)的話P/E壽命也會(huì)下降，雙重疊加之后先進(jìn)工藝的QLC、PLC壽命就會(huì)很難看。

      那下降的到底有多嚴(yán)重，從行業(yè)報(bào)告來(lái)看，SLC閃存在5xnm工藝下壽命有11000次P/E，在3X、2X、1Xnm工藝下會(huì)下降到10000、7500、5000次，總體還是耐看的。

      MLC閃存在1xnm下壽命會(huì)減少到1500次，TLC則會(huì)極速下滑到500次，QLC再次下降一個(gè)量級(jí)到70次，PLC閃存則是直接降至35次，理論上就是35次全盤寫入就不行了。

      從這些數(shù)據(jù)來(lái)看，QLC閃存及未來(lái)的PLC閃存顯然不夠看，不過(guò)也別擔(dān)心，上面的數(shù)據(jù)是2D NAND工藝下的，3D NAND閃存對(duì)工藝要求不高，P/E壽命還是可以看的。

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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