9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1213 國(guó)內(nèi)企業(yè)方面長(zhǎng)江存儲(chǔ)和合肥長(zhǎng)鑫兩個(gè)重大項(xiàng)目的投產(chǎn)，無(wú)疑為其他存儲(chǔ)器企業(yè)增添了信心。東芝存儲(chǔ)收購(gòu)臺(tái)灣光寶SSD業(yè)務(wù)，美光在新加坡閃存廠建立，恢復(fù)向華為供貨，三星和SK也推出了新品。
2019-10-03 08:46:0012611 Micron公司最近推出了第一款QLC閃存產(chǎn)品，為NAND閃存市場(chǎng)又增添一位成員。而英特爾公司也計(jì)劃在2018年下半年推出其首款QLC閃存產(chǎn)品。
2018-06-14 08:55:2617297 Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:292574 作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3DNAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-04-13 14:30:551396 ，重量輕，強(qiáng)度高，定義閃存科技新鈦度。致鈦將提供高品質(zhì)3D NAND閃存產(chǎn)品及解決方案，讓記憶承載夢(mèng)想。 長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布推出SSD品牌致鈦ZHITAI 據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在未來(lái)推出致鈦品牌的SSD產(chǎn)品。根據(jù)官方發(fā)布的海報(bào)來(lái)看，這款產(chǎn)品應(yīng)該是一款采用M.2接口的SSD硬盤(pán)。它
2020-08-28 18:24:142948 近日，《自然》雜志上發(fā)表了關(guān)于谷歌 DeepMind 使用 AI 診斷眼疾實(shí)現(xiàn)重大突破的文章。結(jié)果顯示，在 997 例患者的掃描測(cè)試中，DeepMind 的算法優(yōu)于英國(guó)莫菲爾眼科醫(yī)院
2018-08-15 11:01:51
，在本次峰會(huì)上介紹了其突破性的技術(shù)-Xtacking，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧先生表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)創(chuàng)新Xtacking在容量、性能、周期上具有突出的表現(xiàn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D技術(shù)從9層開(kāi)始，到32層，再到64層試片
2018-09-20 17:57:05
什么是QLC？QLC的出現(xiàn)是不是意味著SSD性能在倒退？QLC閃存會(huì)取代TLC、MLC嗎？
2021-06-18 06:27:34
什么是SOI技術(shù)？在實(shí)現(xiàn)CAN收發(fā)器EMC優(yōu)化方面有哪些重大突破？
2021-05-10 06:42:44
用變址尋址原理突破EEPROM存儲(chǔ)器的擦寫(xiě)壽命極限
2021-03-18 06:00:25
隨著阿法狗大戰(zhàn)李世石，人工智能引發(fā)越來(lái)越多的關(guān)注。百度總裁張亞勤28日表示，百度長(zhǎng)期堅(jiān)持技術(shù)創(chuàng)新，2015年研發(fā)投入超過(guò)100億元，目前在人工智能領(lǐng)域已有重大突破?！ 垇喦谠谔旖蛳募具_(dá)沃斯論壇
2016-07-01 15:22:41
`華爾街日?qǐng)?bào)發(fā)布文章稱，科技產(chǎn)品下一個(gè)重大突破將在芯片堆疊領(lǐng)域出現(xiàn)。Apple Watch采用了先進(jìn)的的3D芯片堆疊封裝技術(shù)作為幾乎所有日常電子產(chǎn)品最基礎(chǔ)的一個(gè)組件，微芯片正出現(xiàn)一種很有意思的現(xiàn)象
2017-11-23 08:51:12
天合光能在開(kāi)發(fā)單結(jié)晶矽電池技術(shù)方面有重大突破
天合光能(Trina Solar)宣布，在開(kāi)發(fā)單結(jié)晶矽電池技術(shù)方面有重大突破，配合公司
2010-02-11 08:29:33767 IBM宣布芯片實(shí)現(xiàn)重大突破 可建百萬(wàn)萬(wàn)億次電腦
網(wǎng)易科技訊 北京時(shí)間3月4日消息 據(jù)《自然》雜志報(bào)道，IBM的科學(xué)家當(dāng)日宣布，他們用微型硅電路取代銅線實(shí)現(xiàn)了芯片間
2010-03-04 08:50:13464 IBM宣布半導(dǎo)體技術(shù)重大突破 耗能少傳輸快
IBM研究人員宣布，在半導(dǎo)體傳輸技術(shù)上有了重大突破，可大幅提高傳輸速度，并同時(shí)減少能源損耗。
此項(xiàng)技術(shù)目
2010-03-08 09:34:36556 (Intel)宣布，在微處理器上實(shí)現(xiàn)了50多年來(lái)的最重大突破，成功開(kāi)發(fā)出世界首個(gè)三維結(jié)構(gòu)晶體管
2011-05-06 08:19:13656 “第三代”光伏發(fā)電技術(shù)，也就是綠色光伏發(fā)電技術(shù)，特點(diǎn)是綠色、高效、價(jià)廉和壽命長(zhǎng)。中國(guó)第三代光伏發(fā)電技術(shù)又取得了重大突破。
2011-11-30 09:34:38978 最近，豐田汽車(chē)在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域動(dòng)作頻頻，先是一改口徑要進(jìn)軍純電動(dòng)汽車(chē)，隨后又成立了公司內(nèi)部的電動(dòng)“四人幫”。11月24日，又宣布在鋰離子電池領(lǐng)域有重大突破“breakthrough”，儼然成為
2016-12-01 17:17:241024 
華為最近發(fā)布的石墨烯基鋰離子電池取得重大突破的新聞刷爆炸朋友圈，引外一系列解讀，并且誤讀頗多。華為向記者表示，該款電池不能稱為石墨烯電池，并且該研究只是有重大突破，目前沒(méi)有商用。就讓小編帶領(lǐng)大家
2016-12-12 09:35:033215 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開(kāi)始量產(chǎn)），除了TLC類(lèi)型外，其還會(huì)支持QLC，這個(gè)意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40712 東芝日前宣布，他們成功研發(fā)出了世界首款4比特3D QLC閃存。對(duì)于閃存技術(shù)的未來(lái)發(fā)展而言，這可謂是相當(dāng)重大的消息。
2017-06-30 16:43:40566 東芝日前發(fā)布世界首個(gè)基于QLC（四比特單元） BiCS架構(gòu)的3D NAND閃存芯片。對(duì)于閃存技術(shù)的未來(lái)發(fā)展而言，這可謂是相當(dāng)重大的消息。
2017-07-04 16:30:52744 
目前，東芝和西數(shù)先后宣布成功開(kāi)發(fā)基于四比特單元3D NAND閃存芯片，即QLC閃存，這也意味著QLC SSD將要來(lái)臨。那么，它與TLC閃存又有什么區(qū)別，能否取代TLC成為SSD主流閃存之選？
2017-08-01 10:21:1393429 
? 前些天，新聞曝光的中芯國(guó)際花了1．2億美元從荷蘭ASML買(mǎi)來(lái)一臺(tái)EUV極紫外光刻機(jī)，未來(lái)可用于生產(chǎn)7nm工藝芯片，而根據(jù)最新消息稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也迎來(lái)了自己的第一臺(tái)光刻機(jī)，國(guó)產(chǎn)SSD固態(tài)硬盤(pán)將迎來(lái)重大突破。
2018-06-29 11:24:008502 日前，東芝（TOSHIBA）、西數(shù)（WD）等存儲(chǔ)器大廠分別宣布推出 96 層堆棧的 QLC 快閃存儲(chǔ)器，核心容量可達(dá) 1.33TB，單一模塊就可做到 2.66TB 容量。不過(guò)因 QLC 快閃存儲(chǔ)
2018-07-26 18:01:002036 紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）宣布，將首次參加8月份在美舉行的閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit）。
2018-07-30 17:57:274043 作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（長(zhǎng)江存儲(chǔ)）今年將首次參加閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit），并發(fā)表備受期待的主題演講，闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)XtackingTM。
2018-07-31 14:17:014494 作為NAND行業(yè)的新晉者，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱：長(zhǎng)江存儲(chǔ)）昨日公開(kāi)發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:001673 今年的閃存技術(shù)峰會(huì)，美光、SK海力士包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)都宣布了新一代的立體堆疊閃存方案，SK海力士稱之為“4D NAND”，長(zhǎng)江存儲(chǔ)稱之為Xtacking，美光則稱之為“CuA”。CuA是CMOS under Array的縮寫(xiě)
2018-08-12 09:19:286697 2018年8月7日的美國(guó)閃存峰會(huì)（FMS）上，海力士，三星，東芝，西部數(shù)據(jù)，Intel等NAND廠商紛紛發(fā)布QLC架構(gòu)的快閃存儲(chǔ)器或基于QLC NAND的SSD產(chǎn)品，滿足市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)容量日益激增的需求，那么QLC是什么呢？它的性能真的比SLC、MLC、TLC要好嗎
2018-08-18 08:34:497074 10 月 29 日，云從科技宣布在語(yǔ)音識(shí)別技術(shù)上取得重大突破，該技術(shù)在全球最大的開(kāi)源語(yǔ)音識(shí)別數(shù)據(jù)集 Librispeech 上刷新了世界紀(jì)錄，錯(cuò)詞率低至 2.97%，指標(biāo)提升了 25%，超過(guò)微軟、谷歌、阿里、約翰霍普金斯大學(xué)等企業(yè)及高校 。
2018-11-01 15:13:403612 據(jù)悉，近日，漢能砷化鎵（GaAs）技術(shù)再獲重大突破。據(jù)世界三大再生能源研究機(jī)構(gòu)之一的德國(guó)弗勞恩霍夫太陽(yáng)能系統(tǒng)研究所（Fraunhofer ISE）認(rèn)證，漢能阿爾塔砷化鎵薄膜單結(jié)電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到29.1%，再次刷新世界紀(jì)錄。
2018-11-19 15:31:477049 QLC即Quad-Level Cell架構(gòu)，每個(gè)閃存單元內(nèi)可儲(chǔ)存4個(gè)比特?cái)?shù)據(jù)，相比TLC閃存的存儲(chǔ)密度提升33%。為了表達(dá)4比特?cái)?shù)據(jù)，一個(gè)QLC閃存單元擁有多達(dá)16種電壓狀態(tài)，對(duì)閃存品質(zhì)及主控糾錯(cuò)能力提出了很高的要求。
2019-04-09 09:56:534270 據(jù)Digitimes報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）將于年底前投入64層3D閃存的量產(chǎn)工作。其中風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)預(yù)計(jì)三季度啟動(dòng)，目前良率已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了顯著爬升。
2019-05-08 09:18:442627 據(jù)悉，臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院（ITRI）下屬的電子與光電子系統(tǒng)研究實(shí)驗(yàn)室（EOSRL）日前宣布，在Micro LED芯片巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了重大突破。
2019-05-24 15:29:252215 小“艾”課堂開(kāi)課啦 | TWS耳機(jī)低功耗重大突破及充電盒設(shè)計(jì)新潮流
2019-07-03 18:24:132782 紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁出了國(guó)產(chǎn)閃存的重要一步，已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù)，核心容量256Gb。
2019-09-06 16:26:451596 紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁出了國(guó)產(chǎn)閃存的重要一步，已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù)，核心容量256Gb。
2019-10-02 14:38:001497 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片終于“抬起了頭”。
在被美日韓掌控的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上，終于有中國(guó)公司可以殺進(jìn)去跟國(guó)際大廠正面競(jìng)爭(zhēng)了。據(jù)報(bào)道，今年一季度，紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）開(kāi)始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存，容量 256Gb，TLC 芯片，初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-29 09:46:243071 紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天宣布，在北京舉行的“2020中國(guó)IC風(fēng)云榜”上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司獲得了備受矚目的年度技術(shù)突破獎(jiǎng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事，紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京代表公司領(lǐng)獎(jiǎng)。
2020-01-03 08:58:232477 根據(jù)消息報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司副董事長(zhǎng)楊道虹表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目經(jīng)過(guò)3年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效，自主開(kāi)發(fā)的64層三維閃存產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-15 14:11:143046 今天，長(zhǎng)江存儲(chǔ)召開(kāi)市場(chǎng)合作伙伴新春溝通會(huì)，紫光、群聯(lián)、威剛、慧榮等知名大廠前來(lái)站臺(tái)，其中威剛還宣布將會(huì)率先推出搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存的消費(fèi)級(jí)SSD產(chǎn)品。現(xiàn)在根據(jù)科創(chuàng)板電報(bào)的消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存的存儲(chǔ)密度是全球第一，絕不是低端產(chǎn)品。
2020-01-17 10:26:083043 1月16號(hào)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)召開(kāi)市場(chǎng)合作伙伴新春溝通會(huì)，紫光、群聯(lián)、威剛、慧榮等知名大廠前來(lái)站臺(tái)，其中威剛還宣布將會(huì)率先推出搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存的消費(fèi)級(jí)SSD產(chǎn)品。現(xiàn)在根據(jù)科創(chuàng)板電報(bào)的消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存的存儲(chǔ)密度是全球第一，絕不是低端產(chǎn)品。
2020-01-17 14:43:553448 2019年國(guó)內(nèi)公司在內(nèi)存、閃存行業(yè)同時(shí)取得了重大突破，長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)了64層3D閃存，合肥長(zhǎng)鑫則量產(chǎn)了18nm DDR4內(nèi)存。日前長(zhǎng)鑫官網(wǎng)也宣布開(kāi)售8GB DDR4內(nèi)存條。
2020-03-02 09:21:431336 近日，我國(guó)在基于量子中繼的量子通信網(wǎng)絡(luò)技術(shù)方面取得重大突破，在國(guó)際上首次實(shí)現(xiàn)相距50公里光纖的存儲(chǔ)器間的量子糾纏。
2020-04-03 17:58:443061 今年初，長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷(xiāo)售資深副總裁龔翔曾公開(kāi)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將跳過(guò)如今業(yè)界常見(jiàn)的96層堆疊閃存技術(shù)，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作。
2020-04-08 16:38:21870 在今年，全球閃存廠商都在集體奔向100+層，例如SK海力士的128層已經(jīng)穩(wěn)定出貨，并計(jì)劃在年底推出196層內(nèi)存，三星、鎂光、西數(shù)、Intel也都已經(jīng)突破了百層。近期，國(guó)內(nèi)長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷(xiāo)售資深副總裁龔翔表示，將跳過(guò)96層，直接投入128層閃存的技術(shù)研發(fā)和量產(chǎn)。
2020-04-11 16:47:513455 今日（4月13日），長(zhǎng)江存儲(chǔ)重磅宣布，其128層QLC 3D閃存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控商場(chǎng)SSD等終端產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 09:23:09813 2020年4月13日，中國(guó)武漢，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)
2020-04-13 09:29:415571 4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC3DNAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格
2020-04-13 14:25:113080 2020年4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 14:41:522662 4月13日，紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（長(zhǎng)江存儲(chǔ)）宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功。
2020-04-13 17:14:491133 長(zhǎng)江儲(chǔ)存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功，型號(hào)為X2-6070，并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲(chǔ)存產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-19 10:14:062803 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發(fā)成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:002654 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功，這標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商向世界最先進(jìn)技術(shù)水準(zhǔn)又邁進(jìn)了一步。
2020-05-07 14:59:224875 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-12 09:54:014152 日前，快商通在民營(yíng)醫(yī)療行業(yè)的知識(shí)圖譜項(xiàng)目「醫(yī)療知識(shí)圖譜工程平臺(tái)」獲得重大突破，11年耕耘產(chǎn)生質(zhì)變。
2021-03-16 16:31:221049 SSD硬盤(pán)現(xiàn)在已經(jīng)開(kāi)始從TLC閃存向著QLC閃存升級(jí)，未來(lái)很快還會(huì)升級(jí)到PLC，容量還會(huì)增加，但是代價(jià)就是寫(xiě)入壽命越來(lái)越低。從行業(yè)報(bào)告來(lái)看，PLC閃存的P/E壽命最短只有35次。
2020-06-30 15:54:142501 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功。同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號(hào)：X2-9060），用以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2020-07-06 16:49:421382 最近關(guān)于QLC閃存的消息不斷，最勁爆的莫過(guò)于武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功研發(fā)全球首款128層QLC 3D NAND閃存，多項(xiàng)技術(shù)世界領(lǐng)先，最快年底量產(chǎn)。
2020-07-30 11:40:1017415 9月9日下午，致鈦科技正式宣布，9月10日14時(shí)將舉行線上發(fā)布會(huì)，屆時(shí)會(huì)正式推出致鈦品牌的SSD新品，使用的是長(zhǎng)江存儲(chǔ)自己生產(chǎn)的3D閃存。
2020-09-10 10:02:33854 Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:161896 Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:191932 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，專(zhuān)注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492033 閃存是最常用器件之一，在諸如SSD等存儲(chǔ)設(shè)備中均存在閃存。但是，大家對(duì)閃存真的足夠了解嗎?為增進(jìn)大家對(duì)閃存的了解和認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)QLC閃存以及TLC閃存相關(guān)內(nèi)容予以介紹。如果你對(duì)閃存具有興趣，不妨
2020-11-06 17:38:5883078 
在2019年9月份之前，國(guó)內(nèi)廠商在全球閃存市場(chǎng)上幾乎沒(méi)有存在感，國(guó)產(chǎn)率基本上為0，一年之后國(guó)產(chǎn)閃存已經(jīng)進(jìn)入全球第七了，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的產(chǎn)能占比已經(jīng)達(dá)到了全球1%。
2020-11-19 15:25:046013 在2019年9月份之前，國(guó)內(nèi)廠商在全球閃存市場(chǎng)上幾乎沒(méi)有存在感，國(guó)產(chǎn)率基本上為0，一年之后國(guó)產(chǎn)閃存已經(jīng)進(jìn)入全球第七了，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的產(chǎn)能占比已經(jīng)達(dá)到了全球1%。 中國(guó)閃存市場(chǎng)日前公布了Q3季度全球閃存
2020-11-19 15:33:222343 長(zhǎng)江存儲(chǔ)去年9月份國(guó)內(nèi)第一個(gè)宣布量產(chǎn)64層堆棧3D閃存，一提到國(guó)產(chǎn)閃存，很多人都說(shuō)沒(méi)看見(jiàn)，實(shí)際上已經(jīng)有多款產(chǎn)品用上了國(guó)產(chǎn)閃存，華為Mate40系列手機(jī)現(xiàn)在也使用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的閃存。 日前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2020-11-20 18:15:272693 楊士寧表示，很多人反映很少看到國(guó)產(chǎn)內(nèi)存， 實(shí)際上華為Mate 40系列手機(jī)現(xiàn)在也使用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存。 他強(qiáng)調(diào)，與國(guó)際存儲(chǔ)大廠6年的路程相比， 長(zhǎng)江存儲(chǔ)僅用了短短3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)了3D NAND的32層、64層、128層的跨越。 會(huì)議上， 他還展示了長(zhǎng)江存儲(chǔ) 先進(jìn)的Xt
2020-11-23 11:59:264363 據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體報(bào)道稱，臺(tái)積電（TSMC） 在實(shí)現(xiàn)2nm工藝方面取得了重大突破，該工藝可以生產(chǎn)數(shù)十億個(gè)晶體管，可能會(huì)突破摩爾定律放慢的局限。
2020-11-24 16:54:061148 
在固態(tài)硬盤(pán)領(lǐng)域，一直有QLC和TLC顆粒之爭(zhēng)，無(wú)非就是讀寫(xiě)性能和壽命，對(duì)QLC顆粒產(chǎn)品不信任。但是一個(gè)不爭(zhēng)的事實(shí)是，包括英睿達(dá)等頂級(jí)存儲(chǔ)廠商均不斷推出搭載了QLC顆粒的大容量存儲(chǔ)，尤其是英睿達(dá)今年
2020-12-02 10:41:201888 
得益于容量大、價(jià)格低的優(yōu)勢(shì)，如今越來(lái)越多的SSD硬盤(pán)轉(zhuǎn)向QLC閃存，大家擔(dān)心的主要是QLC閃存的壽命，具體來(lái)說(shuō)就是P/E擦寫(xiě)次數(shù)，通常在1000次左右，而IBM現(xiàn)在解決了QLC壽命問(wèn)題，做到了史無(wú)前例的16000次擦寫(xiě)壽命，壽命比SLC還強(qiáng)。
2020-12-08 09:40:034117 日前，記者獲悉，吉林奧來(lái)德光電材料股份有限公司在封裝材料方面取得重大突破，產(chǎn)品綜合性能已經(jīng)達(dá)到國(guó)外同等水平，其中部分物理性能和穩(wěn)定性表現(xiàn)突出，在水、氧阻隔方面具有良好的表現(xiàn)。
2020-12-21 11:44:33981 2019年長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)的64層閃存開(kāi)始量產(chǎn)之后，2020年他們又帶來(lái)了128層閃存，2021年則會(huì)帶來(lái)192層閃存。 日經(jīng)新聞亞洲版報(bào)道稱，中國(guó)閃存廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在加速擴(kuò)張閃存產(chǎn)能，計(jì)劃在2021
2021-01-12 14:37:426615 昨天日經(jīng)新聞亞洲版報(bào)道稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)2021年的產(chǎn)能將翻倍，達(dá)到10萬(wàn)片晶圓/月，年中還有192層閃存的試產(chǎn)，不過(guò)長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天否認(rèn)相關(guān)內(nèi)容。
2021-01-14 10:21:382084 此前4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。這標(biāo)志著國(guó)內(nèi)3D NAND領(lǐng)域正式進(jìn)入國(guó)際先進(jìn)水平。
2021-01-17 10:19:202855 2020年4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，這也是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存。同年8月14日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團(tuán)展臺(tái)上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:362106 SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存一路發(fā)展下來(lái)，容量密度越來(lái)越高，成本越來(lái)越低，性能和壽命卻越來(lái)越渣，不得不依靠各種技術(shù)以及主控優(yōu)化來(lái)輔助，但依然不容樂(lè)觀。
2021-02-22 09:26:421488 SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存一路發(fā)展下來(lái)，容量密度越來(lái)越高，成本越來(lái)越低，性能和壽命卻越來(lái)越渣，不得不依靠各種技術(shù)以及主控優(yōu)化來(lái)輔助，但依然不容樂(lè)觀。 TLC依然是目前市場(chǎng)
2021-02-22 09:53:271543 
SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存一路發(fā)展下來(lái)，容量密度越來(lái)越高，成本越來(lái)越低，性能和壽命卻越來(lái)越渣，不得不依靠各種技術(shù)以及主控優(yōu)化來(lái)輔助，但依然不容樂(lè)觀。
2021-02-22 10:00:493054 
在2021 IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)上，IBM和三星聯(lián)合宣布，他們?cè)诎雽?dǎo)體設(shè)計(jì)方面取得一項(xiàng)重大突破。
2022-03-16 09:56:02343 昨日消息，國(guó)內(nèi)專(zhuān)注于3D NAND閃存及存儲(chǔ)器解決方案的半導(dǎo)體集成電路企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布推出UFS 3.1通用閃存-UC023。
2022-04-20 11:47:521840 蘋(píng)果公司將長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YTMC）納入供應(yīng)商名單。蘋(píng)果與YTMC合作的目的是通過(guò)使供應(yīng)商多樣化來(lái)降低NAND閃存的價(jià)格。
2022-09-08 11:55:23543 部署QLC存儲(chǔ)設(shè)備。 QLC可以給存儲(chǔ)設(shè)備帶來(lái)更低的成本，作為消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品的嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備，未來(lái)引入QLC也是勢(shì)在必行。 但和當(dāng)前主流TLC相比，QLC在性能和壽命上都相差很大，從下面某原廠TLC和QLC在性能和壽命方面的一個(gè)對(duì)比可見(jiàn)一斑。 （ Table 1:某原廠TLC和
2023-02-14 15:05:05363 據(jù)外媒報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)去年7月生產(chǎn)了232層3D NAND閃存樣機(jī)，同年11月開(kāi)始投入量產(chǎn)。
2023-02-28 10:51:251673 SK海力士收購(gòu)Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重組而來(lái)的Solidigm，就發(fā)布了一款QLC閃存的企業(yè)級(jí)產(chǎn)品P5-D5430，可以說(shuō)是QLC SSD的一個(gè)代表作。
2023-06-09 10:41:43504 
QLC存儲(chǔ)設(shè)備。QLC可以給存儲(chǔ)設(shè)備帶來(lái)更低的成本，作為消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品的嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備，未來(lái)引入QLC也是勢(shì)在必行。但和當(dāng)前主流TLC相比，QLC在性能和壽命上都相差
2023-02-22 14:12:23376 
長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)將3D NAND閃存做到了232層堆疊，存儲(chǔ)密度15.47Gb每平方毫米，而且傳輸速度高達(dá)2400MT/s，妥妥的世界第一，結(jié)果被美國(guó)一直禁令給攔住了，死死限制在128層，但我們肯定不會(huì)坐以待斃。
2023-07-20 09:44:311266 
華為芯片迎重大突破：目前華為的麒麟系列芯片已經(jīng)成為世界上最強(qiáng)大的移動(dòng)芯片之一，被廣泛應(yīng)用于華為自家的旗艦手機(jī)以及平板電腦等設(shè)備上。 華為一直是全球領(lǐng)先的芯片設(shè)計(jì)和制造企業(yè)之一，近年來(lái)通過(guò)自主研發(fā)
2023-09-06 11:14:563405 長(zhǎng)江存儲(chǔ)1Tb TLC芯片的存儲(chǔ)密度已達(dá)15.47Gb每平方毫米，1Tb QLC更是高達(dá)19.8Gb每平方毫米，在兩種閃存類(lèi)型中都無(wú)出其右者。
2023-11-02 11:11:46902 
訴訟旨在解決以下問(wèn)題的一個(gè)方面：美光試圖通過(guò)迫使長(zhǎng)江存儲(chǔ)退出3D NAND Flash（閃存）市場(chǎng)來(lái)阻止競(jìng)爭(zhēng)和創(chuàng)新。
2023-11-13 15:47:51301 長(zhǎng)江存儲(chǔ)在以上起訴書(shū)中稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)不再是新秀（upstart），而已成為全球3D NAND市場(chǎng)的重要參與者。長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示，去年11月，分析和跟蹤閃存市場(chǎng)的TechInsights公司得出結(jié)論：長(zhǎng)江存儲(chǔ)是3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，超過(guò)了美光。
2023-11-13 16:53:04540 
長(zhǎng)江存儲(chǔ)與美光芯片戰(zhàn)升級(jí)。3D NAND閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)，已于9日在美國(guó)加州北區(qū)地方法院對(duì)美國(guó)記憶芯片龍頭美光科技提告，指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)8項(xiàng)與3D NAND相關(guān)的美國(guó)專(zhuān)利。
2023-11-13 17:24:51554 ”；這是我國(guó)在光存儲(chǔ)領(lǐng)域獲重大突破。有助于解決大容量和節(jié)能的存儲(chǔ)技術(shù)難題。 利用國(guó)際首創(chuàng)的雙光束調(diào)控聚集誘導(dǎo)發(fā)光超分辨光存儲(chǔ)技術(shù)，實(shí)驗(yàn)上首次在信息寫(xiě)入和讀出均突破了衍射極限的限制，實(shí)現(xiàn)了點(diǎn)尺寸為54nm、道間距為70
2024-02-22 18:28:451361 值得注意的是，長(zhǎng)江存儲(chǔ)首席技術(shù)官（CTO）霍宗亮指出，NAND閃存行業(yè)已經(jīng)在飽受煎熬的2023年逐步復(fù)蘇，并有望在2023~2027年間實(shí)現(xiàn)21%的復(fù)合增長(zhǎng)率以及20%的累計(jì)設(shè)備平均容量增長(zhǎng)。
2024-03-28 13:57:5787 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道長(zhǎng)江存儲(chǔ)4月13日重磅發(fā)布兩款128層3D NAND產(chǎn)品引起業(yè)界高度關(guān)注，其中128層QLC產(chǎn)品為目前業(yè)內(nèi)發(fā)布的首款單顆Die容量達(dá)1.33Tb的NAND閃存，容量、性能均優(yōu)于主要
2020-04-14 09:17:335021 在CITE 2020上，紫光集團(tuán)帶來(lái)了大量產(chǎn)品，其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144032
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