對(duì)比韓企存儲(chǔ)技術(shù)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展如何

韓國(guó)媒體《商業(yè)觀察》發(fā)表文章稱，韓國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)的地位岌岌可危。這是因?yàn)橹袊?guó)等海外企業(yè)的技術(shù)正在快速增長(zhǎng)。雪上加霜的是，今年半導(dǎo)體市場(chǎng)也將面臨困境。

有專家表示，現(xiàn)在其他公司的200層以上NAND閃存幾乎無法買到，而中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技公司（YMTC）的232層NAND閃存在市場(chǎng)上很容易買到。長(zhǎng)江存儲(chǔ)擁有超過200層的層壓結(jié)構(gòu)并實(shí)際應(yīng)用這一事實(shí)意味著已經(jīng)取得了重大的技術(shù)進(jìn)步。

據(jù)外媒報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)去年7月生產(chǎn)了232層3D NAND閃存樣機(jī)，同年11月開始投入量產(chǎn)。

去年11月，三星電子開始量產(chǎn)NAND閃存，估計(jì)有236層。長(zhǎng)江存儲(chǔ)NAND閃存業(yè)務(wù)起步較三星電子晚。然而，200層以上的NAND閃存同時(shí)量產(chǎn)成功，迅速縮小了技術(shù)差距。

三星電子、SK海力士、美光從2014年左右開始在市場(chǎng)上推出了3D NAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)從2018年開始了3D NAND閃存業(yè)務(wù)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)雖然有后來者的局限性，但技術(shù)能力正在迅速增長(zhǎng)。

美國(guó)的追擊也很兇狠。美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)美光去年7月在世界上首次成功批量生產(chǎn)了232層NAND閃存。新一代DRAM也最先公開。美光去年11月在市場(chǎng)上首次推出了“10納米級(jí)第五代（1b）DRAM”。業(yè)界擔(dān)心，美光接連獲得“世界第一”頭銜后，韓國(guó)企業(yè)的行業(yè)地位正在動(dòng)搖。

另外，美光擁有很多專利，這也將對(duì)韓國(guó)企業(yè)構(gòu)成威脅。現(xiàn)在美光擁有的專利是三星電子和SK海力士的2倍左右。業(yè)內(nèi)人士表示，美光致力于專利是為了今后在3D DRAM領(lǐng)域占據(jù)優(yōu)勢(shì)。

對(duì)此，有韓國(guó)專家主張說：“為了甩開海外企業(yè)的追擊，應(yīng)該加快技術(shù)開發(fā)速度。美光等企業(yè)正在積極進(jìn)軍市場(chǎng)。韓國(guó)企業(yè)也有必要提前技術(shù)開發(fā)計(jì)劃，以擺脫海外企業(yè)的追擊。”

有人預(yù)測(cè)，今年半導(dǎo)體市場(chǎng)將出現(xiàn)負(fù)增長(zhǎng)。國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)（SEMI）市場(chǎng)研究與統(tǒng)計(jì)部研究員Ina Skvortsova表示，“今年半導(dǎo)體市場(chǎng)因經(jīng)濟(jì)不利因素和地緣政治問題，預(yù)計(jì)將下滑約7%，為5500億美元?！?/p>

研究員Skvortsova將今年半導(dǎo)體的下滑分析為“周期”的一部分。他說：“通常半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)2年，會(huì)經(jīng)歷1年的低迷期。從現(xiàn)在的市場(chǎng)方向來看，增長(zhǎng)勢(shì)頭會(huì)下降，進(jìn)入停滯期?！?/p>

但從長(zhǎng)期來看，半導(dǎo)體市場(chǎng)有望保持穩(wěn)定的增長(zhǎng)勢(shì)頭。Skvortsova預(yù)測(cè)說：“半導(dǎo)體芯片的增長(zhǎng)潛力很好，可以稱之為新的石油。半導(dǎo)體市場(chǎng)在今后10年間將增長(zhǎng)到1.3萬億美元?！睋?jù)SEMI推算，去年整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)5900億美元。據(jù)分析，今后將增長(zhǎng)2倍以上。

編輯：黃飛

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