長(zhǎng)江存儲(chǔ)起訴美光 涉及專利侵權(quán)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)，中國(guó)最大的閃存芯片制造商，已向美國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭美光提起了專利侵權(quán)訴訟。根據(jù)美國(guó)加州北區(qū)地方法院的文件，該法院已于11月9日受理了長(zhǎng)江存儲(chǔ)對(duì)美光及其子公司的專利侵權(quán)案。

起訴書中指出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)稱美光在未經(jīng)授權(quán)的情況下使用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利技術(shù)，并以此來(lái)保護(hù)自己的市場(chǎng)份額并進(jìn)行市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)還指責(zé)美光未為使用這些專利支付合理費(fèi)用，侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的利益，并阻礙了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的創(chuàng)新動(dòng)力。此外，長(zhǎng)江存儲(chǔ)還指控美光在自己的專利文件中引用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的相關(guān)專利，這證明美光認(rèn)識(shí)到長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利組合的重要性，但美光并未采取任何實(shí)際行動(dòng)來(lái)獲取長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利授權(quán)。

此次訴訟旨在解決以下一個(gè)方面的問(wèn)題：美光試圖通過(guò)迫使長(zhǎng)江存儲(chǔ)退出3D NAND閃存市場(chǎng)來(lái)阻止競(jìng)爭(zhēng)和創(chuàng)新。

根據(jù)報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)指控美光侵犯了多項(xiàng)美國(guó)專利，專利號(hào)分別為“10，950，623”、“11，501，822”、“10，658，378”、“10，937，806”、“10，861，872”、“11，468，957”、“11，600，342”和“10，868，031”。

被指控侵權(quán)的美光產(chǎn)品包括96層、128層、176層和232層的3D NAND產(chǎn)品。

據(jù)悉，去年TechInsights公司對(duì)閃存市場(chǎng)進(jìn)行的分析發(fā)現(xiàn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已超過(guò)美光成為3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者。

此次長(zhǎng)江存儲(chǔ)對(duì)美光提起的專利侵權(quán)訴訟具有一定的象征意義。在起訴書中，長(zhǎng)江存儲(chǔ)聲稱自己目前是全球3D NAND技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，并得到了行業(yè)和第三方機(jī)構(gòu)的廣泛認(rèn)可。長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)創(chuàng)新改善了3D NAND的速度、性能、密度、可靠性和產(chǎn)量，推動(dòng)了多種電子設(shè)備的創(chuàng)新。

編輯：黃飛