長江存儲或?qū)?021年存儲芯片產(chǎn)量提高一倍

據(jù)媒體報道，長江存儲計劃今年把產(chǎn)量提高一倍，計劃到下半年將每月的存儲芯片產(chǎn)量提高到10萬片晶圓，并準(zhǔn)備試產(chǎn)192層NAND快閃記憶體晶片，最快將于2021年中試產(chǎn)，不過該試產(chǎn)計劃可能會推遲至2021下半年。

市場一流供應(yīng)商目前仍在開發(fā)176層3D NAND晶片，而當(dāng)前可量產(chǎn)的最先進版本為128層NAND晶片。

此前4月13日，長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。這標(biāo)志著國內(nèi)3D NAND領(lǐng)域正式進入國際先進水平。

作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。據(jù)長江存儲介紹，128層QLC版本將率先應(yīng)用于消費級SSD，并逐步進入企業(yè)級服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

2020年三季度以來，長江存儲一直忙于引進與安裝必要的生產(chǎn)設(shè)備與擴大生產(chǎn)線。目前長江存儲同時生產(chǎn)64層與128層3D快閃記憶體晶片，但將逐步將更多產(chǎn)能轉(zhuǎn)向后者。

據(jù)透露，長江存儲最快將于2021年中展開192層3D NAND快閃晶片試產(chǎn)，將是中國半導(dǎo)體業(yè)者首次試產(chǎn)這類晶片。如三星、美光等市場一流供應(yīng)商，目前仍在開發(fā)176層3D NAND晶片，而當(dāng)前可量產(chǎn)的最先進版本為128層NAND晶片。

半導(dǎo)體行業(yè)掀產(chǎn)能擴張+國產(chǎn)替代潮

2018年-2020年，長江存儲實現(xiàn)了從32層到64層再到128層的技術(shù)躍進，在市場份額高度集中的存儲芯片市場，國產(chǎn)存儲芯片的量產(chǎn)和上市對填補國產(chǎn)存儲的空白具有重要意義。具體表現(xiàn)在，長江存儲和合肥長鑫的產(chǎn)線處于產(chǎn)能爬坡過程中，尚存在較大的產(chǎn)能空間，在其產(chǎn)能擴張過程中將有力拉動國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商釋放業(yè)績。

中信證券1月7日發(fā)布研報稱，長江存儲、華虹集團、中芯國際、長鑫存儲等晶圓廠積極擴產(chǎn)，驅(qū)動國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場增速兩倍于全球，行業(yè)產(chǎn)能緊張下擴產(chǎn)進度有望加快。其中，長江存儲一期項目于2019年產(chǎn)能達到2萬片/月，2020年擴產(chǎn)至5萬片/月以上水平，預(yù)計一期項目未來將達到10萬片/月產(chǎn)能，另外二期土建已于2020年6月開工，兩期產(chǎn)能規(guī)劃共30萬片/月。

據(jù)中信證券整理的長江存儲2018年至2020年三年間的約2500臺設(shè)備招標(biāo)情況，日本、美國廠商仍占據(jù)主導(dǎo)地位，但國內(nèi)廠商占比逐年上升。2019年長江存儲1088臺設(shè)備招標(biāo)中，中國廠商設(shè)備占比9.65%，而2020年長江存儲1107臺設(shè)備招標(biāo)中，中國廠商設(shè)備占比達到14.36%，呈現(xiàn)上升趨勢。北方華創(chuàng)、中微公司、盛美股份分別累計中標(biāo)97臺/45臺/25臺，位于國產(chǎn)廠商前列。

由此，中信證券表示，產(chǎn)能擴張+國產(chǎn)替代積極推進，看好2021年半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展。展望2021年，包括長江存儲、長鑫存儲等IDM廠、華虹無錫、華力集成、中芯國際等晶圓代工廠均有持續(xù)產(chǎn)能擴增計劃，在當(dāng)前行業(yè)產(chǎn)能緊張背景下，包括晶圓制造、封裝測試設(shè)備訂單均有望爆發(fā)。另一方面，中芯國際事件進一步激發(fā)國內(nèi)廠商危機意識，國產(chǎn)新機臺的驗證工作有望積極推進，利好國內(nèi)設(shè)備廠商。
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