長江存儲量產(chǎn)64層3D NAND閃存 一文盤點2019年存儲產(chǎn)業(yè)大事件

與2018年的并購、建廠、擴產(chǎn)、投產(chǎn)相比，到目前為止，今年的存儲器領(lǐng)域并未出現(xiàn)大規(guī)模的并購建廠，而是更加注重技術(shù)的升級、以及新產(chǎn)品的研發(fā)。

國內(nèi)企業(yè)方面長江存儲和合肥長鑫兩個重大項目的投產(chǎn)，無疑為其他存儲器企業(yè)增添了信心。

下面一起回顧一下2019年前9個月存儲產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域發(fā)生的那些大事件。

（一）國內(nèi)企業(yè)篇

紫光集團

正式進軍DRAM產(chǎn)業(yè)

6月30日，紫光集團正式宣布組建紫光集團事業(yè)群，為此紫光集團組建了DRAM事業(yè)群，由刁石京任事業(yè)群董事長，高啟全為事業(yè)群CEO。

眾所周知，紫光集團此前一直以NAND Flash為存儲器重點發(fā)展方向，如今，DRAM事業(yè)群的組建意味著紫光集團正式進軍DRAM領(lǐng)域。

隨后，紫光迅速布局，并于8月27日與重慶市政府簽署了合作協(xié)議，將在重慶建設(shè)DRAM總部研發(fā)中心、紫光DRAM事業(yè)群總部、DRAM存儲芯片制造工廠等。其中紫光重慶DRAM存儲芯片制造工廠主要專注于12英寸DRAM存儲芯片的制造，該工廠計劃于2019年底開工建設(shè)，預(yù)計2021年建成投產(chǎn)。

長江存儲量產(chǎn)64層3D NAND閃存

紫光集團旗下長江存儲的64層3D NAND閃存芯片在第二屆中國國際智能產(chǎn)業(yè)博覽會上首次公開展出。

隨后，長江存儲在其官方微信正式宣布，已經(jīng)量產(chǎn)64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。

據(jù)了解，長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking架構(gòu)設(shè)計并實現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品。而Xtacking架構(gòu)是長江存儲于今年8月推出的全新3D NAND架構(gòu)，通過此架構(gòu)引入批量生產(chǎn)，可以顯著提升產(chǎn)品性能、縮短開發(fā)周期和生產(chǎn)制造周期。

長江存儲上海研發(fā)中心落戶張江

在2019世界人工智能大會期間，長江存儲上海研發(fā)中心落子上海集成電路設(shè)計產(chǎn)業(yè)園。

據(jù)張江高科報道，紫光長存（上海）集成電路有限公司（以下簡稱“紫光長存”）與張江高科簽約的長江存儲上海研發(fā)中心為自主研發(fā)存儲芯片項目，屬芯片領(lǐng)域卡脖子關(guān)鍵產(chǎn)品，預(yù)計研發(fā)投入每年不低于1億元。

國家企業(yè)信息公示系統(tǒng)顯示，紫光長存成立于2019年4月，注冊資本5000萬元，由長江存儲科技有限責(zé)任公司100%持股。主要從事集成電路及相關(guān)產(chǎn)品的設(shè)計、研發(fā)、銷售，并提供相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)服務(wù)及技術(shù)咨詢，從事貨物及技術(shù)進出口業(yè)務(wù)。

合肥長鑫

長鑫存儲DRAM芯片宣布投產(chǎn)

9月20日，在安徽合肥召開的2019世界制造業(yè)大會上，長鑫存儲內(nèi)存芯片自主制造項目宣布投產(chǎn)，其與國際主流DRAM產(chǎn)品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相。

據(jù)了解，長鑫存儲內(nèi)存芯片自主制造項目于2016年5月由合肥市政府旗下投資平臺合肥產(chǎn)投與細分存儲器國產(chǎn)領(lǐng)軍企業(yè)兆易創(chuàng)新共同出資組建，是安徽省單體投資最大的工業(yè)項目，一期設(shè)計產(chǎn)能每月12萬片晶圓。

目前，該項目已通過層層評審，并獲得工信部旗下檢測機構(gòu)中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院的量產(chǎn)良率檢測報告。

據(jù)長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明表示，投產(chǎn)的8Gb DDR4已經(jīng)通過多個國內(nèi)外大客戶的驗證，今年底正式交付。

合肥長鑫集成電路制造基地項目簽約

9月21日，在2019世界制造業(yè)大會上，合肥市政府與長鑫存儲技術(shù)有限公司、華僑城集團有限公司、北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司等就合肥長鑫集成電路制造基地項目簽約。

合肥長鑫集成電路制造基地項目總投資超過2200億元，選址位于合肥空港經(jīng)濟示范區(qū)，占地面積約15.2平方公里，由長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目、空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園和合肥空港國際小鎮(zhèn)三個片區(qū)組成。

其中長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目總投資1500億元；空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園總投資超過200億元，位于長鑫存儲項目以西；合肥空港國際小鎮(zhèn)總投資約500億元，規(guī)劃面積9.2平方公里，總建筑面積420萬平方米，位于長鑫存儲項目以北。

制造基地全部建成后，預(yù)計可形成產(chǎn)值規(guī)模超2000億元，集聚上下游龍頭企業(yè)超200家，吸引各類人才超20萬人。

（二）國外企業(yè)篇

東 芝

一、與西數(shù)聯(lián)合投資北上K1工廠

今年5月，東芝存儲器和西數(shù)達成正式協(xié)議，共同投資東芝存儲器目前正在日本巖手縣北上市建造的“K1”制造工廠。

據(jù)了解，K1工廠將生產(chǎn)3D NAND Flash，以支持數(shù)據(jù)中心，智能手機和自動駕駛汽車等應(yīng)用中不斷增長的存儲需求。

東芝存儲器表示，K1工廠的建設(shè)預(yù)計將在2019年秋季完成，而東芝存儲器和西部數(shù)據(jù)對K1工廠設(shè)備的聯(lián)合投資將從2020年開始實現(xiàn)96層3D NAND Flash的初始生產(chǎn)，預(yù)計產(chǎn)量更高的時間則在2020年晚些時候開始。

二、四日市工廠停電

6月15日，日本四日市市停電13分鐘，而東芝存儲器因為在該市擁有多個工廠也隨之備受關(guān)注。

東芝存儲器在四日市市運營5個晶圓廠（分別為NY2，Y3，Y4，Y5和Y6），盡管東芝存儲器正試圖將其生產(chǎn)基地擴展到巖手縣的北上市，但就目前而言，其NAND生產(chǎn)仍舊以四日市市為中心。

如今，幾個月過去，東芝存儲器早已恢復(fù)生產(chǎn)。

據(jù)悉，該事件也影響了西數(shù)和東芝存儲器共同運營的生產(chǎn)設(shè)備，西數(shù)表示，事件對晶圓和制造設(shè)備的損害將使西數(shù)的損失達到3.39億美元，同時也使其第三季度的NAND晶圓供應(yīng)量減少約6 EB (exabytes)。

三、全球更名為Kioxia

7月18日，東芝存儲器宣布，將于2019年10月1日正式更名為Kioxia公司。全球所有東芝存儲器公司都會采用新的品牌名稱Kioxia，基本上同一天生效。而東芝電子（中國）有限公司計劃將于2020年春天完成更名。

東芝存儲器稱，融合了“記憶”與“價值”的雙重含義，Kioxia代表了公司以“存儲”助力世界發(fā)展的使命，同時也是公司愿景的基石。

從1987年發(fā)明了NAND閃存，到近期又推出最新3D NAND BiCS FLASHTM，東芝存儲器推動了閃存NAND的技術(shù)發(fā)展。

東芝表示，Kioxia將開創(chuàng)新的存儲器時代，以應(yīng)對日益增大的容量、高性能存儲和數(shù)據(jù)處理的需求。

8月30日，光寶宣布，將旗下固態(tài)儲存 (SSD) 事業(yè)部門分割讓予100%持股的子公司建興，然后再以股權(quán)出售方式，將固態(tài)儲存事業(yè)部轉(zhuǎn)讓予東芝存儲器。

其中出售的內(nèi)容包括存貨、機器設(shè)備、員工團隊、技術(shù)與知識產(chǎn)權(quán)、客戶供應(yīng)商關(guān)系等營業(yè)與資產(chǎn)，交易對價金額暫定為現(xiàn)金1.65億美元，而整起股權(quán)出售案預(yù)計2020年4月1日完成。

對于該收購案，集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心 (DRAMeXchange) 認為，光寶旗下的固態(tài)存儲事業(yè)具效率與靈活度的優(yōu)勢，東芝存儲器將有機會借著此次購并產(chǎn)生質(zhì)的飛躍。

美 光

一、恢復(fù)向華為出貨部分芯片

今年5月，美國商務(wù)部將華為列入一項黑名單后，美國存儲芯片大廠美光也停止了華為的出貨。然而，不久之后，有外媒報道，美光執(zhí)行長Sanjay Mehrotra表示，在評估美國對華為的禁售令之后，已經(jīng)恢復(fù)部分芯片出貨。

美光確定，可以合法恢復(fù)一部分現(xiàn)有產(chǎn)品出貨，因為這些產(chǎn)品不受出口管理條例 (EAR) 和實體清單的限制。Mehrotra同時指出，因為華為的情況依然存在不確定性，因此美光無法預(yù)測對華為出貨的產(chǎn)品數(shù)量或持續(xù)時間。

不過，到目前為止，尚未有美光再次向華為停止出貨的消息傳出。

二、延遲日本廣島DRAM新廠投資計劃

據(jù)了解，美光位于日本廣島的DRAM工廠 (Fab 15) 采用的是最先進制程技術(shù)。其中，該廠最新的生產(chǎn)廠房B棟已于6月初落成啟用，其無塵室的面積較原先擴大了10%。

該廠原本預(yù)計在2020年的7月份完成興建，如今已經(jīng)延遲到2021年的2月份，足足向后延遲了7個月的時間。

至于為何延遲投資？TrendForce集邦咨詢表示，全球貿(mào)易摩擦升溫恐致今年下半年需求急凍、不確定性氛圍提高，使得資料中心的資本支出放緩，預(yù)計在今年年底前，承壓能力差的DRAM供應(yīng)商恐怕將認列賬面上現(xiàn)有庫存損失，財務(wù)報表正式轉(zhuǎn)為虧損狀況。所以，在這樣的市場氛圍下，美光對于先前規(guī)劃的投資計劃，不得不做出修正與調(diào)整。

三、新加坡閃存廠完成擴建

盡管美光在日本廣島的DRAM新廠投資計劃被延遲，但在NAND Flash工廠的擴建方面，美光有了最新進展。2019年8月14日，美光宣布完成新加坡NAND Flash廠Fab 10A的擴建！

擴建的Fab 10A為晶圓廠區(qū)無塵室空間帶來運作上的彈性，可促進3D NAND技術(shù)先進制程節(jié)點的技術(shù)轉(zhuǎn)型。另外，擴建的Fab 10A廠區(qū)將根據(jù)市場需求調(diào)整資本支出，在技術(shù)及產(chǎn)能轉(zhuǎn)換調(diào)整情況下，F(xiàn)ab 10廠區(qū)總產(chǎn)能將保持不變。

Sanjay Mehrotra表示，新廠區(qū)將視市場需求調(diào)整資本支出及產(chǎn)能規(guī)劃，并應(yīng)用先進3D NAND制程技術(shù)，進一步推動5G、AI、自動駕駛等關(guān)鍵技術(shù)轉(zhuǎn)型。

SK海力士

一、停產(chǎn)部分NAND Flash產(chǎn)品

2019年第一季度，SK海力士財報表現(xiàn)不盡如人意，營收為6.77兆韓元，環(huán)比下滑32%，同比下滑22%；營業(yè)利潤為1.37兆韓元，環(huán)比下滑69%，同比下滑69%；凈利潤1.1兆韓元，環(huán)比下滑68%，同比下滑65%。

因此，SK海力士表示，為專注于改善收益，在NAND Flash部分，將停止生產(chǎn)成本較高的36層與48層3D NAND，同時提高72層產(chǎn)品的生產(chǎn)比重。

在DRAM領(lǐng)域，將逐漸擴大第一代10納米 (1X) 產(chǎn)量，并從下半年起，將主力產(chǎn)品更換為第二代10納米 (1Y) 產(chǎn)品。與此同時，為支援新款服務(wù)器芯片的高用量DRAM需求，將開始供給64GB模塊產(chǎn)品。

二、量產(chǎn)業(yè)界首款128層4D NAND芯片

6月26日，SK海力士宣布，已成功開發(fā)并開始量產(chǎn)世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。

在相同的4D平臺和工藝優(yōu)化下，SK海力士在現(xiàn)有96層NAND的基礎(chǔ)上又增加了32層，使制造工藝總數(shù)減少了5%。與以往技術(shù)遷移相比，96層向128層NAND過渡的投資成本降低了60%，大大提高了投資效率。

這款128層的1Tb NAND閃存芯片實現(xiàn)了業(yè)界最高的垂直堆疊，擁有3600多億個NAND單元，每個單元在一個芯片上存儲3位。相較于此前的96層4D NAND，SK海力士新的128層1Tb 4D NAND可使每塊晶圓的位產(chǎn)能提高40%。

三 星

推出1Z納米制程DRAM

在動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 制程陸續(xù)進入1X及1Y制程領(lǐng)域之后，三星電子于2019年3月21日宣布，開發(fā)第3代10納米等級 (1Z納米制程) 8GB高性能DRAM。

而這也是三星發(fā)展1Y納米制程DRAM之后，經(jīng)歷16個月，再開發(fā)出更先進制程的DRAM產(chǎn)品。

隨著1Z納米制程產(chǎn)品問世，并成為業(yè)界最小的存儲器生產(chǎn)節(jié)點，三星的生產(chǎn)效率比以前1Y納米等版DDR4 DRAMUL4高20%以上。

三星指出，跨入1Z納米制程的DRAM生產(chǎn)，將為全球IT加快朝向下一代DRAM界面，包括DDR5、LPDDR5和GDDR6等預(yù)做準(zhǔn)備。

量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM

今年年初，三星宣布開始量產(chǎn)大容量行動式DRAM——業(yè)界首款12GB LPDDR4X，而4個月之后，三星DRAM產(chǎn)品線再次增加新的成員。

7月18日，三星電子官方宣布量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。據(jù)了解，三星12Gb LPDDR5 DRAM主要針對未來智能手機，優(yōu)化其5G和AI功能。

采用第2代10納米等級制程的新款12Gb LPDDR5 DRAM，傳輸速度可達到5500Mbps，是現(xiàn)有LPDDR4X速率 (4266Mbps) 的1.3倍。三星表示，在本次12Gb LPDDR5 DRAM大量生產(chǎn)之后，2020年將量產(chǎn)16Gb的LPDDR5 DRAM顆粒。

本文來自全球半導(dǎo)體觀察公眾號，作者：劉靜，本文作為轉(zhuǎn)載分享。