長江存儲32層三維NAND閃存芯片量產(chǎn)提上日程 光谷是希望之地

4月11日，國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產(chǎn)準備階段。長江日報記者了解到，設備搬入、調(diào)試將耗費3個月左右的時間，然后開始小規(guī)模試產(chǎn)，如順利，今年四季度，中國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片有望在光谷實現(xiàn)量產(chǎn)。

去年9月，國家存儲器基地項目（一期）一號生產(chǎn)及動力廠房提前一個月實現(xiàn)封頂；如今，又提前20天實現(xiàn)了芯片生產(chǎn)機臺搬入。紫光集團董事長兼長江存儲董事長趙偉國介紹，生產(chǎn)機臺搬入對生產(chǎn)環(huán)境的要求很高，必須放在無塵室中并且提供相應的保障支持。因此，機臺搬入說明廠房內(nèi)部的潔凈室、電氣設備等內(nèi)部裝修已經(jīng)陸續(xù)完成，這比廠房封頂?shù)募夹g(shù)含量更高，難度更大。

9個月建設工廠，7個月實現(xiàn)機臺搬入，建設節(jié)點不斷提前。國家存儲器基地項目上，一度達到同時有6000人施工的規(guī)模，晝夜奮戰(zhàn)。生產(chǎn)機臺搬入是重要節(jié)點，據(jù)了解，當天搬入的設備只是第一臺，隨后要陸續(xù)從世界各地搬入各類高精密的芯片生產(chǎn)機臺進行調(diào)試，數(shù)量達2000多臺。設備調(diào)試完成后，才可以規(guī)模量化生產(chǎn)芯片。

按照計劃，今年四季度，設備有望點亮投產(chǎn)。紫光集團全球執(zhí)行副總裁、長江存儲執(zhí)行董事長高啟全透露，今年將量產(chǎn)的產(chǎn)品，是去年成功研發(fā)的中國首顆32層三維NAND閃存芯片，就在4月9日，這顆耗資10億美元、由1000人團隊歷時2年自主研發(fā)的芯片，獲得中國電子信息博覽會（CITE2018）金獎。這是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片，將有望使中國進入全球存儲芯片第一梯隊，有力提升“中國芯”在國際市場的地位。

“但這僅是剛剛開始?！备邌⑷邮茉L問時措辭謹慎。他介紹，32層三維NAND閃存芯片量產(chǎn)后，不會上很高的產(chǎn)量，“更主要的是完成完全自主技術(shù)積累，若技術(shù)不夠好，不會硬沖產(chǎn)量”。

目前，全球存儲器芯片技術(shù)主要掌握在韓、日、美等國企業(yè)手中，屬于相對壟斷市場。去年6月，三星宣布64層NAND閃存開始大規(guī)模量產(chǎn)。這些技術(shù)和產(chǎn)品，將推動以TB為單位的固態(tài)盤以及128GB以上的手機閃存迅速普及。

有數(shù)據(jù)顯示，2017年全球閃存芯片銷量超過500億美元，同比增加45%，預計2020年銷量超過1000億美元。中國市場進口超過半數(shù)，中國企業(yè)自主生產(chǎn)的存儲芯片基本上是空白。隨著需求量的激增，近3年來，全球存儲芯片的價格不斷上漲。

“板凳要坐十年冷?！壁w偉國說，未來的道路還很艱難漫長，要堅定信心、保持定力，“我們希望5年站穩(wěn)腳跟，別人沒法把我們打出去，但真正的成功需要10年時間”。

高啟全接受媒體采訪時也有類似表述，“前五年追趕技術(shù)，后五年增加產(chǎn)量”。他說，目前長江存儲完成了32層三維NAND閃存芯片的自主研發(fā)，也將投入量產(chǎn)，但產(chǎn)量和成本還不足以影響市場。“后發(fā)優(yōu)勢是不會走太多冤枉路，速度更快一點，但別人也在跑，追上去仍要花力氣、花時間”，高啟全說，64層閃存產(chǎn)品研發(fā)也在迅速進行，力爭2019年底實現(xiàn)產(chǎn)能爬坡量產(chǎn)，這樣，就能把與全球領先大廠的差距縮短在2年以內(nèi)，“希望用5年左右接近世界先進水平”。