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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>群聯(lián)全系列控制芯片支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND

群聯(lián)全系列控制芯片支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND

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2019-09-02 14:31:151204

長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)領(lǐng)域取得標(biāo)志性進(jìn)展

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2017-02-17 07:48:231529

Xtacking? 架構(gòu)取得三大技術(shù)突破,64層3D NAND預(yù)計(jì)明年批量出貨

集微網(wǎng)消息,9月19日,2018年中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(CFMS2018)在深圳舉行,長(zhǎng)江存儲(chǔ)總經(jīng)理?xiàng)钍繉幉┦恳浴皠?chuàng)新Xtacking?架構(gòu):釋放3D NAND潛能”為主題,介紹長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking?架構(gòu)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND新進(jìn)展。
2018-09-20 10:22:075376

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

全球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營(yíng)銷領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation, NASDAQ: SIMO)宣布該公司全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2020-09-11 10:03:292569

傳蘋果有意采購(gòu)長(zhǎng)江存儲(chǔ)NAND Flash

采購(gòu)。日經(jīng)新聞引述兩名知情人士消息稱,蘋果將把這些芯片用于新款 iPhone 以及特別是其他在中國(guó)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)銷售的產(chǎn)品。 蘋果與長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技皆未立即回應(yīng)置評(píng)請(qǐng)求。 長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層3D NAND Flash獲得了突破性進(jìn)展 2016年3月,總投資約1600億元人民幣的國(guó)家存儲(chǔ)器基地在武漢啟動(dòng)。四個(gè)月
2018-02-16 17:44:085459

長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn),拉開(kāi)國(guó)產(chǎn)閃存產(chǎn)品大幕!

2018年底長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)32層64Gb 3D NAND Flash量產(chǎn)。它注定將開(kāi)創(chuàng)中國(guó)存儲(chǔ)芯片的歷史。
2019-01-28 17:18:5517026

長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND 芯片導(dǎo)入江波龍 U 盤,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)一條龍

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2020-03-19 09:18:225200

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,重量輕,強(qiáng)度高,定義閃存科技新鈦度。致鈦將提供高品質(zhì)3D NAND閃存產(chǎn)品及解決方案,讓記憶承載夢(mèng)想。 長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布推出SSD品牌致鈦ZHITAI 據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在未來(lái)推出致鈦品牌的SSD產(chǎn)品。根據(jù)官方發(fā)布的海報(bào)來(lái)看,這款產(chǎn)品應(yīng)該是一款采用M.2接口的SSD硬盤。它
2020-08-28 18:24:142934

加速“去美化”,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將緩慢提高其NAND芯片產(chǎn)量

近期,加快芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程已經(jīng)成為中國(guó)科技企業(yè)最重要的議題之一,中國(guó)存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)與制造公司——長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在加速生產(chǎn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)將緩慢提高其NAND芯片產(chǎn)量,以爭(zhēng)取更多的市場(chǎng)份額。
2020-09-23 10:05:432655

3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒?

什么是3D NAND?什么是4D NAND?3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒?
2021-06-18 06:06:00

3D NAND及PCIe NVMe SSD為什么能晉升巿場(chǎng)主流?

3D NAND能否帶動(dòng)SSD市場(chǎng)爆炸性成長(zhǎng)?如何提升SSD壽命及效能?3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場(chǎng)主流的原因是什么?
2021-04-02 07:17:39

3D NAND技術(shù)資料分享

3D NAND技術(shù)資料:器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56

3D圖像生成算法的原理是什么?

什么是3D圖形芯片3D圖像生成算法的原理是什么?
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3D圖像的速度控制

你好! 現(xiàn)在我有個(gè)問(wèn)題想請(qǐng)教大家, 我怎么做一個(gè)3D圖像的渦輪扇葉然后通過(guò)控制器調(diào)整它的速度然后再3D圖像中開(kāi)始轉(zhuǎn)并且根據(jù)控制量改變?cè)?b class="flag-6" style="color: red">3D圖像中轉(zhuǎn)的快慢?怎么在3D圖像中仿真水平面 并且有相應(yīng)的變化!希望大家能給我有任何指教!
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、橫滾交付、偏航角度!2、3D模型處理,導(dǎo)入控制3、場(chǎng)景設(shè)計(jì),背景色、視角控制、光源控制等。3D 飛機(jī)模型 角度 串口 daq.zip
2019-04-02 09:40:01

NAND FLASH的現(xiàn)狀與未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

2D NAND 128GB 的存儲(chǔ)密度極限值。3D NAND主要依靠die堆疊,采用這種方式可以使得每顆芯片的儲(chǔ)存容量可以顯著增加,而不必增加芯片面積或者縮小單元,使用3D NAND可以實(shí)現(xiàn)更大的結(jié)構(gòu)
2020-11-19 09:09:58

芯片3D化歷程

128層甚至更高,外圍電路可能會(huì)占到芯片Xtacking技術(shù)將外圍電路連接到存儲(chǔ)單元之上,從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲(chǔ)密度。據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存產(chǎn)品將在2020年進(jìn)入
2020-03-19 14:04:57

CS創(chuàng)世SD NAND存儲(chǔ)芯片應(yīng)用方案

SDIO_D3_PIN5 // 定義NAND芯片命令 #define CMD_READ0x00 #define CMD_WRITE 0x80 #define CMD_ERASE 0x60
2023-11-15 18:07:57

IT6604E ITE支持3D的HDMI芯片

,電壓和溫度不變匹配輸入的輸電線路?! 〖傻念A(yù)編程HDCP密鑰  智能,可編程電源管理128引腳LQFP封裝(14毫米x 14毫米)HDMI高清機(jī)頂盒芯片IT6604 IT6604應(yīng)用 支持3D高清視頻IT6604EIT6603 IT6612 IT6613
2022-05-11 17:32:55

三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)探討3D NAND技術(shù)

`CFMS2018近日成功舉辦,來(lái)自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等全球存儲(chǔ)業(yè)大咖,與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術(shù)的發(fā)展未來(lái)。我們來(lái)看看他們都說(shuō)了什么。三星:看好在UFS市場(chǎng)的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)
2018-09-20 17:57:05

世界首款 BeSang 3D芯片誕生

世界首款3D芯片工藝即將由無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司BeSang授權(quán)。   BeSang制造了一個(gè)示范芯片,在邏輯控制方面包含1.28億個(gè)縱向晶體管的記憶存儲(chǔ)單元。該芯片由韓國(guó)國(guó)家Nanofab和斯坦福
2008-08-18 16:37:37

什么是SD NAND存儲(chǔ)芯片?

前言   大家好,我們一般在STM32項(xiàng)目開(kāi)發(fā)中或者在其他嵌入式開(kāi)發(fā)中,經(jīng)常會(huì)用到存儲(chǔ)芯片存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。今天我和大家來(lái)介紹一款存儲(chǔ)芯片,我這里采用(雷龍) CS創(chuàng)世 SD NAND 。   SD
2024-01-05 17:54:39

關(guān)于單片機(jī)上用SD NAND芯片存儲(chǔ)的功能和亮點(diǎn)

的說(shuō)一下,有任何問(wèn)題,大家可以隨時(shí)來(lái)評(píng)論和交流。 SDIO NAND內(nèi)置的控制器可以支持3D TLC的管理,功能非常強(qiáng)大,讀寫速度最高支持到10MB/S,滿足物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設(shè)備的需求,并且兼容市面主流
2019-04-03 16:42:14

國(guó)內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)崛起撬動(dòng)全球市場(chǎng),但需求不足跌價(jià)成必然 精選資料分享

3D閃存了,三星公司7月初宣布了第五代V-NAND閃存(3DNAND閃存中的一種),率先支持ToggleDDR4.0接口,傳輸速度達(dá)到了1.4Gbps,相比64層堆棧的V-NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27

新人,求全系列電子設(shè)備3D封裝庫(kù)

新人,求全系列電子設(shè)備3D封裝庫(kù)
2016-05-15 13:37:42

用SD NAND轉(zhuǎn)TF卡可以解決3D打印機(jī)常讀寫錯(cuò)誤,壞死的問(wèn)題

3D打印機(jī)上使用SLC顆粒的SD NAND代替?zhèn)鹘y(tǒng)使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內(nèi)置SLC晶圓,自帶壞塊管理,10W次擦寫壽命,1萬(wàn)次隨機(jī)掉電測(cè)試。解決TF卡在3D打印機(jī)上常讀寫錯(cuò)誤、壞死
2022-07-12 10:48:46

3D NAND的不同架構(gòu)淺析 #存儲(chǔ)技術(shù)

NANDIC設(shè)計(jì)存儲(chǔ)技術(shù)3d nand
EE_Voky發(fā)布于 2022-06-28 17:29:27

3D NAND電學(xué)特性 #存儲(chǔ)技術(shù)

NANDIC設(shè)計(jì)存儲(chǔ)技術(shù)3d nand行業(yè)芯事經(jīng)驗(yàn)分享
EE_Voky發(fā)布于 2022-06-28 17:29:51

3D NAND與2D NAND性能對(duì)比

NANDIC設(shè)計(jì)存儲(chǔ)技術(shù)3d nand行業(yè)芯事經(jīng)驗(yàn)分享
EE_Voky發(fā)布于 2022-06-28 17:30:15

3D NAND的微觀構(gòu)造#硬聲創(chuàng)作季

3D
電子學(xué)習(xí)發(fā)布于 2022-11-20 21:23:10

蘋果計(jì)劃從長(zhǎng)江存儲(chǔ)采購(gòu)其NAND芯片,長(zhǎng)江存儲(chǔ)迎來(lái)重大收獲

北京時(shí)間2月14日晚間消息,據(jù)報(bào)道,蘋果公司(以下簡(jiǎn)稱“蘋果”)正與中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司談判,希望采購(gòu)其NAND閃存芯片用于iPhone。
2018-07-19 11:46:00931

長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層NAND閃存預(yù)計(jì)2018年內(nèi)量產(chǎn)

NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤等行業(yè)中的基礎(chǔ),也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲(chǔ)芯片,國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)芯片幾乎100%依賴進(jìn)口。好在國(guó)產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在
2018-05-16 10:06:003750

長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式裝機(jī):3D NAND量產(chǎn)還有多遠(yuǎn)?

4月11日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)以芯存長(zhǎng)江,智儲(chǔ)未來(lái)為主題,慶賀存儲(chǔ)器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。 2017年9月長(zhǎng)江存儲(chǔ)新建的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目(一期)一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠房實(shí)現(xiàn)提前封頂,2018年2月份進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝,正是為4月搬入機(jī)臺(tái)設(shè)備而準(zhǔn)備,預(yù)計(jì)很快就可以實(shí)現(xiàn) 3D NAND 量產(chǎn)。
2018-04-15 10:08:009280

長(zhǎng)江儲(chǔ)存量產(chǎn)NAND Flash芯片 打響中國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的第一槍

日前,長(zhǎng)江存儲(chǔ)以“芯存長(zhǎng)江,智儲(chǔ)未來(lái)”為主題,慶賀存儲(chǔ)器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。目前,長(zhǎng)江存儲(chǔ)新建的廠房已經(jīng)完成廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)的安裝。只要生產(chǎn)設(shè)備搬入并完成調(diào)試之后,就可以量產(chǎn)NAND Flash芯片,打響中國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的第一槍。
2018-05-30 02:28:007739

看看長(zhǎng)江存儲(chǔ)新型架構(gòu)為3D NAND帶來(lái)哪些性能?

作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者,紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(長(zhǎng)江存儲(chǔ))今年將首次參加閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit),并發(fā)表備受期待的主題演講,闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)XtackingTM。
2018-07-31 14:17:014486

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推全新3D NAND架構(gòu) 挑戰(zhàn)三星存儲(chǔ)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技公司表示,盡管仍采用3D分層,但速度卻可提升三倍。
2018-08-09 09:33:163466

中國(guó)首批32層3D NAND閃存芯片即將量產(chǎn)

昨日長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式公開(kāi)了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉,該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能,更高的存儲(chǔ)密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:394625

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND芯片專利研發(fā)完成,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)報(bào)捷,已自主開(kāi)發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn),震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002185

長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布突破性技術(shù),將大大提升3D NAND的性能

作為NAND行業(yè)的新晉者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱:長(zhǎng)江存儲(chǔ))昨日公開(kāi)發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能,更高的存儲(chǔ)密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:001665

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推全新3D NAND架構(gòu)——XtackingTM

作為NAND行業(yè)的新晉者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天公開(kāi)發(fā)布其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)知情人士透露,這之前存儲(chǔ)一直都是三星的強(qiáng)項(xiàng)。
2018-08-13 16:08:273366

長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存堆棧結(jié)構(gòu)Xtacking,獲得了“最佳展示獎(jiǎng)”

日本PC Watch網(wǎng)站日前刊發(fā)了長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧博士在FMS會(huì)議上的演講,我們之前也做過(guò)簡(jiǎn)單的報(bào)道,這次他們的介紹更加詳細(xì),我們可以一窺長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存現(xiàn)在到底進(jìn)行到那一步了。
2018-08-15 10:50:164885

長(zhǎng)江存儲(chǔ)趕超將為NAND Flash市場(chǎng)帶來(lái)新變量

Cell )NAND將邁入百家爭(zhēng)鳴時(shí)代,帶動(dòng)消費(fèi)性固態(tài)硬盤(SSD)容量快速升級(jí)至TB等級(jí),加上長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布新一代3D NAND架構(gòu)Xtacking,試圖超車追趕國(guó)際大廠,全球NAND Flash產(chǎn)量持續(xù)增加,戰(zhàn)火愈益激烈,2019年NAND Flash市場(chǎng)恐將大幅震蕩。
2018-08-29 17:46:266586

長(zhǎng)江存儲(chǔ)投產(chǎn)32層3D NAND,計(jì)劃2020年進(jìn)入128層堆疊

目前世界上存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)主要由美、日、韓主導(dǎo),是高度壟斷的寡頭市場(chǎng)格局,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的成立就是希望打破這一行業(yè)壟斷。
2018-11-21 17:40:027293

長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片 閃存市場(chǎng)將迎來(lái)一波沖擊

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片再下一城,日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱,中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片,這對(duì)價(jià)格本就在不斷下探的閃存市場(chǎng)無(wú)疑又將帶來(lái)一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:121582

與DRAM領(lǐng)域不同 長(zhǎng)江存儲(chǔ)NAND領(lǐng)域取得了進(jìn)展

紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)YMTC是國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片陣營(yíng)中主修NAND閃存的公司,也是目前進(jìn)度最好的,去年小規(guī)模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存,前不久紫光在深圳第七屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)
2019-04-18 16:18:522080

長(zhǎng)江存儲(chǔ)直追國(guó)際技術(shù) NAND陷入全球混戰(zhàn)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后,進(jìn)一步規(guī)劃在2019年8月開(kāi)始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片,等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局,對(duì)比今年三星、SK海力士(SK Hynix )進(jìn)入90層3D NAND芯片生產(chǎn),長(zhǎng)江存儲(chǔ)追趕世界大廠的步伐又大幅邁進(jìn)一步。
2019-05-17 14:13:281277

江波龍牽手長(zhǎng)江存儲(chǔ),推動(dòng)國(guó)內(nèi)自研存儲(chǔ)芯片進(jìn)入終端消費(fèi)市場(chǎng)

江波龍已經(jīng)導(dǎo)入長(zhǎng)江存儲(chǔ) 32 層的 3D NAND 芯片,用于 8GB 的 U 盤等產(chǎn)品上
2019-06-14 10:25:105191

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層堆棧3D閃存亮相,年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

根據(jù)官網(wǎng)資料,長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國(guó)武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。長(zhǎng)江存儲(chǔ)為全球工商業(yè)客戶提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
2019-08-29 14:28:002164

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出了全球首款基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND閃存

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品,擁有同代產(chǎn)品②中最高的存儲(chǔ)密度。Xtacking?可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲(chǔ)
2019-09-03 10:07:021051

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出第二代Xtacking 3D NAND存儲(chǔ)架構(gòu)

Xtacking是長(zhǎng)江存儲(chǔ)在去年FMS(閃存技術(shù)峰會(huì))首次公開(kāi)的3D NAND架構(gòu),榮獲當(dāng)年“Best of Show”獎(jiǎng)項(xiàng)。其獨(dú)特之處在于,采用Xtacking,可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。
2019-09-06 16:30:372625

基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技(YMTC)本周早些時(shí)候表示,已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:161661

紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存芯片首次公開(kāi)亮相

據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國(guó)武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:002612

中國(guó)首次量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片會(huì)有什么市場(chǎng)影響

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682

中國(guó)量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片會(huì)帶來(lái)什么影響

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028

明年長(zhǎng)江存儲(chǔ)將實(shí)現(xiàn)加大3D閃存芯片產(chǎn)能

 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片終于“抬起了頭”。   在被美日韓掌控的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上,終于有中國(guó)公司可以殺進(jìn)去跟國(guó)際大廠正面競(jìng)爭(zhēng)了。據(jù)報(bào)道,今年一季度,紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)開(kāi)始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存,容量 256Gb,TLC 芯片,初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-29 09:46:243065

長(zhǎng)江存儲(chǔ)存儲(chǔ)巨頭們發(fā)起挑戰(zhàn),3D NAND實(shí)現(xiàn)突破性的創(chuàng)新

長(zhǎng)江存儲(chǔ)打破全球3D NAND技術(shù)壟斷,作為國(guó)家重點(diǎn)打造的存儲(chǔ)器大項(xiàng)目,經(jīng)歷多年的研發(fā),終于走向市場(chǎng)正式向存儲(chǔ)巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:052849

搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的SSD產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平

根據(jù)國(guó)科微官方的消息,國(guó)科微搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已完成批量測(cè)試。
2020-01-17 15:17:495053

長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示128層3D NAND技術(shù)會(huì)按計(jì)劃推出

據(jù)證券時(shí)報(bào)消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示,128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工,從中長(zhǎng)期來(lái)看,這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152377

長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布成功研制128層QLC 3D閃存 將是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3D NAND

今日(4月13日),長(zhǎng)江存儲(chǔ)重磅宣布,其128層QLC 3D閃存(X2-6070)研制成功,并已在多家主控商場(chǎng)SSD等終端產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 09:23:09805

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出 128 層 QLC 閃存,單顆容量達(dá) 1.33Tb

2020年4月13日,中國(guó)武漢,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)
2020-04-13 09:29:415557

業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存有哪些特點(diǎn)?

2020年4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 14:41:522653

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首推128層QLC閃存,單顆容量可達(dá)1.33Tb

4月13日,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(長(zhǎng)江存儲(chǔ))宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功。
2020-04-13 17:14:491128

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層NAND flash存儲(chǔ)芯片 中國(guó)存儲(chǔ)芯片國(guó)際領(lǐng)先

據(jù)媒體報(bào)道指國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)已開(kāi)發(fā)出128層的NAND flash存儲(chǔ)芯片,這是當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù),意味著中國(guó)的存儲(chǔ)芯片技術(shù)已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:4512821

長(zhǎng)江儲(chǔ)存宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品已研發(fā)成功

長(zhǎng)江儲(chǔ)存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功,型號(hào)為X2-6070,并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲(chǔ)存產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-19 10:14:062793

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)創(chuàng)新,128層3D NAND閃存芯片問(wèn)世

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2-6070研發(fā)成功,已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:002648

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層NAND閃存研發(fā)成功,跳過(guò)了96層

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功,這標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商向世界最先進(jìn)技術(shù)水準(zhǔn)又邁進(jìn)了一步。
2020-05-07 14:59:224866

群聯(lián)電子與長(zhǎng)江存儲(chǔ)合作,促進(jìn)為國(guó)內(nèi)市場(chǎng)提供穩(wěn)定的SSD產(chǎn)品

  5月7日消息, 根據(jù)群聯(lián)電子官方的消息,群聯(lián)全系列控制芯片支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND,且都邁入了量產(chǎn)階段。這將促進(jìn)廠商推出搭載國(guó)產(chǎn)顆粒的SSD產(chǎn)品。隨著華為海思、紫光展銳、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、中芯國(guó)際等企業(yè)不斷取得技術(shù)突破,中國(guó)大陸“缺芯少魂”的局面一步步得到緩解。
2020-05-08 14:55:322758

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC閃存,1.6Gbps單顆容量1.33Tb

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-12 09:54:014145

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首發(fā)128層QLC閃存

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功。同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號(hào):X2-9060),用以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2020-07-06 16:49:421372

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

全球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營(yíng)銷領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation,NASDAQ:SIMO)宣布該公司全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2020-09-11 11:12:161889

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

全球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營(yíng)銷領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation,NASDAQ:SIMO)宣布該公司全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2020-09-11 11:12:191922

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長(zhǎng) 江 存 儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

全 球NAND閃存主控芯片設(shè)計(jì)與營(yíng)銷領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation,NASDAQ:SIMO)宣布該公司全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2020-09-11 11:12:341883

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將提高NAND閃存芯片的出貨量

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ),將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025

未來(lái)的3D NAND將如何發(fā)展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率?

。 3D NAND 路線圖:三星最早入局,長(zhǎng)江存儲(chǔ)跨級(jí)追趕 Choe 介紹了 2014-2023 年的世界領(lǐng)先存儲(chǔ)公司的閃存路線圖,包括三星、鎧俠(原東
2020-11-20 17:15:443030

長(zhǎng)江存儲(chǔ)已打入華為供應(yīng)鏈

楊士寧表示,很多人反映很少看到國(guó)產(chǎn)內(nèi)存, 實(shí)際上華為Mate 40系列手機(jī)現(xiàn)在也使用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存。 他強(qiáng)調(diào),與國(guó)際存儲(chǔ)大廠6年的路程相比, 長(zhǎng)江存儲(chǔ)僅用了短短3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)了3D NAND的32層、64層、128層的跨越。 會(huì)議上, 他還展示了長(zhǎng)江存儲(chǔ) 先進(jìn)的Xt
2020-11-23 11:59:264351

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的首款消費(fèi)級(jí)固態(tài)品牌,基于3D NAND顆粒打造

長(zhǎng)江存儲(chǔ)基于Xtacking架構(gòu)的3D NAND顆粒打造的首款消費(fèi)級(jí)固態(tài)品牌致鈦存儲(chǔ)于日前正式與我們見(jiàn)面,并獲得眾多用戶的支持。而在網(wǎng)上呼聲較高的問(wèn)題就是關(guān)于致鈦存儲(chǔ)的技術(shù),而就在近日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過(guò)
2020-11-24 09:56:483572

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科普SSD、3D NAND的發(fā)展史

作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)行業(yè)的佼佼者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)近兩年憑借在3D NAND閃存領(lǐng)域的突飛猛進(jìn),引發(fā)普遍關(guān)注,尤其是獨(dú)創(chuàng)了全新的Xtacking閃存架構(gòu),最近還打造了首個(gè)消費(fèi)級(jí)SSD品牌“致鈦”。
2020-11-24 10:12:314014

長(zhǎng)江存儲(chǔ)SSD固態(tài)硬盤的詳細(xì)資料介紹

長(zhǎng)江存儲(chǔ)基于Xtacking架構(gòu)的3D NAND顆粒打造的首款消費(fèi)級(jí)固態(tài)品牌——致鈦存儲(chǔ)于日前正式與我們見(jiàn)面,并獲得眾多用戶的支持。而在網(wǎng)上呼聲較高的問(wèn)題就是關(guān)于致鈦存儲(chǔ)的技術(shù),而就在近日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過(guò)大咖來(lái)答疑欄目給出了相關(guān)技術(shù)答復(fù),讓大家更加的了解致鈦品牌固態(tài)。
2020-11-28 09:09:063373

3D NAND技術(shù)堆疊將走向何方?

3D NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ)于今年4月份宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存。轉(zhuǎn)眼來(lái)到2020年末,美光和SK海力士相繼發(fā)布了176層3D NAND。這也是唯二進(jìn)入176層的存儲(chǔ)廠商。不得不說(shuō),存儲(chǔ)之戰(zhàn)沒(méi)有最烈,只有更烈。
2020-12-09 14:55:373659

一文讀懂長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)芯片太極系列

上個(gè)月,銘瑄聯(lián)合長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布了一款采用純國(guó)產(chǎn)芯片的太極系列H5 SATA 3 SSD。
2020-12-25 09:57:443796

全球六大廠商壟斷競(jìng)爭(zhēng),長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望打破壟斷

NAND Flash作為全球最為重要的存儲(chǔ)芯片之一,目前被全球六大廠商進(jìn)行壟斷競(jìng)爭(zhēng),中國(guó)NAND Flash廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)已在2020年第一季將128層3D NAND樣品送交存儲(chǔ)控制器廠商,目標(biāo)第三季進(jìn)入投片量產(chǎn),未來(lái)中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望打破國(guó)外在NAND FLASH的壟斷競(jìng)爭(zhēng)格局。
2021-01-11 14:18:333386

回顧長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程

日前,有媒體報(bào)道稱,消息人士透露,長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃到2021年下半年將存儲(chǔ)芯片的月產(chǎn)量提高一倍至10萬(wàn)片晶圓,并準(zhǔn)備最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層3D NAND閃存芯片,不過(guò)為確保量產(chǎn)芯片質(zhì)量,該計(jì)劃有可能會(huì)被推遲至今年下半年。
2021-01-13 13:59:274468

長(zhǎng)江存儲(chǔ)即將試產(chǎn)第一批 192 層 3D NAND 閃存芯片

長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃今年把產(chǎn)量提高一倍,計(jì)劃到下半年將每月的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量提高到 10 萬(wàn)片晶圓,約占全球總產(chǎn)量的 7%。并準(zhǔn)備試產(chǎn) 192 層 NAND 快閃記憶體晶片。這將有助于長(zhǎng)江存儲(chǔ)縮小與全球先進(jìn)制造商之間的差距。據(jù)悉,三星電子目前每月約生產(chǎn) 48 萬(wàn)片晶圓,而美光的月產(chǎn)能約為 18 萬(wàn)片。
2021-02-14 09:21:008753

長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃今年將產(chǎn)量提高一倍

此前4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。這標(biāo)志著國(guó)內(nèi)3D NAND領(lǐng)域正式進(jìn)入國(guó)際先進(jìn)水平。
2021-01-17 10:19:202851

盤點(diǎn)2020年存儲(chǔ)行業(yè)十大事件

2020年4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功,這也是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存。同年8月14日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團(tuán)展臺(tái)上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:362093

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UC023閃存芯片 專為5G時(shí)代打造

  昨日消息,國(guó)內(nèi)專注于3D NAND閃存及存儲(chǔ)器解決方案的半導(dǎo)體集成電路企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布推出UFS 3.1通用閃存-UC023。
2022-04-20 11:47:521812

長(zhǎng)江正式打破三星壟斷,192層3D NAND閃存實(shí)現(xiàn)年底量產(chǎn)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài),用短短3年的時(shí)間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:216521

蘋果欲與長(zhǎng)江存儲(chǔ)合作來(lái)降低NAND閃存的價(jià)格

蘋果公司將長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YTMC)納入供應(yīng)商名單。蘋果與YTMC合作的目的是通過(guò)使供應(yīng)商多樣化來(lái)降低NAND閃存的價(jià)格。
2022-09-08 11:55:23529

傳蘋果暫停長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存芯片計(jì)劃

即便長(zhǎng)江存儲(chǔ)的這些芯片產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)認(rèn)證,但在新 iPhone 開(kāi)始量產(chǎn)時(shí),這些 NAND Flash 并沒(méi)有跟著進(jìn)入產(chǎn)線中。
2022-10-20 15:01:271613

傳蘋果已暫停采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)NAND閃存芯片的計(jì)劃

10月17日消息,據(jù)《日經(jīng)新聞》報(bào)道,雖然蘋果此前已確認(rèn)正在測(cè)試在iPhone產(chǎn)品中導(dǎo)入中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)的NAND Flash閃存芯片,但是現(xiàn)在,蘋果似乎已經(jīng)暫停了在旗下產(chǎn)品中使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2022-10-25 20:28:47634

對(duì)比韓企存儲(chǔ)技術(shù),長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展如何

據(jù)外媒報(bào)道,長(zhǎng)江存儲(chǔ)去年7月生產(chǎn)了232層3D NAND閃存樣機(jī),同年11月開(kāi)始投入量產(chǎn)。
2023-02-28 10:51:251662

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美起訴美光 指控侵犯8項(xiàng)3D NAND專利

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在專利侵害訴訟場(chǎng)主張說(shuō):“此次訴訟是為了中斷美光公司廣泛而無(wú)許可地使用長(zhǎng)江低利的專利革新。”長(zhǎng)江存儲(chǔ)訴訟稱,美光使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利技術(shù),從與長(zhǎng)江存儲(chǔ)的競(jìng)爭(zhēng)中防御,確保和保護(hù)市場(chǎng)占有率。
2023-11-12 14:26:45314

起訴美光!長(zhǎng)江存儲(chǔ)反擊

訴訟旨在解決以下問(wèn)題的一個(gè)方面:美光試圖通過(guò)迫使長(zhǎng)江存儲(chǔ)退出3D NAND Flash(閃存)市場(chǎng)來(lái)阻止競(jìng)爭(zhēng)和創(chuàng)新。
2023-11-13 15:47:51289

長(zhǎng)江存儲(chǔ)起訴美光 涉及專利侵權(quán)

在起訴書(shū)中,長(zhǎng)江存儲(chǔ)聲稱自己目前是全球3D NAND技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,并得到了行業(yè)和第三方機(jī)構(gòu)的廣泛認(rèn)可。長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)創(chuàng)新改善了3D NAND的速度、性能、密度、可靠性和產(chǎn)量,推動(dòng)了多種電子設(shè)備的創(chuàng)新。
2023-11-13 16:03:05369

長(zhǎng)江存儲(chǔ)起訴美光!

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在以上起訴書(shū)中稱,長(zhǎng)江存儲(chǔ)不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場(chǎng)的重要參與者。長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場(chǎng)的TechInsights公司得出結(jié)論:長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,超過(guò)了美光。
2023-11-13 16:53:04531

8項(xiàng)專利被侵權(quán)!美光與長(zhǎng)江存儲(chǔ)陷入專利之爭(zhēng)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)與美光芯片戰(zhàn)升級(jí)。3D NAND閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ),已于9日在美國(guó)加州北區(qū)地方法院對(duì)美國(guó)記憶芯片龍頭美光科技提告,指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)8項(xiàng)與3D NAND相關(guān)的美國(guó)專利。
2023-11-13 17:24:51547

首次亮相!長(zhǎng)江存儲(chǔ)128 層3D NAND 現(xiàn)身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集團(tuán)帶來(lái)了大量產(chǎn)品,其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144019

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