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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>首批32層三維NAND閃存芯片年內(nèi)將量產(chǎn),填補我國主流存儲器領(lǐng)域空白

首批32層三維NAND閃存芯片年內(nèi)將量產(chǎn),填補我國主流存儲器領(lǐng)域空白

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在市場NAND Flash快閃存儲器供應(yīng)仍有缺口,導(dǎo)致價格繼續(xù)維持高位的情況下,包括國際大廠三星、SK海力士、東芝,以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際,7日美商存儲器大廠美光(Micron)也宣布擴產(chǎn),以補足市場供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:00922

DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存儲器分析

存儲器芯片領(lǐng)域,主要分為兩類:易失性和非易失性。易失性:斷電以后,存儲器內(nèi)的信息就流失了,例如 DRAM,主要用來做PC機內(nèi)存(如DDR)和手機內(nèi)存(如LPDDR),兩者各占三成。非易失性:斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972

長江存儲32層三維NAND閃存芯片量產(chǎn)提上日程 光谷是希望之地

按照計劃,今年四季度,設(shè)備有望點亮投產(chǎn)。紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁、長江存儲執(zhí)行董事長高啟全透露,今年將量產(chǎn)的產(chǎn)品,是去年成功研發(fā)的中國首顆32層三維NAND閃存芯片,就在4月9日,這顆耗資10億美元
2018-04-23 11:20:003309

中國進(jìn)入全球存儲芯片第一梯隊指日可待

位于湖北武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺4月11日正式進(jìn)場安裝,這標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段,我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn),從而填補我國主流存儲器領(lǐng)域空白
2018-04-27 11:52:004923

長江儲存量產(chǎn)NAND Flash芯片 打響中國在存儲芯片領(lǐng)域的第一槍

日前,長江存儲以“芯存長江,智儲未來”為主題,慶賀存儲器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。目前,長江存儲新建的廠房已經(jīng)完成廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)的安裝。只要生產(chǎn)設(shè)備搬入并完成調(diào)試之后,就可以量產(chǎn)NAND Flash芯片,打響中國在存儲芯片領(lǐng)域的第一槍。
2018-05-30 02:28:007739

哪些芯片廠商全面看好NAND閃存,正大刀闊斧地加碼3D NAND閃存產(chǎn)能?

美光、三星釋放信號僅是個開端,SK海力士、Intel、東芝、西數(shù)/閃迪等都表態(tài)在幾年內(nèi)將持續(xù)擴充閃存產(chǎn)能,為跨入96層、甚至更高層數(shù)而加大投入力度??梢姡?D NAND閃存已經(jīng)成為國際存儲器廠商間的“主戰(zhàn)場”。
2018-07-17 10:34:084865

我國三家存儲芯片廠將投入量產(chǎn),填補大陸存儲芯片空白

長江存儲隸屬于中國半導(dǎo)體巨頭紫光集團(tuán)。此前,該公司對外披露已經(jīng)獲得了第一個閃存芯片訂單,用于生產(chǎn)8GB容量的SD存儲卡,訂單規(guī)模為一萬套32層3D NAND閃存芯片。
2018-07-26 16:28:0114863

長江存儲32層三維NAND閃存芯片與今年第四季度實現(xiàn)量產(chǎn)

在位于武漢東湖高新區(qū)的長江存儲科技有限責(zé)任公司(國家存儲器基地),紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京透露,中國首批擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實現(xiàn)量產(chǎn)。
2018-08-07 14:35:145523

中國首批32層3D NAND閃存芯片即將量產(chǎn)

昨日長江存儲正式公開了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉,該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能,更高的存儲密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:394625

長江存儲64層3D NAND芯片專利研發(fā)完成,預(yù)計明年完成生產(chǎn)線建置

紫光集團(tuán)旗下長江存儲發(fā)展儲存型快閃存儲器NAND Flash)報捷,已自主開發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利,預(yù)計明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn),震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002185

未來十年存儲級內(nèi)存將取代NAND閃存?

近日,HPE 3PAR存儲單元副總裁兼總經(jīng)理Ivan Iannaccone進(jìn)行了一次大膽預(yù)測,在他看來,存儲級內(nèi)存(SCM)或?qū)⒃?0年內(nèi)取代NAND閃存,成為企業(yè)首選的高速存儲介質(zhì)。
2019-02-19 14:06:365827

長江存儲計劃量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片 閃存市場將迎來一波沖擊

國產(chǎn)存儲芯片再下一城,日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱,中國長江存儲將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片,這對價格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:121582

與DRAM領(lǐng)域不同 長江存儲NAND領(lǐng)域取得了進(jìn)展

紫光集團(tuán)旗下的長江存儲YMTC是國內(nèi)三大存儲芯片陣營中主修NAND閃存的公司,也是目前進(jìn)度最好的,去年小規(guī)模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存,前不久紫光在深圳第七屆中國電子信息博覽會
2019-04-18 16:18:522080

基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND閃存已實現(xiàn)量產(chǎn)

現(xiàn)在,長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時表示,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:002263

睿創(chuàng)微納:填補非制冷紅外熱成像領(lǐng)域空白,朝陽行業(yè)市場容量巨大

睿創(chuàng)微納填補了中國在非制冷紅外熱成像領(lǐng)域高精度芯片研發(fā)、生產(chǎn)、封裝、應(yīng)用等方面的一系列空白,具備探測器自主研發(fā)能力并實現(xiàn)量產(chǎn)。
2019-08-01 17:20:184137

紫光旗下長江存儲的64層3D NAND閃存芯片首次公開亮相

據(jù)悉,長江存儲是紫光集團(tuán)收購武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。
2019-10-01 17:23:002612

我國首次實現(xiàn)64層3DNAND閃存芯片量產(chǎn) 將大幅縮短與國際先進(jìn)水平的差距

近日,紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。產(chǎn)品將應(yīng)用于固態(tài)硬盤、嵌入式存儲主流市場應(yīng)用。這是中國首次實現(xiàn)64層3D NAND閃存芯片量產(chǎn),將大幅拉近中國與全球一線存儲廠商間的技術(shù)差距。
2019-09-17 11:45:193516

中國首次量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片會有什么市場影響

紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存
2019-09-19 11:10:09682

中國量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片會帶來什么影響

紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028

中國首款64層三維閃存芯片發(fā)布 中國邁出打破美日韓壟斷的關(guān)鍵一步

紫光集團(tuán)旗下長江存儲近日宣布,已開始量產(chǎn)基于自主研發(fā)Xtacking架構(gòu)的64層三維閃存(3DNAND),容量為256Gb,以滿足固態(tài)硬盤(SSD)嵌入式存儲主流市場應(yīng)用的需求,這也是中國首款64
2019-10-08 09:19:53906

長江存儲月產(chǎn)能達(dá)成10萬片,64層三維閃存產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)

根據(jù)消息報道,長江存儲科技有限責(zé)任公司副董事長楊道虹表示,國家存儲器基地項目經(jīng)過3年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效,自主開發(fā)的64層三維閃存產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-15 14:11:143033

長江存儲64層閃存量產(chǎn) 預(yù)計會有更多的儲存產(chǎn)品用上國產(chǎn)芯片

長江存儲科技有限責(zé)任公司副董事長楊道虹表示,國家存儲器基地項目經(jīng)過 3 年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效,自主開發(fā)的 64 層三維閃存產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)
2020-01-16 10:27:211332

NAND閃存芯片有哪些類型

我們都知道,構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片NAND閃存,目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營,今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052

國家存儲器基地成功研制出了全球首款128層QLC三維閃存芯片

近日,國家存儲器基地項目二期在武漢東湖高新區(qū)開工,據(jù)悉,國家存儲器基地的項目是由紫光集團(tuán)、國家集成電路基金、湖北省科投集團(tuán)和湖北省集成電路基金共同投資建設(shè),這項目計劃分兩期建設(shè)3D?NAND閃存芯片工廠。
2020-09-18 14:54:182533

長江存儲將提高NAND閃存芯片的出貨量

據(jù)國外媒體報道,專注于3D NAND閃存設(shè)計制造的長江存儲,將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025

一年虧4億 美光宣布出售芯片工廠!

3D Xpoint技術(shù)是美光與英特爾共同開發(fā)的一種非易失性存儲技術(shù),比NAND閃存擁有更高的性能和耐用性,旨在填補DRAM和NAND閃存之間的存儲空白
2021-03-19 14:25:251207

暖芯迦填補我國相關(guān)生物芯片領(lǐng)域空白

資料顯示,暖芯迦對生物小信號以及神經(jīng)信號的采集、編解碼、分析算法、大數(shù)據(jù)模型、高精度控制等領(lǐng)域有深刻的研究,產(chǎn)品研發(fā)主要集中在神經(jīng)接口和生物傳感兩個領(lǐng)域,填補我國相關(guān)生物芯片領(lǐng)域空白。
2022-11-08 14:56:10813

詳解三維NAND集成工藝(3D-NAND Integration Technology)

在20nm 工藝節(jié)點之后,傳統(tǒng)的平面浮柵 NAND 閃速存儲器因受到鄰近浮柵 -浮柵的耦合電容干擾而達(dá)到了微縮的極限。為了實現(xiàn)更高的存儲容量,NAND集成工藝開始向三維堆疊方向發(fā)展。在三維NAND
2023-02-03 09:16:578266

NAND芯片是用于哪些領(lǐng)域 NAND和SSD的區(qū)別

閃存存儲設(shè)備:NAND芯片作為主要的閃存存儲媒介,被廣泛用于固態(tài)硬盤(SSD)、USB閃存驅(qū)動器、內(nèi)存卡(如SD卡、MicroSD卡)和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:495232

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282

NAND存儲種類和優(yōu)勢

非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 (Flash Memory) 與只讀存儲器 (Read-Only Memory)。其中,快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:1515

首次亮相!長江存儲128 層3D NAND 現(xiàn)身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集團(tuán)帶來了大量產(chǎn)品,其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144019

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