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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>HBM:突破AI算力內(nèi)存瓶頸,技術(shù)迭代引領(lǐng)高性能存儲新紀(jì)元

HBM:突破AI算力內(nèi)存瓶頸,技術(shù)迭代引領(lǐng)高性能存儲新紀(jì)元

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高帶寬存儲器(High Bandwidth Memory,HBM)是超微半導(dǎo)體和SK Hynix發(fā)起的一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲器帶寬需求的應(yīng)用場合,像是圖形處理器、網(wǎng)絡(luò)交換及轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備(如路由器、交換器)等。
2018-11-10 10:27:4929981

新華三徐潤安:閃存新紀(jì)元——Memory-Driven的存儲新常態(tài)

新華三徐潤安:閃存新紀(jì)元——Memory-Driven的存儲新常態(tài) 12月11日, 在北京國際飯店舉行的2018中國存儲與數(shù)據(jù)峰會(DATA STORAGE SUMMIT 2018)上,新華三集
2018-12-12 15:21:01462

以閃存之力,新華三開啟AI存儲新紀(jì)元

等熱點(diǎn)話題進(jìn)行了深入的溝通與交流。紫光旗下新華三集團(tuán)存儲產(chǎn)品部總經(jīng)理徐潤安在大會上展示了新華三傾力打造的Memory-Driven的存儲新常態(tài),并系統(tǒng)地介紹了新華三在存儲領(lǐng)域的最新技術(shù)及應(yīng)用進(jìn)展。 NVMe的持續(xù)更新和技術(shù)突破為SCM(Storage Class Memor
2018-12-17 22:29:01117

內(nèi)存之后,下一代存儲技術(shù)怎么用?

隨著存儲技術(shù)的發(fā)展,對存儲性能的不懈追求,高性能存儲開始探索向內(nèi)存通道的遷移。在這樣的情況下, NVDIMM 技術(shù)便應(yīng)運(yùn)而生了。
2019-03-21 11:05:443507

長鑫存儲亮相閃存技術(shù)峰會 引領(lǐng)中國DRAM技術(shù)突破

作為中國DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者,長鑫存儲正在加速從DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變,用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利,引領(lǐng)中國實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00463

當(dāng)下AI醫(yī)療市場該如何對癥下藥

近幾年,隨著圖像識別、自然語言處理等AI技術(shù)實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵突破,且在國家政策的大力支持與鼓勵(lì)下,AI+醫(yī)療行業(yè)邁入了發(fā)展新紀(jì)元
2019-08-30 09:16:091236

榮耀Vera30是專門為新紀(jì)元打造的全網(wǎng)通5G手機(jī)

“該系列第一款手機(jī)榮耀Vera30是專門為新紀(jì)元打造的全網(wǎng)通5G手機(jī),E代表Exellence,性能卓越;R代表Reliability,穩(wěn)定可靠;A代表AI/AR人工智能?!壁w明表示,全新榮耀Vera系列,將演繹5G時(shí)代科技標(biāo)桿,V系列就是專門為5G打造的5G的科技標(biāo)桿?!?/div>
2019-09-18 09:52:491838

NVRAM可以消除I / O和內(nèi)存瓶頸 并為百億億次存儲提供關(guān)鍵的推動力

節(jié)點(diǎn)非易失性內(nèi)存(NVRAM)是一項(xiàng)改變游戲規(guī)則的技術(shù),可以消除許多I / O和內(nèi)存瓶頸,并為百億億次存儲提供關(guān)鍵的推動力。
2019-11-15 16:18:261249

諦聽文化|裸眼3D與全息技術(shù)將開啟新紀(jì)元

3D第一次走進(jìn)大眾的視野,一定離不開電影《阿凡達(dá)》,這部電影開創(chuàng)了3D電影的新紀(jì)元。如果說電影技術(shù)的下一個(gè)篇章是什么?也許卡梅隆即將揭曉答案。2017年,卡神宣布用裸眼3D +120幀+全息投影技術(shù)
2019-11-23 00:03:43718

DNA存儲技術(shù)將是未來可持續(xù)存儲的發(fā)展方向嗎

當(dāng)人類進(jìn)入數(shù)據(jù)爆發(fā)式增長時(shí)代,DNA存儲技術(shù)作為未來潛在的無限存儲方式,或?qū)⒋蜷_數(shù)據(jù)存儲新紀(jì)元
2020-03-12 10:46:271464

美光開始提供HBM2顯存 或用于高性能顯卡

IT之家3月29日消息 根據(jù)TechPowerUp的報(bào)道,美光科技在最新的收益報(bào)告中宣布,他們將開始提供HBM2內(nèi)存/顯存,用于高性能顯卡,服務(wù)器處理器產(chǎn)品。
2020-03-29 20:34:392278

SK Hynix宣布HBM2E標(biāo)準(zhǔn)存儲器已投入量產(chǎn)

幾個(gè)月前,SK Hynix成為第二家發(fā)布基于HBM2E標(biāo)準(zhǔn)的存儲的公司,就此加入存儲市場競爭行列?,F(xiàn)在,公司宣布它們改進(jìn)的高速高密度存儲已投入量產(chǎn),能提供高達(dá)3.6Gbps/pin的傳輸速率及高達(dá)
2020-09-10 14:39:011988

三星首次推出 HBM-PIM 技術(shù),功耗降低 71% 提供兩倍多性能

三星昨日宣布了一項(xiàng)新的突破,面向 AI 人工智能市場首次推出了 HBM-PIM 技術(shù),據(jù)介紹,新架構(gòu)可提供兩倍多的系統(tǒng)性能,并將功耗降低 71%。 在此前,行業(yè)內(nèi)性能最強(qiáng)運(yùn)用最廣泛的是 HBM
2021-02-18 09:12:322044

三星首發(fā)面向AIHBM-PIM內(nèi)存計(jì)算技術(shù)

電子計(jì)算機(jī)多年來都是走諾伊曼架構(gòu)體系,今天三星宣布了一項(xiàng)新的突破,面向AI人工智能市場首次推出了HBM-PIM技術(shù),走的是非諾伊曼架構(gòu)。
2021-02-18 10:53:522506

三星推出集成AI處理器的HBM2內(nèi)存

三星宣布新的HBM2內(nèi)存集成了AI處理器,最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計(jì)算能力,使內(nèi)存芯片本身可以執(zhí)行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:461842

最新HBM3內(nèi)存技術(shù)速率可達(dá)8.4Gbps

出貨將會專供于人工智能領(lǐng)域。在AI/ML當(dāng)中,內(nèi)存和I/O帶寬是影響系統(tǒng)性能至關(guān)重要的因素,這又促進(jìn)業(yè)界不斷提供最新的技術(shù),去滿足內(nèi)存和I/O的帶寬性能需求。 在英偉達(dá)、AMD的GPU/CPU芯片封裝中,已經(jīng)應(yīng)用到了HBM內(nèi)存技術(shù),通過在一個(gè)2.5D封裝中將
2021-09-06 10:41:374378

H3C高性能存儲應(yīng)用技術(shù)交流

H3C高性能存儲應(yīng)用技術(shù)交流(電源技術(shù)是北大核心嗎)-該文檔為H3C高性能存儲應(yīng)用技術(shù)交流講解文檔,是一份不錯(cuò)的參考資料,感興趣的可以下載看看,,,,,,,,,,,,,,,,,
2021-09-23 10:08:163

新思科技推出業(yè)界首個(gè)完整HBM3 IP和驗(yàn)證解決方案,加速多裸晶芯片設(shè)計(jì)

HBM3 IP解決方案可為高性能計(jì)算、AI和圖形SoC提供高達(dá)921GB/s的內(nèi)存帶寬。
2021-10-22 09:46:363104

數(shù)據(jù)中心架構(gòu)克服AI內(nèi)存瓶頸的方法

人工智能的懷疑論者批評了當(dāng)前技術(shù)中存在的內(nèi)存瓶頸,認(rèn)為無法加速處理器和內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)移動阻礙了有用的實(shí)際應(yīng)用程序。 用于在數(shù)據(jù)中心訓(xùn)練 AI 模型的 AI 加速器需要可用的最高內(nèi)存帶寬。雖然將整個(gè)
2022-07-18 15:52:44946

設(shè)計(jì)師如何應(yīng)對 AI內(nèi)存瓶頸

懷疑論者對當(dāng)前人工智能技術(shù)的批評之一是內(nèi)存瓶頸——由于無法加速處理器和內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)移動——阻礙了有用的現(xiàn)實(shí)世界應(yīng)用程序。 用于在數(shù)據(jù)中心訓(xùn)練 AI 模型的 AI 加速器需要可用的最高內(nèi)存帶寬。在理
2022-07-20 15:37:061163

奇異摩爾:Chiplet如何助力高性能計(jì)算突破算力瓶頸

上發(fā)表了《智能時(shí)代,Chiplet 如何助力高性能計(jì)算突破算力瓶頸》的主題演講。祝俊東向現(xiàn)場各位來賓介紹了基于Chiplet 的異構(gòu)計(jì)算體系的優(yōu)勢和挑戰(zhàn),奇異摩爾在Chiplet體系方面的技術(shù)優(yōu)勢,以及如何幫助高算力客戶高效構(gòu)建 Chiplet 系統(tǒng)。 算力時(shí)代:集成電路面臨全面挑
2022-12-27 17:46:191519

ChatGPT帶旺HBM存儲

需要復(fù)雜的生產(chǎn)過程和高度先進(jìn)的技術(shù)。人工智能服務(wù)的擴(kuò)展扭轉(zhuǎn)了局面。一位業(yè)內(nèi)人士表示,“與性能最高的DRAM相比,HBM3的價(jià)格上漲了五倍?!?? 據(jù)了解,目前SK海力士在HBM市場處于領(lǐng)先地位,約有60%-70%的份額。HBM(高帶寬存儲器)是高價(jià)值、高性能存儲器,垂直互連
2023-02-15 15:14:444689

大算力模型,HBM、Chiplet和CPO等技術(shù)打破技術(shù)瓶頸

HBM 使用多根數(shù)據(jù)線實(shí)現(xiàn)高帶寬,完美解決傳統(tǒng)存儲效率低的問題。HBM 的核心原理和普通的 DDR、GDDR 完全一樣,但是 HBM 使用多根數(shù)據(jù)線實(shí)現(xiàn)了高帶寬。HBM/HBM2 使用 1024 根數(shù)據(jù)線傳輸數(shù)據(jù)
2023-04-16 10:42:243539

HBM性能驗(yàn)證變得簡單

HBM2E(高帶寬內(nèi)存)是一種高性能 3D 堆疊 DRAM,用于高性能計(jì)算和圖形加速器。它使用更少的功率,但比依賴DDR4或GDDR5內(nèi)存的顯卡提供更高的帶寬。由于 SoC 及其附屬子系統(tǒng)(如內(nèi)存子系統(tǒng)、互連總線和處理器)結(jié)構(gòu)復(fù)雜,驗(yàn)證內(nèi)存性能和利用率對用戶來說是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。
2023-05-26 10:24:38437

使用內(nèi)存VIP檢測和避免內(nèi)存瓶頸

處理器和內(nèi)存速度之間日益擴(kuò)大的差異導(dǎo)致內(nèi)存帶寬成為許多應(yīng)用程序的性能瓶頸。例如,您是否在內(nèi)存控制器/PHY 和子系統(tǒng)驗(yàn)證項(xiàng)目中尋找識別性能瓶頸及其根本原因的方法?
2023-05-26 10:29:03855

再見瓶頸 – 自動SoC性能驗(yàn)證就在這里

SoC 性能是市場上的關(guān)鍵競爭優(yōu)勢,協(xié)議 IP 和互連的選擇和配置旨在最大限度地提高所述性能。一個(gè)典型的例子是使用 HBM(高帶寬內(nèi)存技術(shù)內(nèi)存控制器。目前在第三代, HBM 擁有高性能, 同時(shí)使用更少的功率, 比 DDR 小得多的外形.也就是說,團(tuán)隊(duì)如何確保在其 SoC 設(shè)計(jì)的上下文中交付性能?
2023-05-26 11:40:45430

瘋搶!HBM成為AI瓶頸

SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請求。英偉達(dá)首先要求提供樣品,這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會在今年年底收到樣品。全球領(lǐng)先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應(yīng)HBM3,并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:39685

HBM市場前景樂觀,將推動三星等半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的進(jìn)一步增長

 在人工智能(ai)時(shí)代引領(lǐng)世界市場的三星等公司將hbm應(yīng)用在dram上,因此hbm備受關(guān)注。hbm是將多個(gè)dram芯片垂直堆積,可以適用于為ai處理而特別設(shè)計(jì)的圖像處理裝置(gpu)等機(jī)器的高性能產(chǎn)品。
2023-08-03 09:42:50487

SK海力士推全球最高性能HBM3E內(nèi)存

HBM3E內(nèi)存(也可以說是顯存)主要面向AI應(yīng)用,是HBM3規(guī)范的擴(kuò)展,它有著當(dāng)前最好的性能,而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:07559

湯谷智能首家在國產(chǎn)工藝線(n+1)完成HBM IP的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

封裝的新型內(nèi)存器件。在采用HBM芯粒集成方案的智能計(jì)算芯片中,HBM芯粒通過硅轉(zhuǎn)接板與計(jì)算芯粒實(shí)現(xiàn)2.5D封裝互聯(lián),具有高帶寬、高吞吐量、低延遲、低功耗、小型化等技術(shù)優(yōu)勢,可以滿足AI大模型高訪存的需求,成為當(dāng)前高性能智能計(jì)算芯片最主要的技術(shù)路線,其中核心技術(shù)是計(jì)算芯粒與
2023-09-20 14:36:32664

一文解析HBM技術(shù)原理及優(yōu)勢

HBM技術(shù)是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM,它可以為高性能計(jì)算、人工智能、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提供高帶寬、高容量、低延遲和低功耗的存儲解決方案。本文將介紹HBM技術(shù)的原理、優(yōu)勢、應(yīng)用和發(fā)展趨勢。
2023-11-09 12:32:524343

如何加速HBM仿真迭代優(yōu)化?

如何加速HBM仿真迭代優(yōu)化?
2023-11-29 16:13:18189

Rambus通過9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能

為增強(qiáng)AI/ML及其他高級數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載打造的 Rambus 高性能內(nèi)存 IP產(chǎn)品組合 高達(dá)9.6 Gbps的數(shù)據(jù)速率,支持HBM3內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的未來演進(jìn) 實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的1.2 TB/s以上內(nèi)存吞吐量
2023-12-07 11:01:13115

Rambus通過9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能

Gbps 的性能,可支持 HBM3 標(biāo)準(zhǔn)的持續(xù)演進(jìn)。相比 HBM3 Gen1 6.4 Gbps 的數(shù)據(jù)速率,Rambus HBM3 內(nèi)存控制器的數(shù)據(jù)速率提高了 50%,總內(nèi)存吞吐量超過 1.2 TB/s,適用于推薦系統(tǒng)的訓(xùn)練、生成式 AI 以及其他要求苛刻的數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載。
2023-12-07 14:16:06329

大模型時(shí)代必備存儲HBM進(jìn)入汽車領(lǐng)域

大模型時(shí)代AI芯片必備HBM內(nèi)存已是業(yè)內(nèi)共識,存儲帶寬也成為AI芯片僅次于算力的第二關(guān)健指標(biāo),甚至某些場合超越算力,是最關(guān)鍵的性能指標(biāo),而汽車行業(yè)也開始出現(xiàn)HBM內(nèi)存。
2023-12-12 10:38:11221

AI大模型不斷拉高上限,內(nèi)存控制器IP提早部署,力拱HBM3E的到來

數(shù)據(jù)量、復(fù)雜度在增加,HBM內(nèi)存被徹底帶火。這種高帶寬高速的內(nèi)存十分適合于AI訓(xùn)練場景。最近,內(nèi)存芯片廠商已經(jīng)不約而同地切入HBM3E競爭當(dāng)中。內(nèi)存控制器IP廠商Rambus也率先發(fā)布HBM3內(nèi)存
2023-12-13 15:33:48885

英特爾AI PC處理器發(fā)布 存儲芯片迎國產(chǎn)化迭代機(jī)遇

AI PC也將顯著增加更高帶寬的內(nèi)存需求,以提升整體運(yùn)算性能。由此或?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲領(lǐng)域芯片迭代及國產(chǎn)化機(jī)遇。
2023-12-19 10:59:22404

佰維發(fā)布CXL 2.0 DRAM,賦能高性能計(jì)算

設(shè)備內(nèi)存之間的一致性,突破內(nèi)存瓶頸,縮減整體響應(yīng)時(shí)間。此外,CXL支持部署新的內(nèi)存層,可以彌合主內(nèi)存和SSD存儲之間的延遲差距。 隨著AI應(yīng)用爆發(fā),“內(nèi)存墻”成為制約計(jì)算系統(tǒng)性能的主要因素之一。CXL建立在PCIe的物理和電氣接口之上, CXL內(nèi)存擴(kuò)
2023-12-27 10:35:01286

佰維發(fā)布CXL 2.0 DRAM,賦能高性能計(jì)算

設(shè)備內(nèi)存之間的一致性,突破內(nèi)存瓶頸,縮減整體響應(yīng)時(shí)間。此外,CXL支持部署新的內(nèi)存層,可以彌合主內(nèi)存和SSD存儲之間的延遲差距。 隨著AI應(yīng)用爆發(fā),“內(nèi)存墻”成為制約計(jì)算系統(tǒng)性能的主要因素之一。CXL建立在PCIe的物理和電氣接口之上, CXL內(nèi)存擴(kuò)
2023-12-27 15:17:3199

英偉達(dá)大量訂購HBM3E內(nèi)存,搶占市場先機(jī)

英偉達(dá)(NVIDIA)近日宣布,已向SK海力士、美光等公司訂購大量HBM3E內(nèi)存,為其AI領(lǐng)域的下一代產(chǎn)品做準(zhǔn)備。也預(yù)示著內(nèi)存市場將新一輪競爭。
2023-12-29 16:32:50586

AI突破與融合:2024年中國智能技術(shù)新紀(jì)元

隨著人工智能領(lǐng)域的不斷突破,2024年注定將成為中國智能技術(shù)發(fā)展的一個(gè)新紀(jì)元。當(dāng)下,AI技術(shù)不僅在理論研究上取得了重大進(jìn)展,其在商業(yè)應(yīng)用、社會服務(wù)等領(lǐng)域的融合也日益深入。本文將結(jié)合近期網(wǎng)絡(luò)上的AI熱點(diǎn),展望中國在AI技術(shù)方面的發(fā)展趨勢和應(yīng)用前景。
2024-01-03 15:41:38222

佰維存儲研發(fā)突破,為AI高性能計(jì)算賦能

近日,佰維存儲在接受調(diào)研時(shí)透露,公司近期成功研發(fā)并發(fā)布了支持CXL2.0規(guī)范的CXLDRAM內(nèi)存擴(kuò)展模塊。這款產(chǎn)品具有支持內(nèi)存容量和帶寬擴(kuò)展、內(nèi)存池化共享、高帶寬、低延遲、高可靠性等優(yōu)勢,特別適合于AI高性能計(jì)算的應(yīng)用。
2024-01-23 16:13:02369

2024年:AI技術(shù)引領(lǐng)手機(jī)行業(yè)邁入全新紀(jì)元

2024年是AI手機(jī)元年。未來五年,AI對手機(jī)行業(yè)的影響,完全可以比肩當(dāng)年智能手機(jī)替代功能機(jī)。
2024-02-21 16:15:40265

新型內(nèi)存技術(shù)助力存儲網(wǎng)絡(luò)變革,將替代DRAM

 值得注意的是,持久內(nèi)存是一種內(nèi)存與外部存儲器的結(jié)合體,具備迅速持久化特性,對于硬盤讀寫次數(shù)頻繁引發(fā)性能瓶頸問題,存在突破解決之道。
2024-02-22 15:03:29147

我國在光存儲領(lǐng)域獲重大突破 或?qū)㈤_啟綠色海量光子存儲新紀(jì)元

我國在光存儲領(lǐng)域獲重大突破 或?qū)㈤_啟綠色海量光子存儲新紀(jì)元 據(jù)新華社的報(bào)道,中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所與上海理工大學(xué)等合作,在超大容量超分辨三維光存儲研究中取得突破性進(jìn)展??梢哉f是“超級光盤
2024-02-22 18:28:451335

美光搶灘市場,HBM3E量產(chǎn)掀起技術(shù)浪潮

除了GPU,另一個(gè)受益匪淺的市場就是HBM了。HBM是一種高性能內(nèi)存技術(shù),能夠提供比傳統(tǒng)DRAM更高的帶寬和更低的延遲,這使得其在需要大量數(shù)據(jù)傳輸和處理的人工智能應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢。
2024-02-29 09:43:0598

什么是HBM3E內(nèi)存?Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核

Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:37110

SK海力士成功量產(chǎn)超高性能AI存儲HBM3E

HBM3E的推出,標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲器領(lǐng)域取得了重大突破,將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53274

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