、耐高壓的特性被越來越多的車企認可，市場發(fā)展前景逐漸明朗。 ? 在此歲末年初之際，讓我們共同回顧2021國內外碳化硅產業(yè)發(fā)生的重大事件。 ? 天岳先進躋身碳化硅襯底第一梯隊，首發(fā)過會并成功上市 ? 天岳先進是國內碳化硅襯底領域
2022-01-24 09:31:57
3816 ? 中國北京，2022 年?5 月?6日?——設計和生產創(chuàng)新性半導體材料的全球領軍企業(yè)Soitec 近日發(fā)布了其首款 200mm 碳化硅 SmartSiC? 晶圓。這標志著 Soitec 公司
2022-05-06 13:48:422328 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）新能源汽車市場規(guī)模急劇上漲，對于碳化硅產業(yè)而言，上游產能擴充是現(xiàn)今各大廠商所一直努力的方向。可以看到過去一年里，海內外都持續(xù)投入到包括碳化硅上游襯底和外延片、中游
2023-02-20 09:13:0116076 摘要 本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯缺陷的高質量襯底的單晶碳化硅錠，和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠，該單晶碳化硅含有濃度為2X1018 cm-3至6X
2022-02-15 14:55:381637 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）襯底產能在近年成為了碳化硅行業(yè)痛點，隨著電力電子行業(yè)，包括電動汽車、光伏、儲能、風電等新能源應用市場的發(fā)展，碳化硅功率器件因為高效率、高耐壓等優(yōu)勢受到了追捧，導致產能
2022-09-07 07:56:002422 空間大 ? 國內碳化硅產業(yè)近年來發(fā)展神速，首先是碳化硅襯底上6英寸襯底的量產以及8英寸襯底的研發(fā)進度大幅拉近了與海外領先玩家的差距，另一方面是產能擴張上的投入越來越大。這使得國內在全球碳化硅產業(yè)中，無論是從市場需求，還是
2023-12-12 01:35:001178 PN結器件優(yōu)越的指標是正向導通電壓低，具有低的導通損耗?！ 〉栊ぬ鼗O管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！ 《?、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
材料施加熱應力，評估器件內部各種不同材質在熱脹冷縮作用下的界面完整性；此項目標準對碳化硅功率模塊而言很苛刻，尤其是應用于汽車的模塊。HTRB（高溫反偏測試）HTRB是分立器件可靠性最重要的一個試驗項目
2023-02-20 15:27:19
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
應用，處理此類應用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或簡稱SiC已被證明是一種材料，可以用來構建類似MOSFET的組件，使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受到了很多關注，不僅因為它
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
更新?lián)Q代，SiC并不例外 新一代半導體開關技術出現(xiàn)得越來越快。下一代寬帶隙技術仍處于初級階段，有望進一步改善許多應用領域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術的進步，未來還將面臨挑戰(zhàn)，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
應用領域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
作用下的界面完整性；此項目標準對碳化硅功率模塊而言很苛刻，尤其是應用于汽車的模塊。AC/PCT（高溫蒸煮測試） 高溫蒸煮測試是把被測對象放進高溫高濕高氣壓的環(huán)境中，考驗晶片鈍化層的優(yōu)良程度及樹脂材料
2023-02-28 16:59:26
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻，然后在特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結。然后將一層黃銅作為電觸點噴上火焰。其他標準
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年中國半導體產業(yè)市場規(guī)模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
上，對介電常數(shù)要求嚴格，雖然有低溫共燒陶瓷，仍然無法滿足他們的要求，需要一種性能更好的升級產品，建議可以使用富力天晟的碳化硅基板；因應汽車需求而特別開發(fā)的產品（如IC 載板、軟板、銀膠貫孔等），也在向
2020-12-16 11:31:13
電磁性。因碳化硅是一種共價鍵化合物，原子間結合的鍵很強，它具有以下一些獨特的性能，因而得以廣泛應用。1)高熔點。關于碳化硅熔點的數(shù)據(jù).不同資料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點及優(yōu)勢 碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
已經(jīng)成為全球最大的半導體消費國，半導體消費量占全球消費量的比重超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據(jù)中國
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導體，其研究開發(fā)技術備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
多半仍以機械結構為主，造價高昂，且產品相當笨重，更需要經(jīng)常維修。為了改良這些缺點，以電力電子為基礎的新一代大功率電力設備應運而生。碳化硅等新世代組件，則是在背后促成這股電力設備電子化不可或缺的功臣
2021-09-23 15:02:11
大功率適配器為了減小對電網(wǎng)的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導體材料幾乎都是同時出現(xiàn)，強強聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
復雜的設計，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關碳化硅器件？ 當傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開關頻率方面達到極限時，碳化硅可能是合適的半導體選擇。高達 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案?！ ≡撈骷鹘y(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
，碳化硅MOSFET比硅MOSFET具有更多的優(yōu)勢，但代價是在某些方面參數(shù)碳化硅MOSFET性能比較差。這就要求設計人員需要花時間充分了解碳化硅MOSFET的特性和功能，并考慮如何向新拓撲架構過渡。有一
2023-03-14 14:05:02
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力，基本半導體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
，特別是降低雜散電感。除開關速度更快外，碳化硅器件的工作溫度可達到 300℃以上。而現(xiàn)有適用于硅器件的傳統(tǒng)封裝材料及結構一般工作在 150℃以下，在更高溫度時可靠性急劇下降，甚至無法正常運行。解決這一
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
碳化硅 MOSFET 量身打造的解決方案，搭配基本半導體TO-247-3 封裝碳化硅 MOSFET?！ ?、通用型驅動核 1CD0214T17-XXYY 是青銅劍科技自主研發(fā)的一系列針對于單管碳化硅
2023-02-27 16:03:36
碳化硅做襯底的成本遠高于藍寶石襯底，但碳化硅襯底的光效和外延成長品質要好一些。碳化硅材料分不透光和透光的兩類，如用透光的碳化硅材料做襯底成本就更高，而不透光的碳化硅跟硅材料一樣，外延后也必須做基板的轉換
2012-03-15 10:20:43
是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管。功率二極管包括結勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IBM和3M公司于當?shù)貢r間7日宣布將共同開發(fā)一種新的粘接材料。該材料可以幫助芯片塔密集疊放，進而實現(xiàn)半導體的3D封裝。
2011-09-10 22:55:11548 Littelfuse公司是全球電路保護領域的領先企業(yè)，日前宣布作為公司強力進軍工業(yè)和汽車用功率半導體元件市場戰(zhàn)略的一項舉措，Littelfuse對碳化硅技術研發(fā)領域的初創(chuàng)公司Monolith
2015-12-22 11:04:2210718 碳化硅市場，X—Fab、日本羅姆等企業(yè)早些時候也相繼宣布將擴大碳化硅產能，碳化硅產業(yè)海外重要玩家已開始備戰(zhàn)。從產業(yè)鏈角度看，碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設計、器件制造等環(huán)節(jié)，但目前全球碳化硅市場基本被在國外企業(yè)所壟斷。
2018-12-06 16:08:00138137 國投創(chuàng)業(yè)官方消息顯示，第三代半導體碳化硅單晶襯底企業(yè)河北同光晶體有限公司（簡稱“同光晶體”）完成A輪融資，投資方包括：國投創(chuàng)業(yè)等。本輪融資助力同光晶體實現(xiàn)淶源基地6英寸碳化硅襯底項目快速擴產和現(xiàn)有產品優(yōu)化提升。
2020-12-03 11:05:153054 隨著下游新能源汽車、充電樁、光伏、5G基站等領域的爆發(fā)，引爆了對第三代半導體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場需求，國內眾多企業(yè)紛紛通過加強技術研發(fā)與資本投入布局碳化硅產業(yè)，今天我們首先
2021-07-29 11:01:184374 前言 碳化硅產業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環(huán)節(jié)，襯底成本占到
2021-08-16 10:46:405267 設計和生產創(chuàng)新性半導體材料的全球領軍企業(yè) Soitec 宣布，與全球電力和先進材料領域專家美爾森達成戰(zhàn)略合作，攜手為電動汽車市場開發(fā)多晶碳化硅（poly-SiC）系列襯底。
2021-12-08 11:18:17638 Soitec 半導體公司宣布，將在其位于法國貝寧的總部增設新產線，用于生產創(chuàng)新型碳化硅襯底，助力電動汽車和工業(yè)市場應對關鍵挑戰(zhàn)。新產線落成后還將同時用于 Soitec 300-mm SOI 晶圓的生產。
2022-03-16 11:31:41752 
? 北京，2022 年 7 月 22 日——作為設計和生產創(chuàng)新性半導體材料的全球領軍企業(yè)，法國 Soitec 半導體公司正式宣布選用 KLA 公司（納斯達克股票代碼：KLAC）的檢測技術，實現(xiàn)碳化硅
2022-07-22 11:50:36730 
作為半導體產業(yè)中的襯底材料，碳化硅單晶具有優(yōu)異的熱、電性能，在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領域有著廣泛的應用前景。碳化硅襯底加工精度直接影響器件性能，因此外延應用對碳化硅晶片表面質量的要求
2022-10-11 16:01:043658 領軍企業(yè)法國 Soitec 半導體公司正式宣布，雙方在碳化硅襯底領域的合作邁入新階段，意法半導體將在未來 18 個月內對
2022-12-05 14:09:42603 
公司Soitec 宣布了下一階段的碳化硅 (SiC)襯底合作計劃，由意法半導體在今后18個月內完成對Soitec碳化硅襯底技術的產前認證測試。此次合作的目標是意法半導體采用 Soitec 的 SmartSiC 技術制造未來的8寸碳化硅襯底，促進公司的碳化硅器件和模塊制造業(yè)務，
2022-12-08 12:22:48616 前言：碳化硅產業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環(huán)節(jié)，襯底成本占到
2023-01-05 11:23:191191 碳化硅技術龍頭企業(yè) 碳化硅市場格局 碳化硅產業(yè)鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環(huán)節(jié)，目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷，根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示，Cree、英飛凌、羅姆約占據(jù)了90％的SiC
2023-02-02 15:02:543931 碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰(zhàn)，那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術壁壘是什么？碳化硅技術壁壘
2023-02-03 15:25:163637 
碳化硅產業(yè)鏈分為襯底材料制備、外延層生長、器件制造以及下游應用。通常采用物理氣相傳輸法（PVT法）制備碳化硅單晶，再在襯底上使用化學氣相沉積法（CVD法）等生成外延片，最后制成相關器件。在SiC器件的產業(yè)鏈中，由于襯底制造工藝難度大，產業(yè)鏈價值量主要集中于上游襯底環(huán)節(jié)。
2023-02-03 16:30:133952 碳化硅在半導體芯片中的主要形式為襯底。半導體芯片分為集成電路和分立器件，但不論是集成電路還是分立器件，其基本結構都可劃分為“襯底-外延-器件”結構。碳化硅在半導體中存在的主要形式是作為襯底材料。
2023-02-19 10:18:481086 投建，我國初步形成了從襯底、外延片到器件、模塊較為完整的產品供應鏈。 但記者在采訪中了解到，國內碳化硅功率器件行業(yè)還呈現(xiàn)“小”“散”特征，未來五年將是整合期，車規(guī)級碳化硅功率器件與國外公司還有較大差距。此外，碳
2023-02-21 09:26:45
2 晶錠進過晶圓切磨拋就變成碳化硅二極管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅襯底；再經(jīng)過外延生長就變成碳化硅外延片，也就是雛形的芯片。碳化硅外延片經(jīng)過光刻、刻蝕、離子注入、CVD、PVD背面減薄、退火變成碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
全球碳化硅產業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié)，已成為兵家必爭之地。
2023-03-23 10:30:041284 按照電學性能的不同，碳化硅材料制成的器件分為導電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件，兩種類型碳化硅器件的終端應用領域不同。導電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導電型襯底上生長碳化硅外延層后進一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437 碳化硅襯底 產業(yè)鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。
2023-05-09 09:36:483430 
碳化硅產業(yè)鏈主要分為襯底、外延、器件和應用四大環(huán)節(jié)，襯底與外延占據(jù) 70%的碳 化硅器件成本。根據(jù)中商產業(yè)研究院數(shù)據(jù)，碳化硅器件的成本構成中，襯底、外延、前段、 研發(fā)費用和其他分別占比為 47%，23%，19%，6%，5%，襯底+外延合計約 70%
2023-06-26 11:30:56733 
來源：天科合達 據(jù)天科合達官微消息，8月8日，北京天科合達全資子公司江蘇天科合達半導體有限公司碳化硅晶片二期擴產項目開工活動在徐州市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)成功舉辦。 （圖源：金龍湖發(fā)布） 據(jù)悉，江蘇天科合達二期
2023-08-10 16:45:49797 
當前，全球碳化硅產業(yè)格局呈現(xiàn)美、歐、日三足鼎立態(tài)勢，碳化硅材料七成以上來自美國公司，歐洲擁有完整的碳化硅襯底、外延、器件以及應用產業(yè)鏈，日本則在碳化硅芯片、模塊和應用開發(fā)方面占據(jù)領先優(yōu)勢。
2023-08-15 10:07:41260 
目前，碳化硅（SiC）這種半導體材料因其在電力電子應用中的出色表現(xiàn)引起了廣泛的關注。對晶圓和器件的研究在近年來已經(jīng)取得很大進展。碳化硅是一種寬禁帶（WBG）半導體材料。禁帶通常是指價帶和導帶之間
2023-08-30 08:11:47695 
碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領域，處于寬禁帶半導體產業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎的核心關鍵材料。
2023-10-09 16:38:06529 
科友半導體8英寸碳化硅（SiC）中試線在2023年4月正式貫通后，同步推進晶體生長厚度、良率提升和襯底加工產線建設，加快襯底加工設備調試與工藝參數(shù)優(yōu)化。
2023-10-18 17:43:40724 三安光電10月23日宣布，旗下湖南三安在碳化硅產品上取得階段性進展，實現(xiàn)8英寸襯底準量產，部分產品已進入主流新能源汽車企業(yè)供應鏈。
2023-10-25 14:55:04411 在碳化硅產業(yè)鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產業(yè)鏈技術壁壘最高、價值量最大的環(huán)節(jié)，是未來碳化硅大規(guī)模產業(yè)化推進的核心環(huán)節(jié)。
碳化硅襯底的生產流程包括長晶、切片、研磨和拋光四個環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:57931 碳化硅襯底，新能源與5G的基石
2023-01-13 09:07:403 11月13日， 三菱電機株式會社（TOKYO：6503）宣布，將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關系，共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅（SiC）功率半導體。三菱電機將利用其寬禁帶半導體技術開發(fā)和供應SiC MOSFET芯片，Nexperia將用于開發(fā)SiC分立器件。
2023-11-14 10:34:33456 三菱電機今天宣布，將與安世半導體建立戰(zhàn)略合作伙伴關系，共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅 (SiC) 功率半導體。
2023-11-15 15:25:52473 
晶盛機電指出，最近在公司舉行的每年25萬6、5為8英寸碳化硅襯底片項目合同及啟動儀式為半導體材料方向，加快關鍵核心技術攻關，國產化替代這一措施標志著晶盛機電半導體材料的技術實力和市場競爭力得到了進一步提高。
2023-11-23 11:00:16268 前段時間，奧迪宣布年底生產碳化硅車型Q6 e-tron（，最近，奧迪又有1款碳化硅車型公布，同時Lucid也發(fā)布了最新的900V碳化硅車型。
2023-11-25 16:13:051423 2023年11月，日本三菱電機、安世半導體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產品功率半導體。
2023-11-25 16:50:53451 單晶生長，以高純硅粉和高純碳粉作為原材料形成碳化硅晶體；2）襯底環(huán)節(jié)，碳化硅晶體經(jīng)過切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成單晶薄片，也即半導體襯底材料；
2023-12-05 15:26:53560 
晶盛機電
公司決定從2017年開始，
碳化硅生長設備及技術
研發(fā)（r&d）開始，通過研究
開發(fā)組的技術攻堅，2018年，
公司成功
開發(fā)了6英寸生長
碳化硅決定，2020年長征及加工
研發(fā)試驗生產線建立?！?/div>
2023-12-06 14:08:17379 第三代半導體碳化硅材料生產及研究開發(fā)企業(yè)作為中國電科集團的“12大創(chuàng)新平臺之一，山西爍科晶體有限公司聚焦碳化硅單晶襯底領域，已成為國內實現(xiàn)碳化硅襯底材料供應鏈自主創(chuàng)新的供應商之一。
2023-12-11 10:46:37464 碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
2023-12-12 09:47:33456 
碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現(xiàn)，高質量的碳化硅同質外延材料是碳化硅器件研制的基礎，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:53607 
當前，大尺寸襯底成為碳化硅襯底制備技術的重要發(fā)展方向。
2023-12-24 14:18:08616 
在這次考察中，考察團主要針對博藍特公司計劃將其第三代半導體碳化硅襯底項目引入到延陵鎮(zhèn)，這筆交易總預算高達十億元人民幣，其中包括兩年內生產 25 萬片六至八英寸碳化硅襯底的能力。如果按照企業(yè)預期估算，該項目完成后每年潛在銷售額將達到 15 億元。
2024-01-19 13:57:20787 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）近期國內碳化硅襯底供應商陸續(xù)獲得海外大廠的訂單，4月底，天岳先進在2022年年報中披露去年公司與博世集團簽署了長期協(xié)議，公司將為博世供應碳化硅襯底產品
2023-05-06 01:20:002328 
碳化硅襯底長期供貨協(xié)議。ST還與三安合資建設碳化硅器件工廠，并由三安配套供應碳化硅襯底。 ? 另一方面產能擴張速度也較快，今年以來國內碳化硅襯底產能逐步落地，多家廠商的擴產項目都在2023年實現(xiàn)量產或是在產能爬坡過程中。與之
2024-01-08 08:25:342171 
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