0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

爍科晶體:向世界一流的碳化硅材料供應(yīng)商不斷邁進(jìn)

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2023-12-11 10:46 ? 次閱讀

碳化硅單晶的制造一直是世界性的技術(shù)難題,穩(wěn)定性高的結(jié)晶生長(zhǎng)工程是其中最核心的技術(shù)。

第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)及研究開發(fā)企業(yè)作為中國電科集團(tuán)的“12大創(chuàng)新平臺(tái)之一,山西爍科晶體有限公司聚焦碳化硅單晶襯底領(lǐng)域,已成為國內(nèi)實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底材料供應(yīng)鏈自主創(chuàng)新的供應(yīng)商之一。

爍科晶體核心團(tuán)隊(duì),從2009年開始埋頭開發(fā)包括碳化硅生長(zhǎng)碳化硅材料設(shè)備制造,粉末合成材料,決定成長(zhǎng)及chende加工等先后突破預(yù)測(cè)高純碳化硅粉末合成技術(shù),我缺點(diǎn)大直徑碳化硅生長(zhǎng)工藝技術(shù)和超平坦碳化硅chende加工技術(shù)等核心技術(shù)難題。爍科晶體表示,公司在國內(nèi)率先突破了8英寸高純度半切割及導(dǎo)電基板制造技術(shù),已實(shí)現(xiàn)少量銷售,技術(shù)技術(shù)達(dá)到國際先進(jìn)水平。

爍科晶體將以8英寸導(dǎo)電N型碳化硅襯底4N48競(jìng)逐IC風(fēng)云榜“年度優(yōu)秀創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)”。硅碳化硅同質(zhì)板是在導(dǎo)電硅電石基板上生長(zhǎng)硅碳化硅外延而得到的,可制造肖特基二極管、mosfet等功率器件,應(yīng)用于新能源汽車,軌道交通以及大功率輸電變電等領(lǐng)域。

爍科晶體于2018年獲得山西省優(yōu)秀技術(shù)難題解決組,2019年作為配套企業(yè)獲得“國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎(jiǎng)”。爍科晶體國家級(jí)專業(yè)化特新“小巨人”企業(yè),山西省制造業(yè)單項(xiàng)排名第一的企業(yè),山西省第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條“鏈主”企業(yè)、山西省碳化硅材料工程研究中心、山西省碳化硅材料中試基地建設(shè)獲得了依賴企業(yè)等榮譽(yù)。

爍科晶體表示,將向著“國內(nèi)最高、世界一流的碳化硅材料供應(yīng)企業(yè)”的企業(yè)飛躍邁進(jìn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28032

    瀏覽量

    225590
  • 供應(yīng)鏈
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    1695

    瀏覽量

    39185
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    2908

    瀏覽量

    49519
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    碳化硅的缺陷分析與解決方案

    碳化硅作為種新型半導(dǎo)體材料,因其高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度和高擊穿電場(chǎng)等特性,被廣泛應(yīng)用于高溫、高壓和高頻電子器件中。然而,碳化硅材料中的缺
    的頭像 發(fā)表于 01-24 09:17 ?375次閱讀

    碳化硅的耐高溫性能

    在現(xiàn)代工業(yè)中,高性能材料的需求日益增長(zhǎng),特別是在高溫環(huán)境下。碳化硅作為種先進(jìn)的陶瓷材料,因其卓越的耐高溫性能而受到廣泛關(guān)注。 1. 碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 01-24 09:15 ?431次閱讀

    碳化硅與傳統(tǒng)硅材料的比較

    在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,材料的選擇對(duì)于器件的性能至關(guān)重要。硅(Si)作為最常用的半導(dǎo)體材料,已經(jīng)有著悠久的歷史和成熟的技術(shù)。然而,隨著電子器件對(duì)性能要求的不斷提高,碳化硅(SiC)作為
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:13 ?510次閱讀

    碳化硅材料的特性和優(yōu)勢(shì)

    碳化硅(SiC)是種高性能的陶瓷材料,因其卓越的物理和化學(xué)特性而在許多工業(yè)領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。從高溫結(jié)構(gòu)部件到電子器件,SiC的應(yīng)用范圍廣泛,其獨(dú)特的性能使其成為許多應(yīng)用中的首選材料
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:11 ?546次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對(duì)器件的整體性能和使用壽命
    發(fā)表于 01-04 12:37

    碳化硅的未來發(fā)展趨勢(shì)

    隨著科技的不斷進(jìn)步,半導(dǎo)體材料的發(fā)展日新月異。碳化硅作為種新型半導(dǎo)體材料,因其在高溫、高壓、高頻等極端環(huán)境下的卓越性能,正逐漸成為電子器件
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:32 ?453次閱讀

    碳化硅在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用 碳化硅在汽車工業(yè)中的應(yīng)用

    碳化硅在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用 1. 太陽能光伏 碳化硅材料在太陽能光伏領(lǐng)域主要應(yīng)用于制造高性能的太陽能電池。由于其高熱導(dǎo)率和良好的化學(xué)穩(wěn)定性,碳化硅可以作為太陽能電池的基底
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:31 ?680次閱讀

    碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅材料的特性與優(yōu)勢(shì)

    碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅(SiC),作為種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性,在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。以下是碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:27 ?3357次閱讀

    碳化硅SiC材料應(yīng)用 碳化硅SiC的優(yōu)勢(shì)與性能

    碳化硅SiC材料應(yīng)用 1. 半導(dǎo)體領(lǐng)域 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料,尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應(yīng)用中。SiC基半導(dǎo)體器件包括肖特基二極管、MOSFETs、JFETs
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:28 ?1269次閱讀

    碳化硅與氮化鎵哪種材料更好

    。隨著科技的不斷發(fā)展,對(duì)高性能半導(dǎo)體材料的需求越來越大,碳化硅和氮化鎵的研究和應(yīng)用也日益受到重視。 碳化硅和氮化鎵的基本性質(zhì) 2.1 碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-02 11:19 ?1594次閱讀

    金剛石碳化硅晶體硅的熔沸點(diǎn)怎么比較

    金剛石、碳化硅晶體硅都是由碳元素構(gòu)成的晶體材料,它們具有不同的晶體結(jié)構(gòu)和化學(xué)性質(zhì)。 、
    的頭像 發(fā)表于 08-08 10:17 ?2650次閱讀

    碳化硅晶體硅誰的熔點(diǎn)高

    ℃。這些數(shù)據(jù)清晰地表明,在相同的條件下,碳化硅需要更高的溫度才能熔化,因此其熔點(diǎn)高于晶體硅。 碳化硅(SiC)是種無機(jī)物,俗名金剛砂,是
    的頭像 發(fā)表于 08-08 10:15 ?2367次閱讀

    碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別是什么

    以下是關(guān)于碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有比硅(Si)更高的熱導(dǎo)率、電子遷移率和擊
    的頭像 發(fā)表于 08-08 10:13 ?2196次閱讀

    碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較

    過去十年,碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種半導(dǎo)體器件的功率模塊,如雙極結(jié)晶體管(BJT)、結(jié)型場(chǎng)效
    的頭像 發(fā)表于 05-30 11:23 ?1077次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較

    碳化硅功率器件:高效能源轉(zhuǎn)換的未來

    碳化硅功率器件是類基于碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,常見的碳化硅功率器件包括碳化硅MOSFET(
    的頭像 發(fā)表于 04-29 12:30 ?602次閱讀