ASML在IEDM 2019大會(huì)上披露，截至2019年，總共已經(jīng)使用EUV設(shè)備處理了450萬(wàn)片晶圓。該公司最新的NXE：3400C系統(tǒng)每小時(shí)可生產(chǎn)170個(gè)晶圓。 從2011年到2018年末，通過(guò)
2019-12-17 13:58:48
5331 TSV技術(shù)應(yīng)用即將遍地開(kāi)花。隨著各大半導(dǎo)體廠商陸續(xù)將TSV立體堆疊納入技術(shù)藍(lán)圖，TSV應(yīng)用市場(chǎng)正加速起飛，包括影像感應(yīng)器、功率放大器和處理器等元件，皆已開(kāi)始采用；2013年以后，3D TSV技術(shù)更將由8寸晶圓逐漸邁向12寸晶圓應(yīng)用。
2013-01-27 10:25:003306 全球最大的半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)商荷蘭ASML今天披露說(shuō)，他們將按計(jì)劃在2015年提供450毫米晶圓制造設(shè)備的原型，Intel、三星電子、臺(tái)積電等預(yù)計(jì)將在2018年實(shí)現(xiàn)450毫米晶圓的商業(yè)性量產(chǎn)，與此同時(shí)，極紫外（EUV）光刻設(shè)備也進(jìn)展順利，將在今年交付兩套新的系統(tǒng)。
2013-04-21 09:42:141285 龐大的財(cái)務(wù)與技術(shù)障礙繼續(xù)困擾18吋（450mm）晶圓發(fā)展，IC制造商紛紛將原本充滿雄心壯志的18吋晶圓相關(guān)計(jì)劃延后，轉(zhuǎn)向?qū)?2吋與8吋晶圓生產(chǎn)效益最大化──市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights 的最新報(bào)告顯示，全球晶圓產(chǎn)能到2020年都將延續(xù)以12吋晶圓稱霸的態(tài)勢(shì)。
2016-10-13 16:21:081531 
本文報(bào)道了TSV過(guò)程的細(xì)節(jié)。還顯示了可以在8-in上均勻地形成許多小的tsv(直徑:6 m，深度:22 m)。通過(guò)這種TSV工藝的晶片。我們?nèi)A林科納研究了TSV的電學(xué)特性，結(jié)果表明TSV具有低電阻和低電容；小的TSV-硅漏電流和大約83%的高TSV產(chǎn)率。
2022-06-16 14:02:432749 
來(lái)源：半導(dǎo)體風(fēng)向標(biāo) 從HBM存儲(chǔ)器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場(chǎng)上有許多芯片是用英文稱為TSV構(gòu)建的，TSV是首字母縮寫，意為“通過(guò)硅通孔”并翻譯為via硅的事實(shí)，它們垂直地穿過(guò)
2023-07-26 10:06:15619 硅通孔技術(shù)（TSV，Through Silicon Via）是通過(guò)在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通，實(shí)現(xiàn)芯片之間互連的技術(shù)，是2.5D/3D 封裝的關(guān)鍵工藝之一。通過(guò)垂直互連減小互連長(zhǎng)度、信號(hào)延遲，降低電容、電感，實(shí)現(xiàn)芯片間低功耗、高速通訊，增加帶寬和實(shí)現(xiàn)小型化。
2024-01-09 09:44:131902 
L-3型臥式車床，其最大加工直徑為450mm，最長(zhǎng)加工長(zhǎng)度為1500mm。是生產(chǎn)型企業(yè)常用普通車床之一。
2024-01-22 14:09:48436 
具有代表性的技術(shù)包括晶圓級(jí)封裝（WLP）及采用TSV（硅通孔）的硅轉(zhuǎn)接板等，潛藏著新的商機(jī)。
2011-08-28 12:17:464024 
新美光 CEO 夏秋良介紹，450mm 半導(dǎo)體單晶硅棒采用國(guó)際最先進(jìn) MCZ 技術(shù)，代表國(guó)際先進(jìn)水平，改變國(guó)內(nèi)無(wú)自主 450mm 半導(dǎo)體級(jí)單晶硅棒的局面。將在 28nm 以下晶圓廠實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。在半導(dǎo)體晶圓廠自主化方面，發(fā)揮重要作用。
2020-07-02 09:45:526796 日前，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子和SK海力士都將在DRAM生產(chǎn)中導(dǎo)入EUV技術(shù)，以建立更高的技術(shù)壁壘。對(duì)此，美光（Micron）企業(yè)副總裁、中國(guó)臺(tái)灣美光董事長(zhǎng)徐國(guó)晉表示，美光不打算跟進(jìn)，目前并無(wú)采用 EUV 計(jì)劃。
2020-10-09 10:34:452136 PICOBLADE 6 CIRCUIT 450MM
2024-03-14 23:13:30
CLICKMATE 6 CIRCUIT 450MM
2024-03-14 23:13:30
2140 MHz和100 MHz的有用帶寬。該濾波器用于射頻信號(hào)的時(shí)間對(duì)準(zhǔn)，并提供450納秒的絕對(duì)延遲。該設(shè)備的插入損耗為29分貝，它被封裝在一個(gè)密封的表面貼裝封裝。產(chǎn)品型號(hào): 856717產(chǎn)品名稱
2018-07-16 10:18:00
ofweek電子工程網(wǎng)訊 國(guó)際半導(dǎo)體制造龍頭三星、臺(tái)積電先后宣布將于2018年量產(chǎn)7納米晶圓制造工藝。這一消息使得業(yè)界對(duì)半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵設(shè)備之一極紫外光刻機(jī)（EUV）的關(guān)注度大幅提升。此后又有媒體
2017-11-14 16:24:44
TSV911AIDCKR
2023-03-28 13:13:59
FreeRTOS筆記（十一）延遲中斷
2019-07-23 08:39:30
[table][tr][td] 問(wèn)題描述： 系統(tǒng)調(diào)試過(guò)程中發(fā)現(xiàn)硬件中斷經(jīng)常得不到及時(shí)響應(yīng)，根據(jù)現(xiàn)象推斷中斷會(huì)被延遲達(dá)150us以上。 問(wèn)題分析：中斷信號(hào)是連到CPLD的，DSP的GPIO6也
2018-08-15 04:17:39
Interface NAMURaE+H液位計(jì)FTL51-MBG2BB6E5AL=450MM E+H液位計(jì)FTL51-MBG2BB6E5AL=300MME+H 分析儀CPF81－NN11A2恩德斯豪斯CPS11D-7BA21
2021-09-08 13:39:20
MAX1614EUV - High-Side, n-Channel MOSFET Switch Driver Internal On/Off Latch - Maxim Integrated Products
2022-11-04 17:22:44
MICROFJ-30035-TSV-TR
2023-04-06 23:31:03
MICROFJ-60035-TSV-TR
2023-04-06 23:31:03
MICROFJ-60035-TSV-TR1
2023-04-06 23:35:33
：0.5mm/s 和0.1mm/s可調(diào)●硬件結(jié)構(gòu)：測(cè)針：標(biāo)準(zhǔn)型(高度小于8mm)1支，觸針半徑2μm，靜態(tài)測(cè)力0.75mN；大理石平臺(tái)：尺寸≥800×450mm；電動(dòng)立柱：高度≥450mm；●測(cè)量軟件依照
2017-02-23 18:12:50
IONIZER BAR 450MM LENGTH
2023-03-23 05:03:39
印刷機(jī)上，然后由人工或印刷機(jī)把錫膏涂敷于印版上有文字和圖像的地方，再直接或間接地轉(zhuǎn)印到電路板上，從而復(fù)制出與印版相同的PCB板。參數(shù) ?最大板尺寸 (X x Y)：450mm x 320mm ?最小板尺寸
2015-01-13 10:12:12
：353mm(寬)×177mm(高)×450mm(長(zhǎng))重量：22kg(通常情況下)————————————————————————————————————————- 以上儀器皆是我們的存貨。此推廣
2017-06-20 16:40:15
的火花,即450mm及EUV 光刻 機(jī)。在LinkedIn半導(dǎo)體制造小組中近期從一家成員公司偶然提出一個(gè)問(wèn)題讓我產(chǎn)生了思考。當(dāng)經(jīng)濟(jì)處于復(fù)蘇的好時(shí)機(jī)時(shí)會(huì)改潿雜詿50mm硅片的看法嗎？WWK的總裁David Jimenez回答了它的問(wèn)題。設(shè)備制造商會(huì)愿意更多的投資來(lái)發(fā)展450mm設(shè)備？傳感技術(shù)
2010-02-26 14:52:33
儀; 信號(hào)發(fā)生器; 數(shù)字源表; 數(shù)字萬(wàn)用表; 單位注冊(cè)資金單位注冊(cè)資金人民幣200萬(wàn)元以下。 我們公司主要供應(yīng)二手儀器二手儀器回收|二手儀器維修|二手儀器租賃|二手網(wǎng)絡(luò)分析儀、頻譜分析儀、示波器等產(chǎn)品，我們的產(chǎn)品貨真價(jià)實(shí)，性能可靠，歡迎電話咨詢！收購(gòu)Ti450、回收福祿克/Fluke Ti450
2020-03-24 10:38:19
，其生產(chǎn)線測(cè)試必然有全新的需求，此外，EUV也提上了日程，需要全新的測(cè)試方案進(jìn)行驗(yàn)證，這部分2012年會(huì)有大量廠商投入研發(fā)，還有一個(gè)熱點(diǎn)是450mm晶圓設(shè)備測(cè)試驗(yàn)證也進(jìn)入研發(fā)關(guān)鍵階段。
2012-02-03 09:43:19
硅通孔（TSV）電鍍的高可靠性是高密度集成電路封裝應(yīng)用中的一個(gè)有吸引力的熱點(diǎn)。本文介紹了通過(guò)優(yōu)化濺射和電鍍條件對(duì)完全填充TSV的改進(jìn)。特別注意具有不同種子層結(jié)構(gòu)的樣品。這些樣品是通過(guò)不同的濺射和處理
2021-01-09 10:19:52
這個(gè)要根據(jù)die的大小和wafer的大小以及良率來(lái)決定的。目前業(yè)界所謂的6寸，12寸還是18寸晶圓其實(shí)就是晶圓直徑的簡(jiǎn)稱，只不過(guò)這個(gè)吋是估算值。實(shí)際上的晶圓直徑是分為150mm，300mm以及450mm這三種，而12吋約等于305mm，為了稱呼方便所以稱之為12吋晶圓。
2018-06-13 14:30:58
你有TSV6390AIDT和/或TSV6290AIDT的SPICE型號(hào)嗎？ 謝謝， 何魯麗 ＃運(yùn)算放大器，香料宏模型
2019-08-06 14:07:54
你好，熱分析要求CY7C2663KV18-450BZI元件高度公差來(lái)自PCB。我需要知道最小，典型和最大高度值毫米。圖中給出了下面的繪圖。給出了馬克斯值，但用下圖不能從PCB到IC頂部獲得Min
2018-10-18 15:24:25
STMicroelectronics 運(yùn)算放大器 TSV912AIDT 雙 高速、精密, 8MHz增益帶寬積
2022-05-31 10:04:31
Frequency: 450MHzImpedance: 50 OhmsVSWR: <1.5Gain: 5.0 dBi EA450TGain: 3.0 dBi EB450
2009-03-16 09:32:51
7 本文從延遲鎖定環(huán)路(DLL)的線性模型出發(fā)，運(yùn)用信號(hào)統(tǒng)計(jì)分析的方法，詳細(xì)研究了延遲鎖定環(huán)路的同步性能與相關(guān)區(qū)間、環(huán)路帶寬與信噪比之間的關(guān)系，得出了采用窄相關(guān)可以顯
2009-08-07 10:03:3024 生產(chǎn)450 mm（18 英寸）硅晶圓的經(jīng)濟(jì)可行性——來(lái)自硅晶圓材料供應(yīng)廠商的呼聲鐘 信1． 前言根據(jù)歷史數(shù)據(jù)分析，晶圓尺寸的倍增轉(zhuǎn)換周期大約為11 年。第一條 200 mm 生產(chǎn)線投
2009-12-15 15:07:0924 荷蘭ISTEQ公司TEUS系列EUV光源產(chǎn)品介紹：ISTEQ公司開(kāi)發(fā)了一種基于激光產(chǎn)生等離子體（LPP）的EUV光源。該光源具有極高的亮度和極高的穩(wěn)定性。它采用可自刷新的材料，無(wú)需中斷和更換燃料盒
2023-07-05 16:06:24
荷蘭ISTEQ公司TEUS系列EUV光源產(chǎn)品介紹：ISTEQ公司開(kāi)發(fā)了一種基于激光產(chǎn)生等離子體（LPP）的EUV光源。該光源具有極高的亮度和極高的穩(wěn)定性。它采用可自刷新的材料，無(wú)需中斷和更換燃料盒
2023-07-05 16:16:48
三項(xiàng)半導(dǎo)體新技術(shù)投入使用的時(shí)間將后延至2015-2016年
半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)權(quán)威分析公司IC Insights近日發(fā)布的報(bào)告顯示，按照他們的估計(jì)，450mm技術(shù)以及極紫外光刻
2010-01-26 11:34:36411 三項(xiàng)半導(dǎo)體新技術(shù)投入使用的時(shí)間將后延
半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)權(quán)威分析公司ICInsights近日發(fā)布的報(bào)告顯示，按照他們的估計(jì)，450mm
2010-01-28 09:21:39491 美紐約州匿名團(tuán)體反對(duì)州政府資助450mm項(xiàng)目
日前，一個(gè)匿名群體就美國(guó)紐約州對(duì)CNSE/Sematech在Albany N.Y.的450mm晶圓研發(fā)中心進(jìn)行資助表示反對(duì)。這個(gè)群體告訴紐約州的政
2010-02-10 10:31:20542 隨著半導(dǎo)體業(yè)逐漸地走出2008/2009年低谷，450mm硅片的可行性再次提上議事日程。目前450mm最大問(wèn)題集中在研發(fā)成本及未來(lái)投資的回報(bào)率。
2010-06-09 15:11:38729 
3D-IC設(shè)計(jì)者希望制作出高深寬比(HAR>10:1)硅通孔(TSV)，從而設(shè)計(jì)出更小尺寸的通孔，以減小TSV通孔群在硅片上的占用空間，最終改進(jìn)信號(hào)的完整性。事實(shí)上，當(dāng)前傳統(tǒng)的TSV生產(chǎn)供應(yīng)鏈已落后于ITRS對(duì)其的預(yù)測(cè)。
2011-01-14 16:10:401719 
近日英特爾公布22nm的3D(三維)技術(shù)開(kāi)發(fā)成功，表明一直前景不明的16nm技術(shù)可能會(huì)提前導(dǎo)入市場(chǎng)。
2011-08-18 10:03:451239 一片18寸(450mm)晶圓產(chǎn)出的芯片數(shù)是12寸(300mm)的兩倍以上,雖然晶圓尺寸愈大，愈能降低芯片制造成本，但推升晶圓尺寸所需的技術(shù)和復(fù)雜度高，需要設(shè)備、元件等產(chǎn)業(yè)鏈的搭配，建廠成本
2011-12-14 09:07:10697 TSV3DIC技術(shù)雖早于2002年由IBM所提出，然而，在前后段IC制造技術(shù)水準(zhǔn)皆尚未成熟情況下，TSV3DIC技術(shù)發(fā)展速度可說(shuō)是相當(dāng)緩慢，DIGITIMESResearch分析師柴煥欣分析，直至2007年?yáng)|芝（Toshiba）將
2012-02-21 08:45:371435 你最近有看到關(guān)于過(guò)孔硅（TSV）的新聞嗎？
2012-04-16 08:54:465346 臺(tái)大土木系「高科技廠房設(shè)施研究中心」研發(fā)人員將于5月中旬進(jìn)駐竹北分部校區(qū)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及相關(guān)產(chǎn)業(yè)，預(yù)期將在3至5年內(nèi)進(jìn)入18寸（450mm）晶圓之量產(chǎn)及14奈米之制程。
2012-05-09 08:40:09722 Crossing Automation, Inc.近日宣布成立新業(yè)務(wù)部，拓展并研發(fā)450mm 晶片自動(dòng)化平臺(tái)的發(fā)展與產(chǎn)能。
2012-05-11 09:21:13589 臺(tái)積電先進(jìn)制程布局火力全開(kāi)。除20奈米（nm）已先行導(dǎo)入試產(chǎn)外，臺(tái)積電2013～2015年還將進(jìn)一步采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體（FinFET）技術(shù)，打造16、10奈米制程；同時(shí)亦可望推出18寸（450mm）晶圓
2012-09-07 09:05:21766 2012年國(guó)際半導(dǎo)體展昨閉幕，450mm（18寸）供應(yīng)鏈論壇邀請(qǐng)到臺(tái)積電（2330）、全球450mm聯(lián)盟、應(yīng)用材料、KLA-Tencor、Lam Research等深度探討450mm未來(lái)發(fā)展藍(lán)圖，并率先預(yù)告世界第1座450mm晶圓廠
2012-09-08 09:39:552184 圍繞450mm晶圓和EUV（Extreme Ultraviolet，超紫外線）曝光等新一代半導(dǎo)體制造技術(shù)的動(dòng)向日趨活躍。2012年7月，全球最大的曝光設(shè)備廠商——荷蘭阿斯麥（ASML）宣布，將從半導(dǎo)體廠商獲得
2012-09-10 09:31:171087 
在9月初SemiconTaiwan舉辦的“450mm供應(yīng)鏈”研討會(huì)中，臺(tái)積電和G450C(全球450聯(lián)盟)明確揭示了18寸晶圓預(yù)計(jì)于2018年投入量產(chǎn)的發(fā)展時(shí)程。
2012-09-24 09:13:001007 全球五大半導(dǎo)體業(yè)者在2011年共同成立全球450mm聯(lián)盟，并于美國(guó)紐約州Albany設(shè)立450mm晶圓技術(shù)研發(fā)中心。
2012-12-12 09:18:471322 精密真空產(chǎn)品和尾氣處理系統(tǒng)領(lǐng)先制造商及相關(guān)增值服務(wù)全球供應(yīng)商Edwards 集團(tuán)有限公司（納斯達(dá)克代碼：EVAC）最近加入了一個(gè)由全球十家半導(dǎo)體設(shè)備公司組成、旨在組建450mm晶圓制造設(shè)備聯(lián)盟（F450C）的工作組。
2013-07-09 11:54:56985 最新行業(yè)觀察：英特爾14nm將推遲一個(gè)季度甚至兩個(gè)季度！450mm晶圓工藝預(yù)期也挪后了。IC Insights數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)市場(chǎng)已經(jīng)成為PC、汽車、手機(jī)和數(shù)字電視的No. 1！關(guān)注電子發(fā)燒友網(wǎng)，關(guān)注最新市場(chǎng)動(dòng)態(tài)！
2013-08-27 12:33:332914 硅通孔技術(shù)（Through Silicon Via， TSV）技術(shù)是一項(xiàng)高密度封裝技術(shù)，正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術(shù)，被認(rèn)為是第四代封裝技術(shù)。TSV技術(shù)通過(guò)銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)
2016-10-12 18:30:2714721 
TSV互連結(jié)構(gòu)傳輸性能分析及故障建模研究_尚玉玲
2017-01-07 19:00:393 在短短幾年前還在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界被熱烈討論的18寸（450mm）晶圓，似乎失去了背后的推動(dòng)力，至少在目前看來(lái)如此。
2017-01-17 15:32:581140 The TSV99x and TSV99xA family of single， dual， and quad operational amplifiers offers low voltage
2017-09-04 14:51:1812 The TSV358， TSV358A， TSV324， and TSV324A （dual and quad） devices are low voltage versions of the LM358 and LM324 commodity operational amplifiers.
2017-09-05 09:12:306 The TSV6390， TSV6391， and their “A” versions are single operational amplifiers （op amps） offering
2017-09-05 09:34:144 The TSV52x and TSV52xA series of operational amplifiers offer low voltage operation and rail-torail
2017-09-05 09:52:585 The TSV630 and TSV631 devices are single operational amplifiers offering low voltage， low power operation， and rail-to-rail input and output.
2017-09-05 10:04:3216 The TSV622， TSV622A， TSV623， TSV623A， TSV624， TSV624A， TSV625， and TSV625A dual and quad operational amplifiers offer low voltage
2017-09-05 10:58:254 The TSV620， TSV620A， TSV621， and TSV621A are single operational amplifiers offering low voltage， low power operation
2017-09-05 11:01:536 The TSV85x， TSV85xA series of single， dual， and quad operational amplifiers offer low voltage operation with a rail-to-rail output swing.
2017-09-25 10:42:0911 沙子轉(zhuǎn)變?yōu)榘雽?dǎo)體級(jí)硅的制備，再將其轉(zhuǎn)變成晶體和晶圓，以及生產(chǎn)拋光晶圓要求的工藝步驟。這其中包括了用于制造操作晶圓的不同類型的描述。生長(zhǎng)450mm直徑的晶體和450mm晶圓的制備存在的挑戰(zhàn)性。
2018-07-19 10:09:3113334 的填充，實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連。硅通孔技術(shù)可以通過(guò)垂直互連減小互聯(lián)長(zhǎng)度，減小信號(hào)延遲，降低電容/電感，實(shí)現(xiàn)芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實(shí)現(xiàn)器件集成的小型化?；?b class="flag-6" style="color: red">TSV技術(shù)的3D封裝主要有以下幾個(gè)方面優(yōu)勢(shì)：
2018-08-14 15:39:1089027 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TI(ti)TSV914相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有TSV914的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，TSV914真值表，TSV914管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2018-11-02 18:33:05
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是SU450B寫頻器驅(qū)動(dòng)和華為SU450寫頻軟件及華為SU450寫頻方法資料概述。
2018-10-22 08:00:0061 磁帶延遲效果與單塊的作用原理不同，磁帶延遲使用的是通過(guò)錄音的方式然后通過(guò)磁帶的循環(huán)播放來(lái)實(shí)現(xiàn)。磁帶延遲相當(dāng)受歡迎，因?yàn)樗軌蛱峁┒喾N延遲時(shí)間和速度調(diào)節(jié)，并且聲音相當(dāng)自然。
2019-06-17 14:15:165622 格芯首席技術(shù)官Gary Patton表示，如果在5nm的時(shí)候沒(méi)有使用EUV光刻機(jī)，那么光刻的步驟將會(huì)超過(guò)100步，這會(huì)讓人瘋狂。所以所EUV光刻機(jī)無(wú)疑是未來(lái)5nm和3nm芯片的最重要生產(chǎn)工具，未來(lái)圍繞EUV光刻機(jī)的爭(zhēng)奪戰(zhàn)將會(huì)變得異常激烈。因?yàn)檫@是決定這些廠商未來(lái)在先進(jìn)工藝市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵。
2019-09-03 17:18:1812845 
從產(chǎn)品層面而言，如今市場(chǎng)的推動(dòng)力已經(jīng)由PC轉(zhuǎn)向智能手機(jī)、平板電腦，但是2013年中國(guó)智能手機(jī)增幅首次下降以及諸多移動(dòng)產(chǎn)品增長(zhǎng)高潮已過(guò)，而價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈，逐漸向PC市場(chǎng)低毛利率靠攏，加上關(guān)鍵性技術(shù)如EUV光刻和450mm硅片量產(chǎn)等尚未完全攻克，讓下一輪的集成電路增長(zhǎng)添加了不確定性。
2019-09-23 11:07:221295 與此同時(shí)， 他指出，EUV繼續(xù)為ASML的客戶提高產(chǎn)量，迄今為止，他們的客戶已經(jīng)使用EUV光刻機(jī)曝光了超過(guò)1100萬(wàn)個(gè)EUV晶圓，并交付了57個(gè)3400x EUV系統(tǒng)（3400平臺(tái)是EUV生產(chǎn)平臺(tái)）。
2020-08-14 11:20:552048 
今天分析了另外一個(gè)關(guān)于數(shù)據(jù)庫(kù)延遲跳動(dòng)的問(wèn)題，也算是比較典型，這個(gè)過(guò)程中也有一些分析問(wèn)題的方法和技巧工參考。
2020-08-20 14:18:041679 
TSL2584TSV Block Diagram
2021-01-22 09:39:411 RoHS Certificate TSL2584TSV
2021-01-25 07:17:067 以單機(jī)25×104kW的發(fā)電機(jī)為例，以其推力油槽尺寸選擇量程為450mm（即磁翻板液位計(jì)法蘭口1與法蘭口2之間的中心距為450mm）的磁翻板液位計(jì)2套。每個(gè)磁翻板液位計(jì)均應(yīng)配備1個(gè)液位變送器
2021-05-06 09:21:251317 就必須對(duì)風(fēng)泂試驗(yàn)段進(jìn)行整體結(jié)構(gòu)強(qiáng)度、剛度分析以校核其運(yùn)營(yíng)的安全性。以有限元模擬仿真分析軟件TSV-Sσ utions對(duì)δm×6m試驗(yàn)段進(jìn)行結(jié)構(gòu)強(qiáng)度分析和模態(tài)分析，根據(jù)結(jié)果提出優(yōu)化改進(jìn)風(fēng)洞試驗(yàn)段的結(jié)構(gòu)，并對(duì)優(yōu)仳后的結(jié)果進(jìn)行分析，優(yōu)化后的
2021-05-07 16:23:587 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ti)DC450A相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DC450A的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，DC450A真值表，DC450A管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-07-30 22:00:04
直通硅通孔(TSV)器件是3D芯片封裝的關(guān)鍵推動(dòng)者，可提高封裝密度和器件性能。要實(shí)現(xiàn)3DIC對(duì)下一代器件的優(yōu)勢(shì)，TSV縮放至關(guān)重要。
2022-04-12 15:32:46942 
芯片和封裝基板的互連，以及芯片和芯片的互連。TSV技術(shù)通過(guò)銅、鎢、多晶硅等填充，實(shí)現(xiàn)垂直電氣互連。硅通孔技術(shù)可以通過(guò)垂直互連減小互聯(lián)長(zhǎng)度，降低信號(hào)延遲，降低寄生電容/電感，實(shí)現(xiàn)芯片間的低功耗、高速、寬帶通信和實(shí)現(xiàn)器件集成的小型化。
2022-05-31 15:24:392053 本文介紹了采用芯和半導(dǎo)體ViaExpert軟件進(jìn)行TSV陣列的建模和仿真分析流程。TSV結(jié)構(gòu)復(fù)雜，存在建模繁瑣、分析不便等問(wèn)題。
2022-06-03 09:03:001363 
HVM中的EUV光刻
?背景和歷史
?使用NXE的EUV光刻：3400B
?EUV生成原理
?EUV來(lái)源：架構(gòu)
?現(xiàn)場(chǎng)EUV源
?電源展望
?總結(jié)
2022-06-13 14:45:450 蔣尚義認(rèn)為450mm會(huì)占用臺(tái)積電太多的研發(fā)人員，削弱其在其他領(lǐng)域追求技術(shù)進(jìn)步的能力。然而，研發(fā)預(yù)算更大的英特爾受到的影響較小。因此，選擇較大的硅片的主要原因是“大家伙可以把小家伙擠出去”，蔣尚義表示。
2022-08-08 15:17:481711 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1110S-450+相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DS1110S-450+的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，DS1110S-450+真值表，DS1110S-450+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-29 20:52:45
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1110E-450+相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DS1110E-450+的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，DS1110E-450+真值表，DS1110E-450+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-30 19:33:49
TSV 是目前半導(dǎo)體制造業(yè)中最為先進(jìn)的技術(shù)之一，已經(jīng)應(yīng)用于很多產(chǎn)品生產(chǎn)。實(shí)現(xiàn)其制程的關(guān)鍵設(shè)備選擇與工藝選擇息息相關(guān)， 在某種程度上直接決定了 TSV 的性能優(yōu)劣。本文筆者在綜述 TSV 的工藝流程
2023-02-17 10:23:531010 編者注：TSV是通過(guò)在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過(guò)銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián)，這項(xiàng)技術(shù)是目前唯一的垂直電互連技術(shù)，是實(shí)現(xiàn)3D先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。
2023-07-03 09:45:342003 
TSV不僅賦予了芯片縱向維度的集成能力，而且它具有最短的電傳輸路徑以及優(yōu)異的抗干擾性能。隨著摩爾定律慢慢走到盡頭，半導(dǎo)體器件的微型化也越來(lái)越依賴于集成TSV的先進(jìn)封裝。
2023-07-25 10:09:36470 
硅通孔（TSV）有望成為電子器件三維芯片堆疊技術(shù)的未來(lái)。TSV互連的結(jié)構(gòu)是通過(guò)首先在晶片表面蝕刻深過(guò)孔，然后用所需金屬填充這些過(guò)孔來(lái)形成的。目前，銅基TSV是最具成本效益的大規(guī)模生產(chǎn)TSV。一旦過(guò)孔
2023-08-30 17:19:11326 
近20年來(lái)，EUV光源、EUV掩模和EUV光刻膠一直是EUV光刻的三大技術(shù)挑戰(zhàn)。
2023-09-14 09:45:12563 
3D-IC 中 硅通孔TSV 的設(shè)計(jì)與制造
2023-11-30 15:27:28212 
三星電子和sk海力士用于tsv蝕刻的設(shè)備都是Syndion。synthion是典型的深硅蝕刻設(shè)備，深度蝕刻到晶片內(nèi)部，用于tsv和溝槽等的高度和寬度比的形成。泛林集團(tuán) sabre 3d將用于用銅填充蝕刻的晶圓孔來(lái)制作線路的tsv線路。
2023-11-30 10:15:57333 在討論ASML以及為何復(fù)制其技術(shù)如此具有挑戰(zhàn)性時(shí)，分析通常集中在EUV機(jī)器的極端復(fù)雜性上，這歸因于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手復(fù)制它的難度。
2024-01-17 10:46:13116 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論