臺灣積體電路制造公司（簡稱為臺積電（TSMC））最近宣布了其第四個28nm工藝進入了量產(chǎn) - 28HPC Plus（即28HPC +）。臺積電（TSMC）的前兩項28nm工藝（聚氮氧化硅28
2017-11-01 06:04:00
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高通執(zhí)行副總裁史蒂芬·莫林科夫(Steven Mollenkopf)終于證實，公司旗下首款采用28納米制造工藝的產(chǎn)品將于今年年底到來!其實早前業(yè)內(nèi)就已經(jīng)有消息放出，暗示高通將于今年晚些時候才發(fā)
2011-07-23 09:14:133258 全球電子設(shè)計創(chuàng)新企業(yè)Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司日前宣布其與TSMC在3D IC設(shè)計基礎(chǔ)架構(gòu)開發(fā)方面的合作。
2012-06-11 09:47:431071 新思科技公司(Synopsys, Inc.， 納斯達克股票市場代碼：SNPS)日前宣布： 該公司針對多家領(lǐng)先的晶圓代工廠優(yōu)化的28納米工藝DesignWare IP已贏得第100項設(shè)計。
2012-09-20 10:11:401139 賽靈思的20納米產(chǎn)品以備受市場肯定的28納米制程突破性技術(shù)為基礎(chǔ)，提供超越一個技術(shù)世代的系統(tǒng)效能、功耗和可編程系統(tǒng)整合度，繼續(xù)超越下一代！
2012-12-03 09:48:01876 Altera公司（NASDAQ： ALTR）和TSMC （TWSE： 2330， NYSE： TSM）今天再次強調(diào)雙方將繼續(xù)長期合作，為FPGA創(chuàng)新設(shè)立新里程碑。TSMC是Altera的主要代工
2013-02-26 16:16:58708 Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司（Cadence Design Systems， Inc.）（納斯達克代碼：CDNS）今日宣布與TSMC簽訂了一項長期合作協(xié)議，共同開發(fā)16納米FinFET技術(shù)，以其適用于
2013-04-09 11:00:05798 賽靈思（Xilinx）營收表現(xiàn)持續(xù)看漲。賽靈思攜手臺積電，先將28納米制程新產(chǎn)品效益極大化，而后將持續(xù)提高20納米及16納米FinFET制程比例，同時以FPGA、SoC及3D IC三大產(chǎn)品線創(chuàng)造5年以上的持續(xù)獲利表現(xiàn)。賽靈思將可利用與臺積電良好的合作關(guān)系，于先進制程競賽中穩(wěn)扎穩(wěn)打，獲得客戶青睞。
2013-10-22 09:08:011144 All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司（Xilinx， Inc. （NASDAQ:XLNX））今天宣布其與臺積公司（ TSMC）已經(jīng)就7nm工藝和3D IC技術(shù)開展合作，共同打造其下一代All Programmable FPGA、MPSoC和3D IC。
2015-05-29 09:09:491802 采用其28納米工藝制程的 Qualcomm?驍龍?410處理器已成功應(yīng)用于主流智能手機，這是28納米核心芯片實現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用的重要一步，開啟了先進手機芯片制造落地中國的新紀(jì)元。
2015-08-11 07:54:462718 據(jù)臺灣經(jīng)濟日報最新消息，聯(lián)電（2303）與下一代ST-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻RAM）領(lǐng)導(dǎo)者美商Avalanche共同宣布，合作技術(shù)開發(fā)MRAM及相關(guān)28納米產(chǎn)品；聯(lián)電即日起透過授權(quán)，提供客戶具有成本效益的28納米嵌入式非揮發(fā)性MRAM技術(shù)。
2018-08-09 10:38:123129 （Microcontroller Unit, MCU）市場，最新推出95納米單絕緣柵非易失性嵌入式存儲器（95納米5V SG eNVM）工藝平臺。在保證產(chǎn)品穩(wěn)定性能的同時，95納米5V SG eNVM工藝平臺以其低功耗、低成本
2017-08-31 10:25:23
想問一下，TSMC350nm的工藝庫是不是不太適合做LC-VCO啊，庫里就一個電容能選的，也沒有電感可以選。（因為課程提供的工藝庫就只有這個350nm的，想做LC-VCO感覺又不太適合，好像只能做ring-VCO了）請問350nm有RF工藝嘛，或者您有什么其他的工藝推薦？
2021-06-24 08:06:46
工藝節(jié)點中設(shè)計，但是 FD-SOI 技術(shù)提供最低的功率，同時可以承受輻射效應(yīng)。與體 CMOS 工藝相比，28 納米 FD-SOI 芯片的功耗將降低 70%。射頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器需要同時具有高帶寬和低功耗，以
2023-02-07 14:11:25
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 納米線制造和單光子發(fā)射器器件應(yīng)用的蝕刻工藝編號：JFSJ-21-045作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
Nano-Proprietary旗下的Applied Nanotech公司與Funai Electric先進應(yīng)用技術(shù)研究所日前宣布，雙方將針對一個研究項目進行合作，共同開發(fā)基于酶涂層碳納米
2018-11-19 15:20:44
什么是納米？為什么制程更小更節(jié)能？為何制程工藝的飛躍幾乎都是每2年一次？
2021-02-01 07:54:00
最近在使用UMC 28HPC工藝進行MC仿真，發(fā)現(xiàn)兩個問題：1. MC仿真結(jié)果的std（標(biāo)準(zhǔn)差）和實測結(jié)果不match，實測結(jié)果大概為仿真結(jié)果的3倍。查看了一下U28HPC的model file
2021-06-25 06:40:16
有顏色嗎回答：一般0-200納米無任何顏色，200納米以上有可能有彩虹，可能是產(chǎn)品表面不平整反射導(dǎo)致，也要看看不同工藝。問題四：什么是納米防水防潮膜的指標(biāo)?；卮穑核谓桥c膜厚。其他性能下期繼續(xù)。[url=]更多操作[/url]
2018-09-28 23:44:17
一半，而性能提高兩倍。通過選擇一個高性能低功耗的工藝技術(shù)，一個覆蓋所有產(chǎn)品系列的、統(tǒng)一的、可擴展的架構(gòu)，以及創(chuàng)新的工具，賽靈思將最大限度地發(fā)揮 28 納米技術(shù)的價值， 為客戶提供具備 ASIC 級功能
2019-08-09 07:27:00
我在使用TSMC 65GP 工藝 跑蒙特卡洛仿真，我只用了lvt的N管和P管，MODEL里面我把所有帶lvt的都選了，還是遇到這個問題，有大神可以幫忙一下嗎
2021-06-24 07:08:35
實驗室呼叫是我們與愛立信持續(xù)推動創(chuàng)新與
合作的又一例證，我們期待與他們
繼續(xù)攜手引領(lǐng)行業(yè)的下一個里程碑，并在2019年年初實現(xiàn)5G網(wǎng)絡(luò)和移動終端的商用部署?！?/div>
2018-09-11 08:18:22
，7項專利已經(jīng)受理，5項專利正在申請中。目前擁有國內(nèi)領(lǐng)先、部分產(chǎn)品國際領(lǐng)先的生產(chǎn)工藝，高純超細(xì)氧化鋁、5n氧化鋁、超活性高純納米二氧化鈦、納米氧化鈦、高純納米氧化鋯、納米氧化鋁、納米氧化鋅、納米氧化鈰
2011-11-12 09:57:00
nch_dnw，mom電容等）的工藝文檔說明在哪個路徑下？之前65nm的文檔在/PDK_doc/TSMC_DOC_WM/model文件夾下，28nm的好像沒有？
2021-06-24 06:18:43
請教各位大佬TSMC0.18um中，BCD工藝和mixsignal工藝的區(qū)別，除了mos結(jié)構(gòu)上會有hvnw和nbl隔離之外，還有其他的嗎
2021-06-25 07:08:49
英飛凌、TSMC擴大合作，攜手65納米嵌入式閃存工藝
英飛凌科技股份公司與臺灣積體電路制造股份有限公司近日共同宣布，雙方將在研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域擴大合作，攜手開發(fā)
2009-11-10 09:02:381977 微捷碼推出28納米及28納米以下IP特征表征新標(biāo)準(zhǔn)
微捷碼（Magma®）設(shè)計自動化有限公司（納斯達克代碼：LAVA）日前宣布推出業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SiliconSmart產(chǎn)品線新產(chǎn)品——
2009-12-18 09:51:50907 臺積電與富士通合作開發(fā)28納米芯片
據(jù)臺灣媒體報道，富士通旗下富士通微電子近期將派遣10到15名工程師與臺積電合作開發(fā)28納米芯片，臺積電預(yù)計今年底將出貨富士
2010-01-14 09:10:17812 臺積電與聯(lián)電大客戶賽靈思合作28納米產(chǎn)品
外電引用分析師資訊指出，聯(lián)電大客戶賽靈思（Xilinx）3月可能宣布與臺積電展開28納米制程合作；臺積電28納米已確定取得富
2010-01-19 15:59:551058 28nm器件三大創(chuàng)新，Altera期待超越摩爾定律
隨著TSMC 28nm全節(jié)點工藝即將量產(chǎn)，其合作伙伴Altera日前宣布了其產(chǎn)品線將轉(zhuǎn)向28nm節(jié)點的策略部署。據(jù)了解，TSMC 28nm全節(jié)點有
2010-02-05 08:53:36732 
賽靈思宣布采用 28 納米工藝加速平臺開發(fā)
全球可編程邏輯解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商賽靈思公司 (Xilinx Inc. ) 今天宣布，為推進可編程勢在必行之必然趨勢，正對系統(tǒng)工
2010-02-23 11:16:21383 三星擴大和賽靈思合作28納米制程
據(jù)韓聯(lián)社(Yonhap)報導(dǎo)，全球最大計算機存儲器制造商三星電子(Samsung Electronics)將和可編程邏輯IC龍頭FPGA業(yè)者賽
2010-02-24 09:32:42464 TSMC推出最新深亞微米互通式EDA格式
TSMC 7日宣布針對65納米、40納米及28納米工藝推出已統(tǒng)合且可交互操作的多項電子設(shè)計自動化(Electronic Design Automatio
2010-04-09 10:36:49672 近期，高通公司宣布將推出首款基于28納米工藝的Snapdragon芯片組MSM8960并宣布此芯片組將于2011財年開始出樣?；?b class="flag-6" style="color: red">28納米工藝的該芯片組采用新的CPU內(nèi)核為特征，主要針對高端
2010-11-24 09:19:571471 微捷碼(Magma®)設(shè)計自動化有限公司日前宣布，一款經(jīng)過驗證的支持Common Platform™聯(lián)盟32/28納米低功耗工藝技術(shù)的層次化RTL-to-GDSII參考流程正式面市。
2011-01-26 09:44:09894 微捷碼QCP提取器已被臺積電(TSMC)納入其季度28納米集成電路(IC)EDA質(zhì)量檢驗報告中。這次質(zhì)量檢驗讓設(shè)計師們對采用QCP解決臺積電28納米工藝IC日益提高的復(fù)雜性問題更有信心。
2011-07-15 08:39:06877 中國頂尖設(shè)計公司已經(jīng)采用28納米尖端技術(shù)開發(fā)芯片，而本地9.2%無晶圓廠半導(dǎo)體公司亦采用先進的45納米或以下的工藝技術(shù)進行設(shè)計及大規(guī)模量產(chǎn)
2011-09-13 09:00:403212 雖然TSMC對于旗下28nm工藝依然保持著較為保守的態(tài)度，但是根據(jù)近期非官方的報道，由于來自官戶的需求不斷提升，TSMC將會對28nm晶元進行提價。
2011-09-16 09:30:03955 
ARM公司與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體晶圓代工商聯(lián)電近日共同宣布達成長期合作協(xié)議，將為聯(lián)電的客戶提供已經(jīng)通過聯(lián)電28HPM工藝技術(shù)驗證的ARM Artisan物理IP解決方案。這項最新的28納米工藝技術(shù)的
2011-10-13 09:32:44631 ARM與臺灣晶圓代工大廠臺積電(TSMC)日前共同宣布，雙方已順利合作完成首件采用20納米工藝技術(shù)生產(chǎn)的ARM Cortex-A15處理器設(shè)計定案(Tape Out)。藉由臺積電在開放創(chuàng)新平臺上建構(gòu)完成的20納米
2011-10-24 09:32:56854 新思科技有限公司（Synopsys, Inc.， 納斯達克股票市場代碼：SNPS）日前宣布：即日起推出其用于臺灣積體電路制造股份有限公司（TSMC）28納米高性能（HP）和移動高性能（HPM）工藝技術(shù)的
2012-02-22 14:04:27754 珠海全志科技與TSMC今（26）日共同宣布，成功推出采用TSMC55納米工藝生產(chǎn)的A10系列系統(tǒng)整合芯片（SoC）平臺，藉由搭配珠海全志科技全新的Android 4.0.3 軟件開發(fā)工具包（Software Devel
2012-03-27 08:52:402408 3月29日上午消息，中芯國際宣布公司與IBM于2012年3月28日簽訂一項協(xié)議，雙方將就行業(yè)兼容28納米技術(shù)的要素進行合作。
2012-03-29 12:46:53796 臺積電TSMC已經(jīng)準(zhǔn)備量產(chǎn)28納米工藝的ARM處理器了。TSMC在2011年第四季度開始從28納米芯片獲得營收，目前28納米工藝芯片占有公司總營收的額5%。在今年晚些時候，TSMC將加速28納米芯片的生
2012-04-18 10:22:37830 
TSMC今（3）日宣布，采用28納米高效能工藝生產(chǎn)的ARM? Cortex-A9雙核心處理器測試芯片在常態(tài)下的處理速度高達3.1GHz。
2012-05-04 08:54:331910 TSMC28nm的產(chǎn)能，目前仍舊無法滿足Qualcomm、AMD以及NVIDIA三家客戶，似乎已經(jīng)是不爭的實施。
2012-05-15 08:37:20652 隨著芯片微縮，開發(fā)先進工藝技術(shù)的成本也越來越高。TSMC對外發(fā)言人孫又文表示，臺積電會繼續(xù)先進工藝技術(shù)節(jié)點的投入和開發(fā)，今年年底臺積電將推出20nm工藝
2012-08-30 14:34:301782 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊： TSMC授予Cadence兩項年度合作伙伴獎項，兩項大獎表彰Cadence在幫助客戶加快設(shè)計的3D-IC CoWoS技術(shù)與20納米參考流程方面的重要貢獻。 TSMC授予全球電子設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)
2012-11-07 11:48:07928 日前，聯(lián)華電子與SuVolta公司宣布聯(lián)合開發(fā)28納米工藝技術(shù)，該工藝將SuVolta的SuVolta的Deeply Depleted Channel晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate高效能移動工藝。
2013-07-25 10:10:521049 FinFET制程的設(shè)計規(guī)則手冊（DRM）第0.5版的認(rèn)證，同時從即刻起可以提供一套TSMC 16-nm可互通制程設(shè)計套件（iPDK）。憑借其對iPDK標(biāo)準(zhǔn)強大的支持，Synopsys的Laker定制解決方案為用戶提供了從180-nm到16-nm的多種TSMC工藝技術(shù)的全面對接。
2013-09-23 14:45:301050 2016年2月5日，北京訊——ARM 宣布，從即日起全球晶圓專工領(lǐng)導(dǎo)者聯(lián)華電子（UMC）的28納米28HPCU工藝可采用ARM? Artisan? 物理IP平臺和ARM POP? IP。
2016-02-15 11:17:49896 FastSPICE? （AFS） 平臺。除此之外，Calibre 和 Analog FastSPICE 平臺已可應(yīng)用在基于TSMC 7 納米 FinFET 工藝最新設(shè)計規(guī)則手冊 （DRM） 和 SPICE 模型的初期設(shè)計開發(fā)和 IP 設(shè)計。
2016-03-24 11:13:19816 “我們與 Cadence 密切合作開發(fā)參考流程，幫助我們的客戶加快其差異化的低功耗、高性能芯片的設(shè)計，”中芯國際設(shè)計服務(wù)中心資深副總裁湯天申博士表示，“Cadence創(chuàng)新的數(shù)字實現(xiàn)工具與中芯國際28納米工藝的緊密結(jié)合，能夠幫助設(shè)計團隊將28納米設(shè)計達到更低的功耗以及更快的量產(chǎn)化。”
2016-06-08 16:09:562242 已經(jīng)量產(chǎn)了28nm工藝，TSMC董事長張忠謀日前談到了大陸28nm工藝的競爭，他表示大陸公司的28nm產(chǎn)能增長很快，其中有部分原因是政府背后支持。
2016-10-27 14:15:521538 確保連續(xù)四代全可編程技術(shù)及多節(jié)點擴展的領(lǐng)先優(yōu)勢四代先進工藝技術(shù)和3D IC以及第四代FinFET技術(shù)合作 2015年5月28日， 中國北京 - All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先
2017-02-09 03:48:04198 中芯國際是全球芯片代工行業(yè)中的四大廠商之一。然而，目前，中芯國際投入量產(chǎn)的最先進的制程工藝是28納米PolySiON工藝。并且，中芯國際仍需對高端的28納米HKMG工藝繼續(xù)深入探究。 中芯國際是全球
2017-04-26 10:05:11712 
賽靈思、Arm、Cadence和臺積公司今日宣布一項合作，將共同構(gòu)建首款基于臺積7納米FinFET工藝的支持芯片間緩存一致性（CCIX）的加速器測試芯片，并計劃在2018年交付
2017-09-23 10:32:124003 7納米工藝將成為明年的重點制程工藝，但受成本太高的原因，據(jù)悉明年僅三星蘋果兩家手機繼續(xù)采用7納米處理器。高通沒有采用臺積電最新的7納米工藝，會繼續(xù)延用三星電子的10納米工藝。
2017-12-14 08:59:366197 位于廈門火炬高新區(qū)的聯(lián)芯集成電路制造（廈門）有限公司日前傳來喜訊，已于今年2月成功試產(chǎn)采用28納米High-K/Metal Gate 工藝制程的客戶產(chǎn)品，試產(chǎn)良率高達 98%。這是該公司28納米
2018-03-31 15:28:5011192 Credo 在2016年展示了其獨特的28納米工藝節(jié)點下的混合訊號112G PAM4 SerDes技術(shù)來實現(xiàn)低功耗100G光模塊，并且快速地躍進至16納米工藝結(jié)點來提供創(chuàng)新且互補的112G連接
2018-10-30 11:11:125204 近日，華虹集團旗下中國領(lǐng)先的12英寸晶圓代工企業(yè)上海華力與全球IC設(shè)計領(lǐng)導(dǎo)廠商---聯(lián)發(fā)科技股份有限公司（以下簡稱“聯(lián)發(fā)科技”）共同宣布，在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下，近日雙方合作成果之一---基于上海華力28納米低功耗工藝平臺的一顆無線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進入量產(chǎn)階段。
2018-12-12 15:15:012029 12月11日，華虹集團旗下中國領(lǐng)先的12英寸晶圓代工企業(yè)上海華力與全球IC設(shè)計領(lǐng)導(dǎo)廠商---聯(lián)發(fā)科技股份有限公司（以下簡稱“聯(lián)發(fā)科技”）共同宣布，在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下，近日雙方合作成果之一---基于上海華力28納米低功耗工藝平臺的一顆無線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進入量產(chǎn)階段。
2018-12-14 15:47:303159 華虹集團旗下中國領(lǐng)先的12英寸晶圓代工企業(yè)上海華力與全球IC設(shè)計領(lǐng)導(dǎo)廠商---聯(lián)發(fā)科技股份有限公司（以下簡稱“聯(lián)發(fā)科技”）共同宣布，在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下，近日雙方合作成果之一---基于上海華力28納米低功耗工藝平臺的一顆無線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進入量產(chǎn)階段。
2019-01-01 15:13:003780 華虹集團旗下上海華力與聯(lián)發(fā)科技股份有限公司共同宣布，在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下，近日雙方合作成果之一——基于上海華力28納米低功耗工藝平臺的一顆無線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進入量產(chǎn)階段。
2019-01-07 14:15:453224 28納米與40納米為目前半導(dǎo)體市場上的主流工藝，無論是IP、光罩與晶圓等技術(shù)均趨于穩(wěn)定成熟，成本大幅低于FinFET工藝。
2019-09-19 14:43:291446 瑞薩電子與臺積電共同宣布，雙方合作開發(fā)28納米嵌入式閃存(eFlash)制程技術(shù)，以生產(chǎn)支持新一代環(huán)保汽車與自動駕駛汽車的微控制器(MCU)。
2019-11-29 11:13:162164 Cadence 和 TSMC 聯(lián)手進行 N3 和 N4 工藝技術(shù)合作， 加速賦能移動、人工智能和超大規(guī)模計算創(chuàng)新 雙方共同客戶現(xiàn)可廣泛使用已經(jīng)認(rèn)證的 N3 和 N4 流程 PDK 進行設(shè)計 完整
2021-10-26 15:10:581928 IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+
2023-03-14 19:21:55
0 IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:25:461 IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM
2023-03-16 19:26:220 IP_數(shù)據(jù)表(Z-4):1.8V StndardCell for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:26:321 IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-03-16 19:31:220 IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC
2023-03-16 19:31:340 IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:31:530 IP_數(shù)據(jù)表(I-19):FPD-Link Receiver for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:32:060 IP_數(shù)據(jù)表(I-20):FPD-Link Transmitter for TSMC 28nm HPC
2023-03-16 19:32:200 IP_數(shù)據(jù)表(Z-1):GPIO for TSMC 28nm HPM/HPC/HPC+
2023-03-16 19:32:490 IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:34:540 IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:35:091 IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+
2023-07-05 19:47:130 IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:11:570 IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:12:261 IP_數(shù)據(jù)表(Z-4):1.8V StndardCell for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:12:360 IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:17:410 IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:17:540 IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:18:070 IP_數(shù)據(jù)表(I-19):FPD-Link Receiver for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:18:200 IP_數(shù)據(jù)表(I-20):FPD-Link Transmitter for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:18:392 IP_數(shù)據(jù)表(Z-1):GPIO for TSMC 28nm HPM/HPC/HPC+
2023-07-06 20:19:040 IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:030 IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:220 
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