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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，代表著當(dāng)今世界最先進的主流技術(shù)發(fā)展。
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于上世紀五十年代起源于美國，之后共經(jīng)歷了三次大規(guī)模產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。
第一次是在 1970s 末期，從美國轉(zhuǎn)移到了日本，第一次轉(zhuǎn)移后日本成為世界半導(dǎo)體的中心;
第二次是上世紀八十年代末期至九十年代初，產(chǎn)業(yè)從日本轉(zhuǎn)移到了韓國、 中國***和新加坡等地，形成了世界范圍內(nèi)美國、韓國、***等國家和地區(qū)多頭并 立的局面。
第三次是二十一世紀以來，我國由于具備勞動力成本等多方面的優(yōu)勢， 正在承接第三次大規(guī)模的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。
日本半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展階段概述日本半導(dǎo)體企業(yè)的發(fā)展依次經(jīng)歷了崛起（1970s）、鼎盛（1980s）、衰落（1990s）、轉(zhuǎn)型（2000s）四個階段。
1、崛起：1970s，VLSI 研發(fā)聯(lián)合體帶動技術(shù)創(chuàng)新
上世紀 70 世紀初，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體落后美國十年以上。
70 世紀中期，日 本本土半導(dǎo)體企業(yè)受到兩件事的嚴重沖擊。
一件事是日本 1975、1976 年在美國壓 力下被迫開放其國內(nèi)計算機和半導(dǎo)體市場;另一件事是 IBM 公司開發(fā)的被稱為未來 系統(tǒng)（Future System，F(xiàn)/S）的新的高性能計算機中，采用了遠超日本技術(shù)水平的一 兆的動態(tài)隨機存儲器。
1976-1979 年在政府引導(dǎo)下，日本開始實施具有里程碑意義的，超大規(guī)模集成 電路的共同組合技術(shù)創(chuàng)新行動項目（VLSI）。
該項目由日本通產(chǎn)省牽頭，以日立、 三菱、富士通、東芝、日本電氣五大公司為骨干，聯(lián)合了日本通產(chǎn)省的電氣技術(shù)實 驗室（EIL）、日本工業(yè)技術(shù)研究院電子綜合研究所和計算機綜合研究所，共投資了720 億日元，用于進行半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心共性技術(shù)的突破。
VLSI 項目是日本“官產(chǎn)學(xué)”一體化的重要實踐，將五家平時互相競爭的計算 機公司以及通產(chǎn)省所屬的電子技術(shù)綜合研究所的研究人才組織到一塊進行研究工 作，不僅集中了人才優(yōu)勢，而且促進了平時在技術(shù)上互不通氣的計算機公司之間的 相互交流 、相互啟發(fā)，推動了全國的半導(dǎo)體、集成電路技術(shù)水平的提高，為日本 半導(dǎo)體企業(yè)的進一步發(fā)展提供平臺，令日本在微電子領(lǐng)域上的技術(shù)水平與美國并駕 齊驅(qū)。
項目實施的四年內(nèi)共取得了約 1000 多項專利，大幅度提升了成員企業(yè)的 VLSI制作技術(shù)水平，日本公司借此搶占了 VLSI 芯片市場的先機。
同時政府在政策方面也給予了大力支持。
日本政府于 1957 年頒布《電子工業(yè) 振興臨時措施法》，支持日本企業(yè)積極學(xué)習(xí)美國先進技術(shù)，發(fā)展本國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。1971 年、1978 年分別頒布了《特定電子工業(yè)及特定機械工業(yè)振興臨時措施法》、《特 定機械情報產(chǎn)業(yè)振興臨時措施法》，進一步鞏固了以半導(dǎo)體為核心的日本信息產(chǎn)業(yè) 的發(fā)展。
鼎盛：1980s，依靠低價戰(zhàn)略迅速占領(lǐng)市場 該階段，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的主要競爭力是產(chǎn)品的成本優(yōu)勢和可靠性。
日本半導(dǎo)體業(yè)的崛起以存儲器為切入口，主要是 DRAM（Dynamic RandomAccess Memory，動態(tài)隨機存取記憶體）。
到上世紀 80 年代，受益于日本汽車產(chǎn)業(yè) 和全球大型計算機市場的快速發(fā)展，DRAM 需求劇增。
而日本當(dāng)時在 DRAM 方面 已經(jīng)取得了技術(shù)領(lǐng)先，日本企業(yè)此時憑借其大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)，取得了成本和可靠性 的優(yōu)勢，并通過低價促銷的競爭戰(zhàn)略，快速滲透美國市場，并在世界范圍內(nèi)迅速取 代美國成為 DRAM 主要供應(yīng)國。
隨著日本半導(dǎo)體的發(fā)展，世界市場快速洗牌，到1989 年日本芯片在全球的市場占有率達 53%，美國僅 37%，歐洲占 12%，韓國 1%， 其他地區(qū) 1%。
80 年代，日本半導(dǎo)體行業(yè)在國際市場上占據(jù)了絕對的優(yōu)勢地位。
截至 1990 年， 日本半導(dǎo)體企業(yè)在全球前十中占據(jù)了六位，前二十中占據(jù)十二位。日本半導(dǎo)體達到 鼎盛時期。
衰落：1990s，技術(shù)和成本優(yōu)勢喪失，市場份額迅速跌落
從微電子行業(yè)的世界技術(shù)發(fā)展趨勢來看，進入上世紀九十年代，在美國掀起了 以 downsizing 為核心的技術(shù)革命，以 PC 為代表的新型信息通信設(shè)備快速發(fā)展，但 日本在該領(lǐng)域未有足夠準備。
同時日本在 DRAM 方面的技術(shù)優(yōu)勢也逐漸喪失，成 本優(yōu)勢也被韓國、***等地取代。
PC 取代大型主機成為計算機市場上的主導(dǎo)產(chǎn)品，也成為 DRAM 的主要應(yīng)用下 游。不同于大型主機對 DRAM 質(zhì)量和可靠性（可靠性保證 25 年）的高要求，PC對 DRAM 的主要訴求轉(zhuǎn)變?yōu)榈蛢r。D
RAM 的技術(shù)門檻不高，韓國、***等地通過 技術(shù)引進掌握了核心技術(shù)，并通過勞動力成本優(yōu)勢，很快取代日本成為了主要的供 應(yīng)商。
1998 年韓國取代日本，成為 DRAM 第一生產(chǎn)大國，全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)中心 從日本轉(zhuǎn)移到韓國。
之后，韓國一面繼續(xù)維持 DRAM 的生產(chǎn)大國地位，一面開發(fā) 用于數(shù)字電視、移動電話等的 SOC，雙頭并進;而***通過不斷增加投資，建成了 世界一流的硅代工公司——臺積電和聯(lián)電，開發(fā)了一種新的半導(dǎo)體制作模式，同時 積極研發(fā)，在部分尖端技術(shù)上已經(jīng)可以與日本齊頭并進。
該階段，日本半導(dǎo)體產(chǎn)品品種較為單一（過于集中在 DRAM 上），產(chǎn)品附加值 低;同時未跟上世界技術(shù)潮流，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在該階段受到重創(chuàng)。截止 2000 年， 日本 DRAM 份額已跌至不足 10%。
轉(zhuǎn)型：2000s，合并整合與轉(zhuǎn)型 SOC
為挽回半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的頹敗之勢，日本半導(dǎo)體企業(yè)首先進行了結(jié)構(gòu)性改革。除Elpida 外所有其他的日本半導(dǎo)體制造商均從通用 DRAM 領(lǐng)域中退出，將資源集中到 了具有高附加值的系統(tǒng)集成芯片等領(lǐng)域。
2000 年 NEC、日立的 DRAM 部門合并， 成立 Elpida，東芝于 2002 年賣掉了設(shè)在美國的工廠，2003 年 Elpida 合并了三菱電 機的記憶體部門。
但 Elpida 于 2012 年宣告破產(chǎn)，2013 年被美光購并，標志著日本 在 DRAM 的競爭中徹底被淘汰。
另一方面，日本重新開啟了三個較大型的“產(chǎn)官學(xué)”項目——MIRAI、ASUKA和 HALCA。三個項目都于 2001 年開啟，以產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的世界級超凈室 （SCR）作為研發(fā)室，“ASUKA”項目由 NEC、日立、東芝等 13 家半導(dǎo)體廠家共 同出資 700 億日元，時間為 2001-2005，主要研制電路線寬為 65 納米的半導(dǎo)體制造
目前世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進入到寡頭時代，競爭格局相對穩(wěn)定。盡管日本企業(yè)在半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)份額日益減少，但在半導(dǎo)體的一些其他細分行業(yè)以及半導(dǎo)體材料領(lǐng)域， 日本企業(yè)仍保持著優(yōu)勢地位。
DRAM 領(lǐng)域主要的生產(chǎn)商是三星、Hynix 和 Micron（包括收購的原日本 Elpida）;NAND 領(lǐng)域是東芝（與 Sandisk 合資的四日市工廠）， 三星和 Micron;半導(dǎo)體制造設(shè)備是 TEL，Screen，日立高科等;半導(dǎo)體材料是 JSR，TOK，信越等;晶圓有信越，SUMCO 等。
日本半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片需要 19 種必須的材料，缺一不可，且大多數(shù)材料具備極高的 技術(shù)壁壘，因此半導(dǎo)體材料企業(yè)在半導(dǎo)體行業(yè)中占據(jù)著至關(guān)重要的地位。
而日本企 業(yè)在硅晶圓、合成半導(dǎo)體晶圓、光罩、光刻膠、藥業(yè)、靶材料、保護涂膜、引線架、 陶瓷板、塑料板、TAB、COF、焊線、封裝材料等 14 中重要材料方面均占有 50%及以上的份額，日本半導(dǎo)體材料行業(yè)在全球范圍內(nèi)長期保持著絕對優(yōu)勢。
作為全球最大的半導(dǎo)體材料生產(chǎn)國，2014 年日本國內(nèi)的半導(dǎo)體材料消費占 22%， 日本同時也是全球最主要的半導(dǎo)體材料輸出國。
大部分半導(dǎo)體材料出口到了亞太地 區(qū)的其他國家。目前雖然半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始了第三次轉(zhuǎn)移，逐步轉(zhuǎn)移到以中國為主的 更具備生產(chǎn)優(yōu)勢的地區(qū)，但是我國目前配套半導(dǎo)體材料生產(chǎn)能力有待提升。
主要日本半導(dǎo)體材料企業(yè)發(fā)展歷史
半導(dǎo)體材料為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中芯片制造和封裝測試環(huán)節(jié)提供原材料。根據(jù)在產(chǎn) 業(yè)鏈中的位置，可分為晶圓制造材料和封裝材料兩大類。
2015 年全球半導(dǎo)體市場的 總產(chǎn)值為 434 億美元，晶圓制造和封裝兩類材料分別為 241 億美元和 193 億美元， 占比按產(chǎn)業(yè)鏈工藝環(huán)節(jié)可以將半導(dǎo)體材料分為晶圓制造材料和封裝材料。
導(dǎo)體材料行業(yè)的龍頭企業(yè)—信越化學(xué)硅片及硅基材是半導(dǎo)體材料中最重要的部分，占半導(dǎo)體材料市場份額的 32%。
信越化學(xué)工業(yè)株式會社作為日本半導(dǎo)體材料行業(yè)的龍頭企業(yè)之一，是全球最大的半體硅片供應(yīng)商，2015 年在全球半導(dǎo)體硅片市場中占有 27%的份額。
目前信越化學(xué)的單晶硅已經(jīng)可以達到純度 99.999999999%（11 個 9）的生產(chǎn)水 平，技術(shù)遠超其他企業(yè)，而其產(chǎn)品也從半導(dǎo)體硅發(fā)展到了主要產(chǎn)品包括以硅元素為 核心的有機硅系列，HDD 等用稀土磁鐵、半導(dǎo)體用光刻膠、環(huán)氧模塑料及液態(tài)環(huán)氧
封裝材料。
代表日本先進硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程 信越化學(xué)作為日本有機硅工業(yè)的“國產(chǎn)技術(shù)”的典范，發(fā)展歷程也代表了整個日本的硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。具體而言，信越化學(xué)的發(fā)展主要包括四個階段。
第一階段：
基礎(chǔ)研究與工業(yè)化階段（1941-1953） 二戰(zhàn)后，日本開始接觸到美國有機硅產(chǎn)業(yè)，東芝、信越化學(xué)和島津三個公司分別開始進行有機硅工業(yè)化技術(shù)的開發(fā)工作。
1952 年，信越化學(xué)公司采取粉末觸體攪 伴式直接法完成了單體模型試驗，有機硅產(chǎn)品開始投入市場，日本有機硅產(chǎn)業(yè)開始向 工業(yè)化過渡。
這一階段日本的有機硅產(chǎn)業(yè)同樣處于持續(xù)的高速發(fā)展階段，1970-1986 年日本有機硅產(chǎn)量從約 6000 噸增長至超 60000 噸，產(chǎn)量增長超過 10 倍。
這一階段日本有 機硅完成了對美國的反超。同時，1979 年日本有機硅產(chǎn)品輸入 36 億日元，輸出 37億日元，日本也完成了從有機硅輸入國到輸出國的轉(zhuǎn)變。
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多極化國際競爭階段（1988 至今） 此階段，信越化學(xué)的有機硅業(yè)務(wù)在國際競爭中已建立了絕對優(yōu)勢地位，開始進行國際化擴張，分別在***、美國、新加坡、荷蘭建立了分公司與工廠。鞏固其優(yōu) 勢地位。
并不斷探索新的業(yè)務(wù)線，1998 開始光刻膠的企業(yè)化、2007 開發(fā) RoHS 限 制對應(yīng)光隔離器并共同開發(fā)了凸版印刷和最尖端光刻掩膜版、2008 開發(fā)世界最大級 的永久磁鐵式磁電路。
2015 年 6 月宣布將與中國最大的光纖生產(chǎn)企業(yè)合資成立公司， 投資 125 億日元（約合人民幣 6.25 億元）在湖北省建設(shè)光纖材料“光纖預(yù)制棒”的 生產(chǎn)廠。
日本半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展給予中國的啟示
我國半導(dǎo)體材料行業(yè)在發(fā)展初期可以通過引進國外先進技術(shù)進行趕超，但從長遠的發(fā)展來看，還是需要學(xué)習(xí)日本半導(dǎo)體企業(yè)的自主研發(fā)、自主生產(chǎn)的原則。以官 方為主導(dǎo)，各企業(yè)與研究機構(gòu)共同聯(lián)合研究，攻關(guān)大型基礎(chǔ)研究項目，開發(fā)關(guān)鍵技 術(shù)，擴大具有自主知識產(chǎn)權(quán)的半導(dǎo)體材料產(chǎn)品的比例，為產(chǎn)業(yè)中企業(yè)的發(fā)展提供平 臺。各企業(yè)先合作開發(fā)好關(guān)鍵技術(shù)后，各企業(yè)再各自進行商業(yè)化。
就目前全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來看，韓國主打 DRAM，美國公司著重于 MPU、DSP 或 MCU 產(chǎn)品，而日本公司一般都生產(chǎn) 4-6 中主要產(chǎn)品，缺少具有競爭力的核心產(chǎn) 品。
而就半導(dǎo)體材料行業(yè)來看，日本發(fā)展較好的半導(dǎo)體材料企業(yè)基本都是屬于自己 的拳頭產(chǎn)品，這些產(chǎn)品經(jīng)過多年來不斷地投入的研發(fā)，技術(shù)水平行業(yè)領(lǐng)先，保障了 各企業(yè)的市場占有率和市場地位。
1980s 時期，日本半導(dǎo)體廠商紛紛在國外建立研發(fā)基地，通過進行聯(lián)合開發(fā)而與美國的大用戶建立了良好的信任關(guān)系。
但 1990s 年后期，隨著行業(yè)景氣度下降， 日本半導(dǎo)體企業(yè)開始對國外的研發(fā)基地進行整合與撤銷，一方面技術(shù)水平開始被新 興市場趕超，另一方面和美國大客戶的信任關(guān)系也受到破壞，更加降低了日本半導(dǎo) 體企業(yè)的國際市場份額。
而日本半導(dǎo)體材料企業(yè)一直維持這海外研發(fā)、合作研發(fā)的 優(yōu)良傳統(tǒng)，保持了技術(shù)上的領(lǐng)先性和這種信任關(guān)系，因此日本半導(dǎo)體材料企業(yè)迄今 依然占領(lǐng)著國際市場較大的份額。
第二階段：高速發(fā)展階段（1953--1966）
1953 年信越化學(xué)獲得了直接法專利權(quán)持有者—美國通用電氣公司（GE）的“專門 技術(shù)”使用權(quán)，1954 年公司獲得日本通產(chǎn)省的硅橡膠工業(yè)化補助金，1957 年和 DC公司簽定了相關(guān)產(chǎn)品的專利使用權(quán)協(xié)議，1960 年開始生產(chǎn) 1960 高純度硅、醋酸乙 烯單體、聚乙烯醇，公司有機硅系列業(yè)務(wù)開始進入正軌。借助于政府的工業(yè)化補助 金，公司大力開展研發(fā)工作，獨自開發(fā)了諸如新型結(jié)構(gòu)的聚氨醋用勻泡劑、加成型 液體硅橡膠等新硅橡膠產(chǎn)品，提升了公司市場份額。
1960 年 3 月信越化學(xué)公司的有 機硅產(chǎn)品銷售額首次突破一億日元大關(guān)。此后，信越化學(xué)公司的有機硅單體產(chǎn)量，僅次于美國的 GE、DC 和 UC 三公司，躍居世界第四位。
依靠信越化學(xué)的高速發(fā)展，1960-1970 年日本有機硅產(chǎn)量增長接近 6 倍，在這一階段日本有機硅完成了從無到 有的轉(zhuǎn)變。
日本公司半導(dǎo)體企業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈均較長，既包括了整機生產(chǎn)與設(shè)備生產(chǎn)，也涉及到了配套元器件、零部件的生產(chǎn)。
雖然這種模式具有生產(chǎn)配套優(yōu)勢，滿足客戶多樣化 的需求開始成為競爭重點，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的專業(yè)化分工成為發(fā)展趨勢，進入九十年代 后，傳統(tǒng)的 IDM 無法對客戶需求進行快速反應(yīng)，呈現(xiàn)出了競爭劣勢。
因此，中國 半導(dǎo)體企業(yè)應(yīng)充分借鑒日本年代經(jīng)驗，找到適宜的經(jīng)營模式，跟隨時代的發(fā)展及時 進行徹底而有力地企業(yè)經(jīng)營模式轉(zhuǎn)型。
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