列出使用VBE的測試方法。VBE測定法 硅晶體管的情況下 基極-發(fā)射極間電壓：VBE根據(jù)溫度變化。圖1. 熱電阻測量電路由此，通過測定VBE，可以推測結(jié)溫。通過圖1的測定電路，對晶體管輸入封裝功率：PC
2019-04-09 21:27:24
是，最大輸出電流時產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場效應(yīng)管可以無需任何外接元件而直接并聯(lián)，因?yàn)槠渎O電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場效應(yīng)管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請各位大俠指點(diǎn)?。?！
2016-06-07 23:27:44
判定前：晶體管的選定～貼裝的流程晶體管可否使用的判定方法1. 測定實(shí)際的電流、電壓波形2. 是否一直滿足絕對最大額定值？3. 是否在SOA范圍內(nèi)？4. 在使用環(huán)境溫度*1下是否在下降的SOA范圍內(nèi)
2019-04-15 06:20:06
" 。Rth(j-a)的值根據(jù)各個晶體管的不同而不同，但如果封裝相同，可以認(rèn)為該值幾乎是很接近的值。**功耗不固定，時間變化時按照平均功耗近似計(jì)算。（平均功耗的求法請參照 "晶體管可否
2019-05-06 09:15:45
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
統(tǒng)通過VCCS輸入，取平均等技術(shù)獲得較理想的測試結(jié)果。目前能夠完成三極管輸入、輸出特性曲線、放大倍數(shù)、開啟電壓等參數(shù)以及二極管一些參數(shù)的測定，并能測試比較溫度對這些參數(shù)的影響。系統(tǒng)具有通用的RS232 接口和打印機(jī)接口，可以方便的將結(jié)果打印、顯示。關(guān)鍵詞AduC812壓控流源晶體管參數(shù)
2012-08-02 23:57:09
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實(shí)際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
的電阻值接近0，則說明其C、E極間已擊穿損壞。若晶體管C、E極之間的電阻值隨著管殼溫度的增高而變小許多，則說明該管的熱穩(wěn)定性不良。也可以用晶體管直流參數(shù)測試表的ICEO檔來測量晶體管的反向擊穿電流。測試
2012-04-26 17:06:32
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯的晶體管電路設(shè)計(jì)書籍！`
2016-11-08 14:12:33
(1) 電流放大系數(shù)β和hFEβ是晶體管的交流放大系數(shù)，表示晶體管對交流（變化）信號的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號晶體管最大
2019-04-10 06:20:24
。 Si晶體管的分類 Si晶體管的分類根據(jù)不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。 雙極晶體管和MOSFET中，分功率型
2020-06-09 07:34:33
不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中，分功率型和小信號型，IGBT原本是為處理大功率而開發(fā)
2018-11-28 14:29:28
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；(1)容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少，(2)開關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
列出使用VBE的測試方法。VBE測定法 硅晶體管的情況下 基極-發(fā)射極間電壓：VBE根據(jù)溫度變化。圖1. 熱電阻測量電路由此，通過測定VBE，可以推測結(jié)溫。通過圖1的測定電路，對晶體管輸入封裝功率：PC
2019-05-09 23:12:18
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
、發(fā)射極和集電極。為了識別NPN和PNP晶體管，我們有一些標(biāo)準(zhǔn)的電阻值。每對端子必須在兩個方向上測試電阻值，總共進(jìn)行六次測試。這種方法對于快速識別PNP晶體管非常有益。我們現(xiàn)在可以觀察每對終端的運(yùn)行方式
2023-02-03 09:44:48
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
“魚和熊掌”兼得的HI-FI新方法音響“HI—FI”是發(fā)燒友永恒的主題?！昂寐曇簟庇质且粋€系統(tǒng)工程，從對碟片音源、CD、前級、電源、功放、線材、音箱喇叭一整套性能的優(yōu)化組合、乃至220伏電能的純凈
2014-03-27 15:02:19
`內(nèi)容簡介：《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊。《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)作為上冊主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2017-07-25 15:29:55
一種在金上生成硫醇封端的SAM的新方法 - 應(yīng)用簡報(bào)
2019-10-30 11:05:12
的大多數(shù)載流子傳輸。與雙極晶體管相比，場效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲低、限頻高、功耗低、制造工藝簡單、溫度特性好等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各種放大器、數(shù)字電路和微波電路等。基于硅的金屬M(fèi)OSFET和基于GaAs
2023-02-03 09:36:05
顯示器和透明太陽能電池板產(chǎn)品的出現(xiàn)。 在許多透明電子系統(tǒng)中，晶體管都是至關(guān)重要的部件。如今，這種器件通常是薄膜晶體管形式，由In2O3、ZnO2、SnO2等透明導(dǎo)電氧化物材料制成。 不過，薄膜晶體管
2020-11-27 16:30:52
達(dá)林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
，出于實(shí)際原因，保持區(qū)域大致相同至關(guān)重要?！ ∪缜八?，實(shí)現(xiàn)更多計(jì)算能力的一種
方法是縮小
晶體管的尺寸。但隨著
晶體管尺寸的減小，漏極和源極之間的距離降低了柵極控制溝道區(qū)域電流的能力。正因?yàn)槿绱?，平?/div>
2023-02-24 15:25:29
使用PIM分析儀測試連接器互調(diào)的新方法是什么？
2021-05-10 06:59:33
較長的連線。長而窄的連線電阻更大，延時更長。字線和位線的電阻對SRAM運(yùn)行速度的提高和工作電壓的降低構(gòu)成了限制。 按照傳統(tǒng)方法來實(shí)現(xiàn)集成電路需要先在在硅襯底上構(gòu)建晶體管，然后再在硅襯底上添加互連層，將
2020-05-11 15:40:48
本文提出了在P1口的部分口線上實(shí)現(xiàn)2X8陣列的中斷方式鍵盤輸入和脫機(jī)硬件動態(tài)顯示的新方法。
2021-06-07 06:15:58
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?！?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?！?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
功率型LED熱阻測量的新方法摘 要： LED照明成為21世紀(jì)最引人注目的新技術(shù)領(lǐng)域之一，而功率型LED優(yōu)異的散熱特性和光學(xué)特性更能適應(yīng)普通照明領(lǐng)域的需要。提出了一種電學(xué)法測量功率LED熱阻的新方法
2009-10-19 15:16:09
單片機(jī)與PC機(jī)雙向并行通信新方法研究
2012-08-17 23:11:23
請教：單結(jié)晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
【作者】：張惠珍;馬良;【來源】：《系統(tǒng)工程理論與實(shí)踐》2010年03期【摘要】：文章在對已有二次分配問題(QAP)線性化模型深入研究的基礎(chǔ)上,提出一種二次分配問題線性化新方法,進(jìn)而給出了對稱二次
2010-04-24 09:49:00
晶體管開關(guān)對電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級的特性和配置?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)對于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
的挑戰(zhàn)是如何精確地測量電阻。 圖1簡易分壓器圖1 顯示的是您如何使用一個分壓器測量電阻。VE 表示激發(fā)電壓。RG 值為：就大多數(shù)傳感器而言，如果 R1 和 RG 的值大約相等，則該電路往往會產(chǎn)生非常
2018-09-19 14:41:01
如何使用MangaGAN新方法生成久保帶人Style的漫畫形象？
2021-09-27 06:00:53
停止windows的自動更新方法：1、點(diǎn)擊桌面左下的“開始”按鈕。2、點(diǎn)擊“設(shè)置”3、點(diǎn)擊“控制面板”4、在控制面板當(dāng)中點(diǎn)擊“自動更新”5、選擇“關(guān)閉自動更新”6、點(diǎn)擊“確定”
2008-10-16 10:30:21
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
。3. 向?qū)嶋H電路（評估電路）上貼裝晶體管請確認(rèn)選定的晶體管是否在實(shí)際電路上安全工作？在工作的情況下，是否長期（可靠）穩(wěn)定地工作？等等，還需要考慮電氣裕量。晶體管可否使用的判定方法可否使用的判定按照以下
2019-05-05 09:27:01
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
to -2.4mV/oC的范圍有偏差)R1的溫度變化率，如下圖表。關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域(數(shù)字晶體管的情況)數(shù)字晶體管的輸出電壓-輸出電流特性，按以下測定方法測定。IO（低電流區(qū)域
2019-04-22 05:39:52
選定方法數(shù)字晶體管的型號說明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域（數(shù)字晶體管的情況）關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
了所謂的頂部朝下的方法，類似于把原件精確地蝕刻并固定在晶體管上的工業(yè)流程類似，由于兼容傳統(tǒng)工藝，有望被業(yè)界采納。新一代硅芯片將在明天問世，屆時將采用垂直結(jié)構(gòu)，而非平板設(shè)計(jì)，但由于硅的電子流動性有限，人們
2011-12-08 00:01:44
突破現(xiàn)有的邏輯門電路設(shè)計(jì)，讓電子能持續(xù)在各個邏輯門之間穿梭。此前，英特爾等芯片巨頭表示它們將尋找能替代硅的新原料來制作7nm晶體管，現(xiàn)在勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室走在了前面，它們的1nm晶體管由納米碳管
2016-10-08 09:25:15
等效的提高開關(guān)速度的方法，較小R1值也會加快輸出波形的上升速度。2、使用肖特基箝位利用肖特基箝位也是提高晶體管開關(guān)速度的另外一種方法，我們熟悉的74LS、74ALS、74AS等典型的數(shù)字IC TTL
2023-02-09 15:48:33
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
求大佬分享按鍵掃描的新方法
2022-01-17 06:50:00
測電阻，新方法，不加激勵的辦法有沒有。
2015-03-26 10:44:14
用IBM43RF0100EV評估板評估IBM43RF0100 SiGe晶體管性能
2009-05-12 11:46:34
矢量混頻器表征和混頻器測試系統(tǒng)矢量誤差修正的新方法 白皮書本文介紹了一種表征射頻器的新方法，方法能給出輸入匹配，輸出匹配以及變頻損耗的幅度和相位響應(yīng)，并適用手具有可逆變頻損耗的混頻器以及鏡頻響應(yīng)可以被濾除的混頻器。[hide]/replyview]
2009-12-14 16:45:27
絕緣柵雙極型晶體管檢測方法
2009-12-10 17:18:39
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請問各大大有無 Multisim 14 基本晶體管模型數(shù)據(jù)庫以外,更多更多晶體管模型數(shù)據(jù)庫 ,(例如日本型號 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數(shù)據(jù)庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
本帖最后由 鼓山 于 2013-7-4 14:31 編輯
俺在網(wǎng)上找到的基于Proteus 8.0開發(fā)LM3S ARM Cortex的新方法給碼農(nóng)們分享！
2013-07-04 14:00:47
運(yùn)用于matlab中的矩陣求逆的新方法有哪些啊或者考慮矩陣的特殊性質(zhì)，比如稀疏、對稱性，有哪些求逆的新方法可以運(yùn)用啊？求助！
2013-01-21 17:10:33
這個達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
從CCS5版以后，拋棄了過去CCS3.3的開發(fā)方法，普通采用CCS5+controlSUIT的模式，請同志們談?wù)勥@種新方法的感受。
2014-05-15 13:36:43
講述了軟體采用層次包圍盒方法進(jìn)行碰撞檢測時，針對連續(xù)變形包圍盒樹的兩類更新方法：靜態(tài)更新和動態(tài)更新，對靜態(tài)更新方法中的自上而下、自下而上和混合更新方法，動態(tài)
2009-08-14 08:59:55
8 講述了軟體采用層次包圍盒方法進(jìn)行碰撞檢測時，針對連續(xù)變形包圍盒樹的兩類更新方法：靜態(tài)更新和動態(tài)更新，對靜態(tài)更新方法中的自上而下、自下而上和混合更新方法，動態(tài)
2009-12-25 16:25:2413 精確控制DDS輸出信號幅度的新方法
DDS技術(shù)作為一種先進(jìn)的直接數(shù)字頻率合成技術(shù)，用數(shù)字控制的方法從一個頻率基準(zhǔn)源產(chǎn)生多種頻率，具有高可靠性、高集成度、高頻率分
2008-10-15 08:57:56
1560 
測量晶體三極管的新方法
晶體三極管是電子電路中最常見的器件之一。在各種電子電路中的應(yīng)用十分廣泛。但是，判定三極管的好壞及極
2008-11-09 15:32:122761 CMOS和模擬器件電路的晶體管設(shè)計(jì)新方法
日本廣島大學(xué)(University of Hiroshima)和日本半導(dǎo)體技術(shù)理論研究中心(STARC)共同披露了一種適用于CMOS和模擬器件電路的晶體管設(shè)計(jì)
2009-03-28 16:20:54563 一種熱電阻阻值測量的新方法
摘 要：在利用熱電阻測量溫度中，熱電阻阻值的精確測量是精確測量溫度的關(guān)鍵，針對傳統(tǒng)熱電阻
2009-05-26 16:34:112765 
英國劍橋大學(xué)科學(xué)家開發(fā)出一種名為“集合滲透震動”(collective osmotic shock，COS)的新方法來制造多孔納米材料，可大大提高制造效率，在水資源過濾、發(fā)光設(shè)備制造和化學(xué)傳感器等方面具
2011-11-30 08:53:17685 來自IBM、蘇黎世理工學(xué)院和美國普渡大學(xué)的工程師近日表示，他們構(gòu)建出了首個10納米以下的碳納米管(CNT)晶體管
2012-02-04 09:45:29843 晶圓代工廠聯(lián)電（2303）昨（29）日宣布與IBM簽訂技術(shù)授權(quán)合約，將以3D架構(gòu)的鰭式場效晶體管（FinFET），促進(jìn)次世代尖端20納米CMOS制程的開發(fā)，以加速聯(lián)電次世代尖端技術(shù)的研發(fā)時程。
2012-06-30 11:27:11527 FinFET的芯片。在2月份舉行的這次Common Platform 2013技術(shù)論壇上，IBM除了展示FinFET這種3D晶體管技術(shù)外，還展示了諸如硅光子晶體管，碳納米管等前沿技術(shù)。
2013-02-20 23:04:307799 基于溫度信號的風(fēng)電機(jī)組發(fā)電機(jī)實(shí)時可靠性監(jiān)測新方法_霍娟
2016-12-29 14:35:280 研究團(tuán)隊(duì)，開發(fā)出用化學(xué)數(shù)碼代碼和3D打印機(jī)制造藥物的新方法，該團(tuán)隊(duì)認(rèn)為，這種新方法將重新定義便攜式工廠模式。
2018-02-07 13:11:33674 AD采集的新方法
2018-03-23 09:44:2510 儲能成本關(guān)乎行業(yè)發(fā)展前景，但其測算方法其實(shí)非常復(fù)雜，國外一家能源公司提出了一種儲能成本精確測算的新方法——Levelized Cost of Using Storage（LCUS）。
2020-04-06 08:40:001289 并聯(lián)APF直流側(cè)電壓選擇新方法(肇慶理士電源技術(shù))-并聯(lián)APF直流側(cè)電壓選擇新方法? ? ? ? ? ? ??
2021-09-17 16:47:445 過時。IBM?在 2021?年就證明了這一點(diǎn)，其突破性的 2?納米芯片技術(shù)顛覆了市場。這個新的制造時代得益于減少芯片納米的競賽。? 今天，晶體管的標(biāo)準(zhǔn)長度是10納米，而且隨著最新研究，頂級公司已經(jīng)生產(chǎn)了5納米或7納米的芯片。從歷史
2022-01-07 10:12:35436 USBブート用ドライバ誤認(rèn)識後のドライバ更新方法
2023-05-15 19:09:110 USBブート用ドライバ誤認(rèn)識後のドライバ更新方法
2023-07-11 20:20:220 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《VLSI系統(tǒng)設(shè)計(jì)的最新方法.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-20 11:10:370 IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點(diǎn)下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計(jì)將帶來多項(xiàng)技術(shù)進(jìn)步，并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興奮的是，它可能會導(dǎo)致更強(qiáng)大的芯片類別的開發(fā)。
2023-12-26 10:12:55199 
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