測(cè)量高阻低電流測(cè)量體電阻率和表面電阻率惰性氣體或高度真空中的小晶體進(jìn)行高電阻測(cè)量用6線電阻測(cè)量技術(shù)獲得更準(zhǔn)確的電阻測(cè)量碳納米管半導(dǎo)體納米線碳納米管 FET納米傳感器和陣列單電子晶體管分子電子有機(jī)
2021-11-11 10:35:10
測(cè)量高阻低電流測(cè)量體電阻率和表面電阻率惰性氣體或高度真空中的小晶體進(jìn)行高電阻測(cè)量用6線電阻測(cè)量技術(shù)獲得更準(zhǔn)確的電阻測(cè)量碳納米管半導(dǎo)體納米線碳納米管 FET納米傳感器和陣列單電子晶體管分子電子有機(jī)
2021-12-08 15:35:04
測(cè)量技術(shù)獲得更準(zhǔn)確的電阻測(cè)量 碳納米管 半導(dǎo)體納米線 碳納米管 FET 納米傳感器和陣列 單電子晶體管 分子電子 有機(jī)電子 基本運(yùn)放電路 二極管和電路 晶體管電路 雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì) 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2020-08-12 15:08:14
率惰性氣體或高度真空中的小晶體進(jìn)行高電阻測(cè)量用6線電阻測(cè)量技術(shù)獲得更準(zhǔn)確的電阻測(cè)量碳納米管半導(dǎo)體納米線碳納米管 FET納米傳感器和陣列單電子晶體管分子電子有機(jī)電子基本運(yùn)放電路二極管和電路晶體管電路雙極結(jié)型
2018-11-09 11:28:25
施加較小的基極電流時(shí)，其行為類似于具有較高電流增益的單個(gè)晶體管?！ ≡?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的總電流增益值是每個(gè)晶體管的單個(gè)值的乘積; 以下是可能的達(dá)林頓晶體管開關(guān)配置。 圖7.NPN 達(dá)林頓配置 在
2023-02-20 16:35:09
張文毓 （中國(guó)船舶重工集團(tuán)公司第七二五研究所，河南洛陽(yáng)471039）摘要：綜述了目前國(guó)內(nèi)外寬頻輕質(zhì)吸波涂料的研究動(dòng)態(tài)，詳細(xì)介紹了具有發(fā)展前景的空心微珠吸波材料、碳納米管吸波材料、導(dǎo)電高聚物吸波材料
2019-07-30 07:28:34
混淆VI(on): 數(shù)字晶體管為保持ON狀態(tài)的最低電壓、定義VI(on)為min錯(cuò)誤觀點(diǎn)1：由0開始依次加入輸入電壓。2：達(dá)到1.8V時(shí)，數(shù)字晶體管啟動(dòng)。3：因在規(guī)格書規(guī)定的3V(min) 以下，故
2019-04-09 21:49:36
晶體管可以讓工程師開發(fā)出速度更快、集成度和效率更高的集成電路，進(jìn)而設(shè)計(jì)出更輕薄的筆記本電腦，散發(fā)的熱量遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于現(xiàn)在的水平。這些晶體管包含很多由砷化銦鎵做成的納米管，并沒有采用傳統(tǒng)的材料硅。生產(chǎn)工藝采用
2011-12-08 00:01:44
集電極電流 (IC(max)) 在500mA以下，最大集電極功率 (PC(max)) 不超過(guò)1W的晶體管。相對(duì)功率晶體管而得名，一般以樹脂封裝居多，這是其特點(diǎn)之一。功率晶體管一般功率晶體管的功率超過(guò)1W。相比
2019-05-05 01:31:57
，特別是近年來(lái)碳納米管的發(fā)展令人注目，在速度、集成度、特別是功耗方面都將有重大突破，但離開實(shí)際應(yīng)用可能比硅基量子器件要更遠(yuǎn)一些。原文見王陽(yáng)元院士在“納米CMOS器件”書中寫的序（2004年1月科學(xué)出版社出版）。 :
2018-08-24 16:30:27
碳納米纖維是指具有納米尺度的碳纖維，依其結(jié)構(gòu)特性可分為納米碳管即空心碳納米纖維和實(shí)心碳納米纖維。
2019-09-20 09:02:43
采取直接在硅片上真空蒸鍍NiCr合金作為催化劑，用化學(xué)氣相沉積法制備了碳納米管薄膜。并采用H2等離子體球處理碳納米管薄膜，測(cè)試其場(chǎng)發(fā)射特性，并與未經(jīng)處理的碳納米管薄
2008-12-03 12:55:26
13 碳納米管薄膜是一種能應(yīng)用于場(chǎng)發(fā)射平面顯示器等器件中的新型冷陰極材料。該文用Ni作為催化劑，采用催化熱解法在硅片上制備了多壁碳納米管薄膜場(chǎng)發(fā)射陰極，反應(yīng)氣體為乙炔
2009-05-14 19:44:1820 采用硫酸和硝酸混合酸對(duì)催化裂解法（CVD法）制備的多壁碳納米管（MWNTs）進(jìn)行純化，然后運(yùn)用硬脂酸對(duì)碳納米管表面進(jìn)行修飾，并研究了硬脂酸修飾后的碳納米管的表面狀況以及
2009-05-16 01:52:2617 隨著對(duì)碳納米管研究的不斷深入，對(duì)碳納米管的應(yīng)用研究越來(lái)越受到人們的重視。通過(guò)分析碳納米管的物理特性，對(duì)碳納米管的應(yīng)用前景進(jìn)行了廣泛的探索。著重分析了碳納米管
2009-07-13 10:28:1813 碳納米管研究的不斷發(fā)展為其與微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS) 的結(jié)合提供了可能,這種結(jié)合“Top - down”與“Bottom2up”的方法是微米/ 納米技術(shù)的一個(gè)發(fā)展趨勢(shì)。碳納米管的特性及其在MEMS 上
2009-11-16 11:31:0726 碳納米管/ TiO2 電極光電催化測(cè)定耐蘭方法探討
自合成二氧化鈦2碳納米管( TiO22CN T) 復(fù)合催化劑,用Nafion 溶液把CN T2TiO2 固定到玻碳電極上制成CN T2TiO2 / GC 修飾電極,
2010-02-23 09:43:487 以界面勢(shì)壘對(duì)碳納米管(CNT)場(chǎng)發(fā)射的影響為研究目的，在硅襯底上引進(jìn)很薄的二氧化硅層，以二氧化硅層作為絕緣勢(shì)壘，然后在二氧化硅界面層上直接生長(zhǎng)CNT，來(lái)研究二氧化硅絕緣勢(shì)
2010-03-05 14:07:3614 目前看來(lái)，碳納米管的潛在用途是無(wú)窮無(wú)盡的，僅在半導(dǎo)體行業(yè)就存在著大量的潛在應(yīng)用。研究人員已經(jīng)成功將碳納米管用于FET開關(guān)、消費(fèi)電子存儲(chǔ)器，以及下一代電視機(jī)的場(chǎng)發(fā)
2010-04-16 10:34:2412 通過(guò)原位溶液聚合制備了聚苯胺/碳納米管(PAN I/ CN T) 復(fù)合材料。采用透射電子顯微鏡(TEM )、紫外2可見光光譜(UV 2V IS)、傅立葉變換紅外光譜(FT IR)、熱失重分析(TGA ) 及差示掃描量熱法(
2010-11-21 12:27:2132 文章系統(tǒng)地論述了非碳納米管的制備,較詳盡地介紹了多種非碳納米管制備最新的進(jìn)展,包括硫化物、氮化物、氧化物等等,特別重點(diǎn)地總結(jié)了非碳納米管前沿材料,例如WS2 ,Bi2 S3 , ZnS,
2010-11-21 12:35:4652 采用原位聚合的方法,制備了多壁碳納米管/ 聚甲基丙烯酸甲酯復(fù)合材料。多壁碳納米管經(jīng)過(guò)強(qiáng)酸氧化處理,表面具有有機(jī)活性。碳納米管的加入并未使聚合誘導(dǎo)期延長(zhǎng),但令體系粘度增
2010-11-21 12:37:0549 斯坦福大學(xué)成功研制出具備較復(fù)雜電路結(jié)構(gòu)的碳納米管IC
最近斯坦福大學(xué)研制出了首個(gè)三維碳納米管結(jié)構(gòu)電路，這項(xiàng)成果可能標(biāo)志著科學(xué)家在研制納米管計(jì)算機(jī)方面又
2009-12-24 09:11:16
826 科學(xué)家新發(fā)現(xiàn):碳納米管產(chǎn)生大電流(新型發(fā)電方式)
麻省理工學(xué)院科學(xué)家發(fā)現(xiàn)一種新發(fā)電方式，利用碳納米管產(chǎn)生出大電流，可為超小型設(shè)備提供電能，而且納米管產(chǎn)生
2010-03-15 08:44:171052 用碳納米管研制高效太陽(yáng)能電池的方法
美國(guó)康奈爾大學(xué)（Cornell University）研究人員制作出高效太陽(yáng)能電池的基本元素，很有希望以更有效的方式將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)
2010-05-14 18:03:221147 全世界的研究者都在試著用硅、塑料甚至是人的毛發(fā)來(lái)制作電池，而康奈爾大學(xué)的研究者則找到了一條新途徑：用碳納米管制造太陽(yáng)能電池。盡管這項(xiàng)研究還處在非常初級(jí)的
2010-09-16 12:02:111694 對(duì)碳納米管陰極的制備以及場(chǎng)發(fā)射顯示器的真空封裝技術(shù)進(jìn)行了研究.利用一種新的碳納米管生長(zhǎng)工藝制備出了具有優(yōu)良場(chǎng)發(fā)射性能的碳納米管陰極.并將這種直接生長(zhǎng)的碳納米管薄膜作
2011-04-19 12:24:2542 針對(duì)現(xiàn)有的碳納米管場(chǎng)發(fā)射顯示器(CNT FED)制造技術(shù)中存在的工藝復(fù)雜、 成本過(guò)高的問題,提出了用于制造碳納米管場(chǎng)發(fā)射顯示器的全印刷制造技術(shù),即采用絲網(wǎng)印刷工藝制備 CN T FED 器件內(nèi)
2011-04-19 14:59:5734 碳納米管具有一些獨(dú)特的電學(xué)性質(zhì), 在納米電子學(xué)有很好的應(yīng)用前景。隨著納米技術(shù)的發(fā)展, 新的工藝技術(shù)也隨之產(chǎn)生。納米器件的由下至上制作工藝, 是在納米技術(shù)和納米材料的基礎(chǔ)之
2011-06-21 17:50:0662 據(jù)了解，國(guó)家納米科學(xué)中心孫連峰研究員小組的劉政在攻讀博士期間發(fā)現(xiàn)，利用單壁碳納米管薄膜兩端的開路電壓，可以構(gòu)建成高性能的應(yīng)力傳感器。
2011-12-26 09:55:161010 北京大學(xué)在碳納米管集成電路領(lǐng)域取得重要進(jìn)展,該文章報(bào)道了彭練矛教授研究團(tuán)隊(duì)在碳納米管集成電路領(lǐng)域取得的重要進(jìn)展?；瘜W(xué)與分子工程學(xué)院李彥教授和美國(guó)杜克大學(xué)劉杰教授為該
2012-02-22 09:34:071993 
以碳納米管為材料制備而成的納米光學(xué)天線,可以將接收光波的范圍縮小到亞波長(zhǎng)尺度上,這樣就擴(kuò)大了太陽(yáng)能面板接收光能量的波長(zhǎng)范圍,能夠收集到紅外線的能量,從而為納米光子學(xué)提供
2012-02-22 10:58:534 據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)最近報(bào)道，美國(guó)斯坦福和南加州大學(xué)工程師開發(fā)出一種設(shè)計(jì)碳納米管線路的新方法，首次能生產(chǎn)出一種以碳納米管為基礎(chǔ)的全晶片數(shù)字電路，即使在許多納米管發(fā)
2012-06-19 10:18:091337 藍(lán)色巨人IBM的科學(xué)家們?cè)俅握故玖怂麄冃酆竦目蒲袑?shí)力：歷史上第一次，使用標(biāo)準(zhǔn)的主流半導(dǎo)體工藝，將一萬(wàn)多個(gè)碳納米管打造的晶體管精確地放置在了一顆芯片內(nèi)，并通過(guò)了可行性測(cè)
2012-10-29 11:44:487397 FinFET的芯片。在2月份舉行的這次Common Platform 2013技術(shù)論壇上，IBM除了展示FinFET這種3D晶體管技術(shù)外，還展示了諸如硅光子晶體管，碳納米管等前沿技術(shù)。
2013-02-20 23:04:307799 米特拉表示，“如果利用
碳納米管晶體管取代硅
晶體管，效能比可提高1000倍?！?/div>
2016-08-22 14:03:54986 記者近日從中國(guó)科技大學(xué)獲悉，中國(guó)科學(xué)院院士郭光燦領(lǐng)導(dǎo)的中科院量子信息重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室在基于碳納米管的納米機(jī)電系統(tǒng)（NEMS）方面取得系列重要進(jìn)展。
2017-01-16 11:36:48924 多壁碳納米管_Nafion_納米金構(gòu)建阻抗傳感器研究_胡曉琴
2017-03-19 19:03:463 基于SEM圖像的碳納米管薄膜均勻性表征方法研究_陳彥海
2017-03-19 19:12:420 來(lái)自麻省理工學(xué)院的化學(xué)教授TimothySwager和他的團(tuán)隊(duì)利用改進(jìn)過(guò)的碳納米管研制出了一種新型傳感器，這種造價(jià)只有0.25美元的傳感器可以檢測(cè)出果實(shí)在成熟過(guò)程中所釋放出的一種化學(xué)成分——乙烯
2018-07-09 10:24:00406 金百納的核心技術(shù)是碳納米管的制備技術(shù)，具有純度高，管徑小等優(yōu)點(diǎn)。用其分散出來(lái)的新型碳納米管導(dǎo)電漿料(GCN168-40H)，與同類碳納米管導(dǎo)電漿料產(chǎn)品相比具有鐵雜質(zhì)含量低，導(dǎo)電性好等優(yōu)點(diǎn)，能夠更好的滿足動(dòng)力電池對(duì)安全性和導(dǎo)電性需求。
2017-12-27 11:42:524273 
北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院、納米器件物理與化學(xué)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室彭練矛教授-張志勇教授團(tuán)隊(duì)在碳納米管電子學(xué)領(lǐng)域潛心研究十幾年，發(fā)展了一整套碳管CMOS技術(shù)，前期已實(shí)現(xiàn)亞10nm CMOS器件以及中等規(guī)模
2018-01-02 13:42:424941 
芯片是信息時(shí)代的基礎(chǔ)與推動(dòng)力，碳納米管技術(shù)被認(rèn)為是后摩爾時(shí)代的重要選項(xiàng)。今日?qǐng)?bào)道由北大申報(bào)的”5納米碳納米管CMOS器件“入選了高校十大科技進(jìn)展。
2018-01-02 15:11:341086 
金百納的核心技術(shù)是碳納米管的制備技術(shù)，具有純度高，管徑小等優(yōu)點(diǎn)。用其分散出來(lái)的新型碳納米管導(dǎo)電漿料(GCN168-40H)，與同類碳納米管導(dǎo)電漿料產(chǎn)品相比具有鐵雜質(zhì)含量低，導(dǎo)電性好等優(yōu)點(diǎn)，能夠更好的滿足動(dòng)力電池對(duì)安全性和導(dǎo)電性需求。
2018-01-05 09:35:394861 
目前碳納米管的制備方法主要有三種，分別是弧光放電法，激光高溫?zé)品ㄒ约盎瘜W(xué)氣相沉淀法。本文采用的實(shí)驗(yàn)樣品是使用化學(xué)氣相沉淀法制備多壁碳納米管陣列
2018-03-23 17:10:0010885 
在Nano Letters雜志描述的研究中，Barron和他的團(tuán)隊(duì)在嘗試了各種方法從各種污染物中清潔碳納米管之后，對(duì)多壁碳納米管和單壁碳納米管進(jìn)行了艱苦的阻力測(cè)量。 結(jié)果是他們可以去除的雜質(zhì)越多，阻力測(cè)量值越準(zhǔn)確和一致。
2018-03-09 15:41:344140 經(jīng)多年研發(fā)，趙社濤最近成功突破了碳納米管導(dǎo)電劑的新世代生產(chǎn)技術(shù)，進(jìn)一步大大提高了現(xiàn)有小管徑碳納米管導(dǎo)電劑的性能。新工藝所制造的碳納米管集三大優(yōu)點(diǎn)于一身：1、是陳列式的碳納米管，蓬松易分散
2018-08-21 17:15:328684 
文章介紹了碳納米管的結(jié)構(gòu)和性能，綜述了碳納米管/聚合物復(fù)合材料的制備方法及其聚合物結(jié)構(gòu)復(fù)合材料和聚合物功能復(fù)合材料中的應(yīng)用研究情況，在此基礎(chǔ)上，分析了碳納米管在復(fù)合材料制備過(guò)程中的純化、分散、損傷和界面等問題，并展望了今后碳納米管/聚合物復(fù)合材料的發(fā)展趨勢(shì)。
2018-12-13 08:00:008 他們的解決方案依賴于碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CNTFET）和電阻式RAM存儲(chǔ)器（RRAM）的3D集成。這種技術(shù)是Shulaker在斯坦福大學(xué)期間，協(xié)助 H.-S. Philip Wong
2019-03-05 11:10:385126 2017-2018年兩年間，天奈科技碳納米管導(dǎo)電劑產(chǎn)品出貨量和銷售額均居行業(yè)首位。
2019-04-11 15:14:094318 
SkyWater科技的晶圓廠生產(chǎn)出第一批可以匹敵先進(jìn)硅芯片性能的3D納米管晶圓。
2019-07-26 14:03:463128 英國(guó)《自然》雜志28日發(fā)表了一項(xiàng)計(jì)算科學(xué)最新進(jìn)展：美國(guó)麻省理工學(xué)院團(tuán)隊(duì)利用14000多個(gè)碳納米管晶體管，制造出16位微處理器，并生成這樣一條信息。其設(shè)計(jì)和制造方法克服了之前與碳納米管相關(guān)的挑戰(zhàn)，將為先進(jìn)微電子裝置中的硅帶來(lái)一種高效能替代品。
2019-08-29 16:12:133298 MIT和ADI公司的研究人員們創(chuàng)造了第一個(gè)完全可編程的16位碳納米管微處理器。它是迄今基于碳納米管的CMOS邏輯最復(fù)雜的集成，擁有14000多個(gè)晶體管，基于RISC-V架構(gòu)，可執(zhí)行與商用微處理器相同的任務(wù)。
2019-09-02 14:37:291054 以半導(dǎo)體碳納米管為基礎(chǔ)的晶體管作為先進(jìn)微電子器件中硅晶體管的替代品，顯然很有前景。但碳納米管固有的納米級(jí)缺陷和可變性，以及處理它們面臨的挑戰(zhàn)，阻礙了它們?cè)谖㈦娮宇I(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用。
2019-09-07 07:08:007191 據(jù)外媒報(bào)道，美國(guó)科學(xué)家已經(jīng)開發(fā)出一種碳納米管來(lái)制造帶有硅陽(yáng)極的鋰離子電池。
2020-04-23 15:07:253721 的競(jìng)賽博弈也經(jīng)已展開。 高工產(chǎn)研鋰電研究所（GGII）數(shù)據(jù)顯示，2019年國(guó)內(nèi)碳納米管導(dǎo)電漿料出貨量約3.58萬(wàn)噸（以4%固含量折算），同比增長(zhǎng)10%。GGII預(yù)計(jì)，2020年碳納米管導(dǎo)電漿料市場(chǎng)規(guī)模將突破7萬(wàn)噸。 接近28億的市場(chǎng)空間也引來(lái)了資本市
2020-05-10 12:02:111972 自1991年日本Iijima教授發(fā)現(xiàn)碳納米管以來(lái)，納米技術(shù)吸引了大量科學(xué)家的興趣和研究，是目前科學(xué)界的研究熱點(diǎn)?；?b class="flag-6" style="color: red">碳納米管獨(dú)特的電學(xué)特性，提出了利用碳納米管陣列構(gòu)筑新型天線和傳輸線的設(shè)想。自此
2020-11-06 10:40:002 但是，這并不代表著對(duì)碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)會(huì)一帆風(fēng)順。1998年首個(gè)碳納米管晶體管研發(fā)至今，碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)一直遭遇材料上的瓶頸。長(zhǎng)期以來(lái)，最小碳納米管CMOS器件的柵長(zhǎng)停滯在20nm（2014年 IBM）。
2020-08-31 15:00:503526 摘要 GGII預(yù)計(jì)，在未來(lái)幾年，中國(guó)新型導(dǎo)電劑，特別是碳納米管導(dǎo)電劑將逐步代替?zhèn)鹘y(tǒng)導(dǎo)電劑，到2020年碳納米管導(dǎo)電漿料市場(chǎng)規(guī)模將突破7萬(wàn)噸。 目前國(guó)內(nèi)導(dǎo)電劑材料主要包括導(dǎo)電炭黑、導(dǎo)電石墨、碳納米管
2020-09-22 11:06:372163 
GGII預(yù)計(jì)，在未來(lái)幾年，中國(guó)新型導(dǎo)電劑，特別是碳納米管導(dǎo)電劑將逐步代替?zhèn)鹘y(tǒng)導(dǎo)電劑，到2020年碳納米管導(dǎo)電漿料市場(chǎng)規(guī)模將突破7萬(wàn)噸。
2020-10-13 16:44:133875 新的制造工藝，該工藝可以更好地控制碳納米管晶體管。這種控制對(duì)于確保在邏輯電路中充當(dāng)晶體管的晶體管完全關(guān)閉時(shí)至關(guān)重要。
2020-12-15 15:22:131610 中國(guó)正開始大批量生產(chǎn)商業(yè)用途的硅負(fù)極材料，應(yīng)用于鋰電池市場(chǎng)，而單壁碳納米管在改善硅負(fù)極性能方面起著關(guān)鍵作用。TUBALL單壁碳納米管可以有效提高鋰離子電池的性能，通過(guò)提高硅負(fù)極的循環(huán)壽命，從而最終滿足電動(dòng)汽車嚴(yán)格的要求
2020-12-25 20:32:431426 研究人員尋求通過(guò)在納米管和晶體管柵極之間，使用更薄的絕緣體來(lái)更好地控制碳納米晶體管。 ? 在 近日的IEEE Electron Devices Meeting (IEDM)會(huì)議上，碳納米管期間
2021-01-16 09:40:082504 論文題目中有個(gè)看起來(lái)有點(diǎn)兒高深的詞「碳納米管紗線」（Carbon nanotube yarns），那么在談具體的研究細(xì)節(jié)之前，我們先來(lái)解決一個(gè)問題：碳納米管紗線為何物？
2021-02-20 09:19:302915 
目前，OCSiAl（奧科希艾爾）的TUBALL單壁碳納米管產(chǎn)能為80噸/年，占全球單壁碳納米管市場(chǎng)的95％以上，該產(chǎn)能滿足100+GWH以上的鋰離子電池的導(dǎo)電劑需求。 電動(dòng)汽車沒有完全替代燃油汽車
2021-03-17 18:17:214980 
獨(dú)特的物理/化學(xué)性質(zhì)在氣體分離和捕獲、催化、潤(rùn)滑、藥物輸送等領(lǐng)域就可實(shí)現(xiàn)體材難以實(shí)現(xiàn)的功能，因而具有廣闊的應(yīng)用前景。在納米管的合成制備方面，除了眾所周知的碳納米管外，還有為數(shù)眾多的無(wú)機(jī)納米管。 諸如MoS2等單壁納米
2021-05-07 17:29:271638 
過(guò)時(shí)。IBM?在 2021?年就證明了這一點(diǎn)，其突破性的 2?納米芯片技術(shù)顛覆了市場(chǎng)。這個(gè)新的制造時(shí)代得益于減少芯片納米的競(jìng)賽。? 今天，晶體管的標(biāo)準(zhǔn)長(zhǎng)度是10納米，而且隨著最新研究，頂級(jí)公司已經(jīng)生產(chǎn)了5納米或7納米的芯片。從歷史
2022-01-07 10:12:35436 本文提出了一種碳納米管“橋接策略”來(lái)合成這種富含用于 ORR 催化的高活性單原子 Fe 位點(diǎn)和用于 OER催化的高性能NiCo 納米顆粒的雙功能氧電催化劑（FePc||CNTs||NiCo/CP）。
2022-11-11 11:04:52869 國(guó)家空間科學(xué)中心空間天氣學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室陳睿副研究員、韓建偉研究員團(tuán)隊(duì)與北京大學(xué)電子學(xué)院張志勇教授課題組、中科院微電子所李博研究員課題組合作，針對(duì)碳納米管晶體管和靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單元
2022-11-16 11:19:32645 碳納米管具有高穩(wěn)定性和卓越的電子特性，已成為替代晶體管中硅的主要候選材料。在11 月 17 日發(fā)表于《科學(xué)》雜志的一篇評(píng)論文章中，西北大學(xué)的Mark Hersam及其合作者概述了碳納米管在高性能 IC 以及適用于物聯(lián)網(wǎng)的低成本/低性能電子產(chǎn)品中的機(jī)遇和剩余挑戰(zhàn)
2022-11-25 10:03:361104 技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室與北京大學(xué)教授張志勇、中科院國(guó)家空間科學(xué)中心副研究員陳睿合作，研制出基于局域底柵的碳納米管晶體管和靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，并系統(tǒng)研究了碳納米管器件與電路的綜合抗輻射能力（圖1）。研究顯示，局域底柵碳納米
2022-12-02 16:49:282655 利用碳納米管包裹的棉和氨綸紗線，通過(guò)定制紡紗設(shè)備制造的電極如圖1a所示。首先，研究人員將兩個(gè)碳納米管陣列安裝在紡絲裝置的上料區(qū)。芯棉和氨綸紗線穿過(guò)送料筒的內(nèi)管。芯棉和芯紗插入內(nèi)管的直徑為0.5?cm，以適應(yīng)多種紗線的紡織。為了確保順利進(jìn)紗，研究人員使用了彈簧張緊系統(tǒng)來(lái)控制張力。
2022-12-19 10:38:271078 溝道表面的氧化釔薄膜由電子束蒸發(fā)鍍膜儀所蒸鍍的金屬釔加熱氧化形成，隨后在溝道表面蒸鍍金納米薄膜，金納米薄膜會(huì)自團(tuán)聚形成金顆粒，自此完成浮柵型碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FG-CNT-FET）的制備以及表面的金納米顆粒修飾。
2023-03-23 11:04:101457 OCSiAl通過(guò)技術(shù)革新，提升了單壁碳納米管粉料的產(chǎn)能，同時(shí)推出了新一代的高固含導(dǎo)電產(chǎn)品，相較現(xiàn)有產(chǎn)品，固含提升在2倍以上，進(jìn)一步降低單壁碳納米管的使用成本，提升性價(jià)比。
2023-04-20 09:34:461283 、碳納米管薄膜紅外探測(cè)器以及碳納米管光電集成研究方面的最新進(jìn)展。 圖1 碳納米管探測(cè)器和光電集成 碳納米管材料由于具有高紅外吸收系數(shù)（3×10? cm?1）、高遷移率（10? cm2 V s?1）、基底
2023-06-12 17:02:40338 
HS-3000A拉伸試驗(yàn)機(jī)適用于尋求材料力與形變關(guān)系的實(shí)驗(yàn)，可對(duì)金屬，非金屬的原材料、加工件、成品進(jìn)行拉伸、彎曲、剝離、壓縮、壓陷、附著力、撕裂等多項(xiàng)力學(xué)實(shí)驗(yàn)及分析。多壁碳納米管/聚丙烯納米復(fù)合材料
2022-06-13 18:12:31412 
? 近日，北京大學(xué)彭練矛院士/張志勇教授團(tuán)隊(duì) 造出一款基于陣列碳納米管的 90nm 碳納米管晶體管 ，具備可以高度集成的能力。 基于該90nm 碳納米管晶體管技術(shù)，目前該團(tuán)隊(duì)研發(fā)的高靈敏碳納米管
2023-09-05 15:10:18538 
隨著科技的進(jìn)步，碳納米管（Carbon Nanotubes，CNT）已經(jīng)逐漸引領(lǐng)鋰電池領(lǐng)域的革新浪潮。傳統(tǒng)導(dǎo)電劑的替代者，碳納米管以其卓越的性能特點(diǎn)，包括優(yōu)異的導(dǎo)電導(dǎo)熱性能、阻酸抗氧化性、低阻抗
2023-10-27 17:41:231433 研究中，他們提出了一種頂柵互補(bǔ)碳納米管金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)（Top Gate complementary CNT MOSFETs）。在該結(jié)構(gòu)中，通過(guò)將摻雜僅僅局限在延伸部分，而在通道保持未摻雜的狀態(tài)，憑借這一架構(gòu)課題組消除了金屬電極的重疊
2024-01-05 16:08:32338 
一維空心圓柱形碳納米管納米結(jié)構(gòu)自被發(fā)現(xiàn)以來(lái)，在納米技術(shù)的發(fā)展中起著至關(guān)重要的作用。
2024-01-18 09:18:12464 
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