晶片切割是半導(dǎo)體器件制造的關(guān)鍵步驟，切割方式和質(zhì)量直接影響晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生產(chǎn)成本，同時對器件制造也有重大影響。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料，在電子領(lǐng)域中具有重要地位。高質(zhì)量碳化硅晶體
2024-01-23 09:42:20
708 
基本半導(dǎo)體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結(jié)合元胞鎮(zhèn)流電阻設(shè)計，開發(fā)出了短路耐受時間長，導(dǎo)通電阻小，閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:039313 
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱停哂械偷膶?dǎo)通損耗?！ 〉栊ぬ鼗O管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！ 《?、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
?！ OM成本比較表明，碳化硅基MOSFET充電器方案可節(jié)省15%成本 加快上市等于減少了時間成本 半導(dǎo)體廠商通常都通過參考設(shè)計為其器件提供廣泛的支持。對于上面提到的OBC應(yīng)用，Wolfspeed的全球
2023-02-27 14:28:47
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
至半導(dǎo)體內(nèi)部導(dǎo)致失效。同樣的晶片表面鈍化層損壞后，雜質(zhì)可能遷移到晶片內(nèi)部導(dǎo)致失效?！ TRB試驗可以使這些失效加速呈現(xiàn)，排查出異常器件?；?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體碳化硅二級管的HTRB實驗溫度為175℃，高于一般
2023-02-28 16:59:26
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
電子設(shè)備的能耗，因此碳化硅器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源器件”。各類電機系統(tǒng)在高壓應(yīng)用領(lǐng)域，使用碳化硅陶瓷基板的半導(dǎo)體碳化硅功率器件，功耗降低效果明顯，設(shè)備的發(fā)熱量大幅減少，同時可減少最高
2021-01-12 11:48:45
碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無
2019-07-04 04:20:22
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
碳化硅作為第三代半導(dǎo)體經(jīng)典的應(yīng)用，具有眾多自身優(yōu)勢和技術(shù)優(yōu)勢，它所制成的功率器件在生活中運用十分廣泛，越來越無法離開，因此使用碳化硅產(chǎn)品的穩(wěn)定性在一定程度上也決定了生活的質(zhì)量。作為高尖精的產(chǎn)品，芯片
2023-02-20 15:27:19
01 碳化硅材料特點及優(yōu)勢 碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導(dǎo)熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導(dǎo)體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言，半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通損耗與其擊穿場強成反比，故在相似的功率等級下，SiC器件的導(dǎo)通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求?！ ∠噍^于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品，基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特點，可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
有限公司（以下簡稱“薩科微”）為代表的“造芯”勢力正在奮力追趕，致力補齊國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中重要的一環(huán)。薩科微半導(dǎo)體產(chǎn)品包括“slkor”品牌的碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管
2023-03-17 11:08:33
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅(qū)動技術(shù)研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
有限公司（以下簡稱“薩科微”）為代表的“造芯”勢力正在奮力追趕，致力補齊國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中重要的一環(huán)。薩科微半導(dǎo)體產(chǎn)品包括“slkor”品牌的碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管
2023-03-17 11:13:35
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體，其研究開發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
大功率適配器為了減小對電網(wǎng)的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時出現(xiàn)，強強聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
復(fù)雜的設(shè)計，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關(guān)碳化硅器件？ 當(dāng)傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開關(guān)頻率方面達到極限時，碳化硅可能是合適的半導(dǎo)體選擇。高達 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
附件：嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
的功率半導(dǎo)體器件選型，并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案?！ ?2 圖騰柱無橋PFC拓撲分析 在正半周期（VAC大于0）的時候，T2為主開關(guān)管。 當(dāng)T2開通時，電感L儲能，電流
2023-02-28 16:48:24
技術(shù)需求的雙重作用，導(dǎo)致了對于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案的半導(dǎo)體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙（WBG）技術(shù)器件應(yīng)運而生，如碳化硅場效應(yīng)管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設(shè)計人
2023-03-14 14:05:02
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
，極大地提高模塊工作的可靠性。此外，鋁帶、銅帶連接工藝因其更大的截流能力、更好的功率循環(huán)以及散熱能力，也有望為碳化硅提供更佳的解決方案。圖 11 所示分別為銅鍵合線、銅帶連接方式。錫片或錫膏常用于芯片
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
MOSFET更好的在系統(tǒng)中應(yīng)用，需要給碳化硅MOSFET匹配合適的驅(qū)動?！ 〗酉聛斫榻B基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET及驅(qū)動產(chǎn)品 基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特點，可降低
2023-02-27 16:03:36
好，硬度大（莫氏硬度為9.5級，僅次于世界上最硬的金剛石（10級））、導(dǎo)熱性能優(yōu)良、高溫抗氧化能力強等。由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。二、碳化硅半導(dǎo)體器件由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
華為為5G鋪路，布局碳化硅半導(dǎo)體，打破國外第三代半導(dǎo)體市場壟斷
2019-08-27 11:19:034989 我國近日在碳基半導(dǎo)體材料的研制方面有了非常重要突破，近日在碳化硅晶片量產(chǎn)方面也取得重大進展，相同的“碳”字，不同的材料，一個是晶片，一個是芯片。
2020-06-13 10:33:2529197 在快充領(lǐng)域商用的大門。 圖1：SMBF封裝碳化硅肖特基二極管 針對PD快充“小輕薄”的特點，碳化硅功率器件領(lǐng)先企業(yè)基本半導(dǎo)體在國內(nèi)率先推出SMBF封裝碳化硅肖特基二極管，該產(chǎn)品具有體積小、正向?qū)▔旱秃涂估擞磕芰姷忍攸c，能很好地滿足PD快充對器件
2021-04-19 11:37:022632 
SiC-碳化硅-功率半導(dǎo)體的介紹講解說明。
2021-04-26 10:11:32
140 基本半導(dǎo)體是國內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè)，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業(yè)界熟知，并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動
2021-11-29 14:54:087839 
12月30日，基本半導(dǎo)體位于無錫市新吳區(qū)的汽車級碳化硅功率模塊制造基地正式通線運行，首批碳化硅模塊產(chǎn)品成功下線。這是目前國內(nèi)第一條汽車級碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線，采用先進碳化硅專用封裝工藝技術(shù)，打造
2021-12-31 10:55:432796 
與普通硅相比，碳化硅可以承受更高的電壓，因此，碳化硅半導(dǎo)體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開關(guān)，從而提供了簡化和可靠的系統(tǒng)布局。
2022-04-07 14:49:043206 在高端應(yīng)用領(lǐng)域，碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛，被認為是有可能實現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:161072 比亞迪作為國內(nèi)車企，在車上用碳化硅已經(jīng)有差不多5、6 年的歷史，最早是在車載的OBC上用，后面是在車載彈簧、車載電控上面用，目前國內(nèi)在碳化硅車型上，我們用的碳化硅的量是國內(nèi)最多的，去年算上車載電控
2022-08-26 09:15:131695 基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M080120HC(替代C2M0080120D)助力光伏逆變器設(shè)計
2022-08-27 15:57:02567 
億美元的新工廠。隨著新能源汽車的加速滲透，碳化硅技術(shù)的重要性愈發(fā)凸顯。安森美、Wolfspeed、意法半導(dǎo)體等碳化硅領(lǐng)域主導(dǎo)企業(yè)，均發(fā)表了對行業(yè)發(fā)展的積極展望，并計劃投資擴大產(chǎn)能。碳化硅大廠間的新一輪卡位之戰(zhàn)正在展開。 激進的擴產(chǎn)步伐 作為碳化
2022-10-08 17:02:25872 ? ? ? 日本媒體報道稱日本羅姆（ROHM）12月將開始量產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體。原材料是碳化硅（SiC），羅姆花費約20年推進了研發(fā)。據(jù)稱，羅姆在福岡縣筑后市工廠的碳化硅功率半導(dǎo)體專用廠房實施量產(chǎn)
2022-11-28 16:51:24498 碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強，使半導(dǎo)體具有很高的機械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許
2022-12-30 13:57:49632 
半導(dǎo)體屆“小紅人”——碳化硅肖特基，讓你的電源溫度低過冰墩墩
2022-12-30 17:05:47437 
碳化硅（SiC）是比較新的半導(dǎo)體材料。一開始，了解一下它的物理特性和特征。
2023-01-09 09:03:392345 
?？?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體（蘇州）有限公司宣布碳化硅外延片投產(chǎn)。據(jù)悉，該產(chǎn)品通過了行業(yè)權(quán)威企業(yè)歐陸埃文思材料科技（上海）有限公司和寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國家重點實驗室的雙重檢測，具備媲美國際大廠碳化硅外延片的品質(zhì)，解決了國外產(chǎn)品的卡脖子問題，為我國碳化硅行業(yè)創(chuàng)下了一個新紀(jì)錄。
2023-01-13 10:54:281006 汽車碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導(dǎo)體，碳化硅功率半導(dǎo)體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢，隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導(dǎo)體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 碳化硅（SiC）是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片，這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂，石油焦，鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4420962 對新材料探索的腳步便從未停止。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，屬于第三代半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度高達3.0eV，相比第一代半導(dǎo)體材料硅，碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍；導(dǎo)熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8倍；電子飽和漂移速率為硅
2023-02-02 17:39:092602 、電源供應(yīng)器等高功率應(yīng)用領(lǐng)域。碳化硅應(yīng)用涵蓋了新基建涉及的絕大部分領(lǐng)域，這給國內(nèi)以基本半導(dǎo)體為代表的碳化硅企業(yè)帶來巨大利好。
2023-02-03 14:49:52367 碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風(fēng)口，也是一個很大的挑戰(zhàn)，那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)壁壘
2023-02-03 15:25:163637 
碳化硅是目前應(yīng)用最為廣泛的第三代半導(dǎo)體材料，由于第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度大于2eV，因此一般也會被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料，除了寬禁帶的特點外，碳化硅半導(dǎo)體材料還具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32933 功率半導(dǎo)體碳化硅（SiC）技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技術(shù)的需求繼續(xù)增長，這種技術(shù)可以最大限度地提高當(dāng)今電力系統(tǒng)的效率
2023-02-15 16:03:448 與普通硅相比，碳化硅可以承受更高的電壓，因此，碳化硅半導(dǎo)體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開關(guān)，從而提供了簡化和可靠的系統(tǒng)布局。 隨著新行業(yè)和產(chǎn)品采用電子和半導(dǎo)體，設(shè)計師和制造商正在尋找改進和更智能
2023-02-20 15:51:550 碳化硅模塊上車高濕測試 ? 2021年碳化硅很“熱”。比亞迪 半導(dǎo)體 、派恩杰、中車時代電氣、基本半導(dǎo)體等國內(nèi)碳化硅功率器件供應(yīng)商的產(chǎn)品批量應(yīng)用在汽車上，浙江金華、安徽合肥等地碳化硅項目開始
2023-02-21 09:26:452 晶圓（前端工藝）。碳化硅晶圓再經(jīng)過劃片封裝測試（后段工藝）就變成了我們現(xiàn)在使用的半導(dǎo)體-碳化硅二極管和碳化硅MOS。
2023-02-21 10:04:111693 
什么是第三代半導(dǎo)體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 碳化硅晶片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由碳和硅組成，具有高溫、高壓、高頻、高功率等特性。
2023-02-25 14:00:102271 在特斯拉投資者大會上，特斯拉表示下一代汽車平臺的動力總成中將減少75%的碳化硅使用。
2023-03-14 16:11:341125 3）”，其中一句“下一代平臺將減少75%的碳化硅使用”一度帶崩相關(guān)板塊，引發(fā)A股碳化硅中的個股集體跳水。 近兩年，碳化硅在新能源汽車中占據(jù)著重要位置，相關(guān)概念在資本市場上也一度受到熱捧，更具戲劇性的是，特斯拉正是推動碳化硅上車的“先驅(qū)”。如
2023-04-18 13:11:31416 
本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理，并重點對碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應(yīng)用進行了介紹。
2023-04-23 09:58:27712 
意法半導(dǎo)體（ST）宣布與采埃孚科技集團公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應(yīng)協(xié)議。從 2025 年起，采埃孚將從意法半導(dǎo)體采購碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930 硅（Si）是電子產(chǎn)品中常用的純半導(dǎo)體的一個例子。鍺（Ge）是另一種純半導(dǎo)體，用于一些最早的電子設(shè)備。半導(dǎo)體也由化合物制成，包括砷化鎵 （GaAs）、氮化鎵 （GaN）、硅鍺 （SiGe） 和碳化硅 （SiC）。我們稍后將回到最后一項。
2023-05-24 11:26:141681 使用化學(xué)機械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進行了超精密拋光試驗，探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時長及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對晶片表面粗糙度的影響，并對工藝參數(shù)進行了優(yōu)化，最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215 
碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182 三安光電近日宣布，將與國際功率半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體合資一家8英寸碳化硅器件工廠。
2023-06-11 14:31:0385 1、半導(dǎo)體照明領(lǐng)域以碳化硅為基板的LED在此期間具有更高的亮度、更低的能耗、更長的壽命、更小的單位芯片面積，在大功率LED中具有很大的優(yōu)勢。2.各種電機系統(tǒng)在5kV以上的高壓應(yīng)用中，半導(dǎo)體碳化硅功率
2021-12-07 10:36:02546 
羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導(dǎo)體的發(fā)展，一直在積極布局碳化硅業(yè)務(wù)。羅姆計劃到2025年拿下碳化硅市場30
2023-07-19 19:37:01724 如今砷化鎵、磷化銦等作為第二代化半導(dǎo)體因其高頻性能效好主要是用于射頻領(lǐng)域，碳化硅、和氮化鎵等作為第三代半導(dǎo)體因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。
2023-07-25 10:52:23405 碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導(dǎo)體級質(zhì)量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094 在半導(dǎo)體行業(yè)的下行周期中，也并非一片低迷之聲，碳化硅就是萎靡之勢中的一個反例。
2023-08-17 14:27:151085 
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展，碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:221041 igbt和碳化硅區(qū)別是什么？? IGBT和碳化硅都是半導(dǎo)體器件，它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個方面。 一、材料： IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣
2023-08-25 14:50:049049 SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
業(yè)內(nèi)人士預(yù)測，今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進8英寸碳化硅技術(shù)。在國內(nèi)市場方面，碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性進展，多家行業(yè)龍頭選擇與國際功率半導(dǎo)體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21969 目前汽車業(yè)仍結(jié)構(gòu)性缺芯，比如，電源類、控制類、通信類、計算類、功率類的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項目投資建設(shè)期需18-24個月，去年有許多碳化硅項目的投資，要2025年才會釋放產(chǎn)能，預(yù)計2025年碳化硅功率半導(dǎo)體的緊缺狀況才會得到緩解。
2023-11-17 17:12:18664 目前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場研究機構(gòu)預(yù)測，未來幾年碳化硅市場將保持高速增長態(tài)勢。根據(jù)公開信息統(tǒng)計，2022年全球碳化硅市場份額約為18億美元，該數(shù)據(jù)包括多家上市公司，如意法半導(dǎo)體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:37603 
碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多，但半導(dǎo)體級質(zhì)量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438 碳化硅晶片薄化技術(shù)，碳化硅斷裂韌性較低，在薄化過程中易開裂，導(dǎo)致碳化硅晶片的減薄非常困難。碳化硅切片的薄化主要通過磨削與研磨實現(xiàn)。
2023-12-12 12:29:24189 
氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:18331 碳化硅（SiC）和傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體（Si）是兩種常見的半導(dǎo)體材料，它們在電子器件制造中具有廣泛的應(yīng)用。然而，碳化硅相對于傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體具有一定的優(yōu)缺點。 優(yōu)點： 更高的熱導(dǎo)率：碳化硅的熱導(dǎo)率是傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體
2024-01-10 14:26:52231
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論