Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:44
1092 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 年 1 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出兩款新型30 V對(duì)稱(chēng)雙通道n溝道功率MOSFET
2023-01-30 10:09:49529 
BTS5016-2EKA的典型應(yīng)用電路是一個(gè)16mΩ雙通道智能高側(cè)電源開(kāi)關(guān)，嵌入PG-DSO14-40 EP，裸露焊盤(pán)封裝，提供保護(hù)功能和診斷。功率晶體管由帶有電荷泵的N溝道垂直功率MOSFET構(gòu)建。該設(shè)備集成了Smart6技術(shù)。它專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高達(dá)H4的燈以及惡劣汽車(chē)環(huán)境中的LED
2020-04-17 10:09:17
`<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
將空穴從p+源極和漏極區(qū)域吸引到溝道區(qū)域。耗盡模式 P 通道P 通道增強(qiáng)模式加工就結(jié)構(gòu)而言，p 溝道耗盡型 MOSFET 只是 n 溝道耗盡型 MOSFET的倒數(shù)。在這種情況下，預(yù)構(gòu)建通道由夾在嚴(yán)重
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二種類(lèi)型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車(chē)用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
部分的快速電壓瞬變干擾。Vishay推出的 VO3120是光隔離IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)器，驅(qū)動(dòng)能力達(dá)1200V /50A，傳播延遲小于400ns，1500V電壓下抗共摸干擾 (CMTI)為25kV
2010-09-08 15:49:48
本帖最后由 暗星歸來(lái) 于 2016-9-6 12:53 編輯
如題，因?yàn)橐獙?duì)電池進(jìn)行管理，對(duì)充電過(guò)程和放電過(guò)程控制其何時(shí)開(kāi)始充電、停止充電、何時(shí)放電、何時(shí)停止放電，所以用兩個(gè)N溝道增強(qiáng)型
2016-09-06 12:51:58
，合適于功率MOSFET的應(yīng)用。這種結(jié)構(gòu)稱(chēng)為垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散MOS結(jié)構(gòu)VDMOSFET（Vertical Double Diffused MOSFET）。N溝道MOSFET襯底為高摻雜的N+襯底，高摻雜溝道
2016-10-10 10:58:30
電源，這樣就可以將N溝道同步整流功率MOSFET管放在高端。圖6：次級(jí)同步整流管放高端（左）、低端（4）通訊系統(tǒng)48V輸入系統(tǒng)的熱插撥如果是-48V的系統(tǒng)，熱插撥的功率MOSFET使用N溝道類(lèi)型，放在
2016-12-07 11:36:11
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
低損耗性能。這兩款降壓型轉(zhuǎn)換器還提供針對(duì)負(fù)載點(diǎn)功率管理的電流模式控制，備有卓越的線性和負(fù)載調(diào)節(jié)，以及快速瞬態(tài)負(fù)載響應(yīng)功能。并且，高度集成了低導(dǎo)通電阻 （RDS（on）） 高和低側(cè)MOSFET等部件，加上
2018-09-28 15:55:10
Diodes公司推出兩款新型低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)，其額定工業(yè)溫度為攝氏-40度至+85度，適合機(jī)頂盒、路由器和LCD顯示器等應(yīng)用。分別為300mA、150mV壓降的AP7335和600mA
2011-07-11 21:29:19
X2-DFN1410-6封裝供應(yīng)，而今年稍後時(shí)間推出的雙通道AZV3002則采用八引腳U-FLGA1616-8?！ ?b class="flag-6" style="color: red">兩款比較器提供低至0.8μs的傳遞延遲時(shí)間及1pA的低輸入偏置電流，即使在輸入過(guò)載的情況下也不會(huì)出現(xiàn)倒相現(xiàn)象。新產(chǎn)品為嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供通用解決方案，有效滿足絕大多數(shù)低壓便攜式設(shè)備的要求。
2018-10-08 15:44:43
，狀態(tài)監(jiān)測(cè)和報(bào)告等功能?！ ?jù)悉，Exar公司推出的兩款可編程電源模塊XRP9710和XRP9711,是Exar PowerXR可編程電源管理產(chǎn)品家族最新產(chǎn)品。它們電壓輸入范圍為5V-22V,能夠提供
2018-09-28 16:16:42
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電
2010-05-06 08:55:20
國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。該器件的最大導(dǎo)通電阻為7.0 mΩ(VGS
2018-11-26 16:09:23
Keysight N1912A 回收 雙通道功率計(jì) 歐陽(yáng)R:***QQ:734645067回收工廠或個(gè)人、庫(kù)存閑置、二手儀器及附件。長(zhǎng)期 專(zhuān)業(yè)銷(xiāo)售、維修、回收 高頻 二手儀器。溫馨提示：如果您
2020-05-14 13:29:19
LT1158上單個(gè)輸入引腳的典型應(yīng)用同步控制圖騰柱配置中的兩個(gè)N溝道功率MOSFET
2019-05-28 09:02:21
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-05-14 09:23:01
LTC3728LCUH雙通道，550kHz，兩相同步穩(wěn)壓器的典型應(yīng)用電路。 LTC3728L是雙路高性能降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓控制器，可驅(qū)動(dòng)所有N溝道同步功率MOSFET級(jí)
2020-06-15 09:33:02
NCP5181BAL36WEVB，NCP5181,36 W鎮(zhèn)流器評(píng)估板。 NCP5181是一款高壓功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器，提供兩路輸出，用于直接驅(qū)動(dòng)2個(gè)N溝道功率MOSFET，這些功率MOSFET
2019-10-12 10:29:07
空穴組成的一種MOSFET稱(chēng)為P溝道MOSFET。一旦這個(gè)MOSFET被激活，那么大多數(shù)電荷載流子(如空穴)將在整個(gè)通道中移動(dòng)。P溝道MOSFET與N溝道MOSFET不同，因?yàn)樵?b class="flag-6" style="color: red">N MOSFET中
2022-09-27 08:00:00
子的歐姆區(qū)域（ohmic region），MOSFET“完全導(dǎo)通”。在對(duì)比圖中，N溝道歐姆區(qū)的VGS是7V，而P溝道的是-4.5V。隨著柵極電壓增加，歐姆曲線的斜率變得更陡，表明器件導(dǎo)電能力更強(qiáng)。施加
2018-03-03 13:58:23
，貨源充足，品質(zhì)保證。供應(yīng)中低壓MOS管，供應(yīng)替代AO系列MOS管。SL2060場(chǎng)效應(yīng)管 20V85A N溝道功率MOS管【30V MOS管 N/P溝道】SL40P03 -30V
2020-06-19 11:00:56
SL3020雙管30V16A 19毫歐DFN3.3x3.3-8-EPSL3020 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 30V16A 功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得
2020-06-20 10:04:16
SL3042 30V88A 8.5毫歐DFN5x6A-8_EPSL3042 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 30V88A 功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴(lài)
2020-06-20 10:05:27
SL3400 30V5.7A 18毫歐SOT23-3LSL3400 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 30V5.7A 功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴(lài)合作
2020-06-20 10:11:31
`SL3402 30V4A 40毫歐SOT23-3LSL3402 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 30V4A的功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴(lài)合作的實(shí)力中低
2020-06-22 10:53:25
SL3404 30V5.7A 19毫歐SOT23-3LSL3404 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 30V5.7A的功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-06-22 11:03:37
SL3404 30V5.7A 19毫歐SOT23-3LSL3404 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 30V5.7A的功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴(lài)合作
2020-06-24 10:37:08
SL3406 30V4A 50毫歐 SOT23-3LSL3406 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管30V4A的功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴(lài)合作的實(shí)力中低
2020-06-24 10:39:23
`SL4430 30V18A 4.5毫歐SOP-8SL4430 N溝道耐壓30V18A系列中低壓MOS管 【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-08-03 14:48:45
溝道 TO-252 替代AOD484 功率MOS管SL403-30V-70A5毫歐TO-252封裝 P溝道替代AOD403SL48430V41A14毫歐TO-252封裝 N溝道替代
2020-06-04 13:58:07
深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) SLN30N03T30V 30A N溝道 MOS，原裝現(xiàn)貨熱銷(xiāo) SLN30N03T參數(shù)： 30V30ADFN3*3-8 N溝道MOS管品牌：美浦森
2021-04-07 14:57:10
【中低壓MOS供應(yīng)】VS3622DE，30V/35A，雙N溝道高級(jí)功率MOSFET 【中低壓MOS供應(yīng)】VS4610AE，40V55A，N溝道高級(jí)功率MOSFET VS3622DE
2020-11-04 14:40:31
N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V（絕對(duì)最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
。功率 MOSFET 的分類(lèi)及優(yōu)缺點(diǎn)和小功率 MOSFET 類(lèi)似，功率 MOSFET 也有分為 N 溝道和 P 溝道兩大類(lèi)；每個(gè)大類(lèi)又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。雖然耗盡型較之增強(qiáng)型有不少的優(yōu)勢(shì)，但實(shí)際上
2019-11-17 08:00:00
，N溝道歐姆區(qū)的VGS是7V，而P溝道的是-4.5V。隨著柵極電壓增加，歐姆曲線的斜率變得更陡，表明器件導(dǎo)電能力更強(qiáng)。施加的柵極電壓越高，MOSFET的RDS(on)就越小。在某些應(yīng)用中
2021-04-09 09:20:10
電路，即可實(shí)現(xiàn) 6.5~30V 輸入電壓、多種輸出電壓、輸出功率高達(dá) 15W 的隔離電源。VPS8703 內(nèi)部集成兩個(gè) N 溝道功率 MOSFET 和兩個(gè) P 溝道功率 MOSFET，并組成橋式連接方式。芯片
2022-11-11 14:44:13
陣營(yíng)。高效率 NexFET 包括 40V、60V、80V 以及 100V N 通道器件，可為廣泛大電流電機(jī)控制及電源應(yīng)用提供優(yōu)異的散熱性能。 最低導(dǎo)通電阻： 兩款最新 80V 及 100V
2018-11-29 17:13:53
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 86 ns典型接通延遲時(shí)間: 22 ns功率MOSFET有兩種類(lèi)型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇，N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多
2020-03-09 15:34:20
內(nèi)置N溝道MOSFET和專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的高速運(yùn)算放大器可以提供出色的瞬態(tài)響應(yīng)。這兩款芯片具有高的電流輸出能力，可以提供最高1A的輸出電流。它們能夠滿足3.3V（對(duì)于DDR2和DDR3）和5.0 V（對(duì)于
2019-03-29 06:20:13
半導(dǎo)體的交叉點(diǎn)開(kāi)關(guān)電路系列不斷有新型號(hào)面世，上述兩款芯片是最新推出的兩個(gè)型號(hào)，而DS25CP104及DS10CP154則是另外兩款最近推出的LVDS 4x4 交叉點(diǎn)開(kāi)關(guān)電路。:
2018-08-27 16:07:41
、隔離變壓器和整流電路，即可實(shí)現(xiàn) 6~30V 輸入電壓、多種輸出電壓、輸出功率1~2W 的隔離電源。VPS8701B 內(nèi)部集成兩個(gè) N 溝道功率 MOSFET 和兩個(gè) P 溝道功率 MOSFET，并組成
2023-03-21 15:24:12
概述：LTC3838是一款雙通道、多相 (PolyPhase?) 同步降壓型 DC/DC 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓控制器。兩個(gè)獨(dú)立的通道用于驅(qū)動(dòng)全 N 溝道功率 MOSFET。受控接通時(shí)間、谷值電流模式控制控制架構(gòu)可在穩(wěn)態(tài)操作中實(shí)現(xiàn)。
2021-04-09 07:07:17
自行設(shè)置與控制關(guān)鍵輸出參數(shù)，從而能夠節(jié)省時(shí)間和降低復(fù)雜性。更高的通道輸出功率和讀數(shù)分辨率這兩款產(chǎn)品都是三通道輸出，單通道最高輸出可達(dá)30V/3A/90W。（相比國(guó)內(nèi)同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品的三通道電源的模擬輸出
2012-10-29 14:20:24
30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管
30V N溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:41:00
20 30V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管
30V P 溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡(jiǎn)介
2010-04-08 17:42:0929 Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采
2010-07-16 15:05:2417 Vishay Intertechnology 控股的Siliconix 公司日前宣布推出采用反向?qū)б齌O-252 DPAK 封裝的新型TrenchFET 功率MOSFET 系列產(chǎn)品。憑借反向成型的接腳，采取「SUR」封裝的TrenchFET 能使該產(chǎn)品反向
2010-09-05 10:26:5964 Vishay新型功率MOSFET采用反向?qū)б齌O-252DPAK封裝
2010-11-12 22:27:3332 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
日前，Vishay Intertechnology宣布推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT 芯片級(jí)封裝的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點(diǎn)。
Si8422DB 針對(duì)手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:221152 Vishay發(fā)布兩款新型肖特基整流器，其采用小型MicroSMP功率封裝、具有0.35V的超低前向壓降
日前， Vishay Intertechnology, Inc.
2009-05-08 10:52:55673 Vishay推出具有最高32V電源電壓的新款I(lǐng)GBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出兩款新型IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器，豐富了其已
2009-07-01 09:30:55556 Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進(jìn)的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:52711 小信號(hào)應(yīng)用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多
2009-12-31 09:59:441420 Vishay推出4款MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291277 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET(ON)
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N(xiāo)溝道功率MOSFET器件
2010-04-10 10:32:52519 安森美推出帶集成肖特基二極管的30V 擴(kuò)充N(xiāo)溝道功率MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N(xiāo)溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30V產(chǎn)品。
NTMFS4897
2010-04-12 10:23:161107 P溝道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片級(jí)MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351550 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術(shù)的非對(duì)稱(chēng)雙通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43:23923 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，
2011-03-02 10:19:301341 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過(guò)JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 ? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴(kuò)充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB，擴(kuò)展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05898 的采用非對(duì)稱(chēng)PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車(chē)載
2013-12-13 15:07:13843 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 Vishay發(fā)布采用PowerPAIR? 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET? Gen IV技術(shù)的新款30V非對(duì)稱(chēng)雙片TrenchFET 功率MOSFET
2014-02-10 15:16:51890 東京—東芝公司（TOKYO：6502）旗下半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）柵極驅(qū)動(dòng)器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:361787 Vishay宣布，推出業(yè)內(nèi)首批通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的采用雙片不對(duì)稱(chēng)功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽車(chē)應(yīng)用的高效同步降壓
2016-07-11 14:33:171004 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導(dǎo)通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級(jí)電源提供
2017-02-10 15:10:111667 關(guān)鍵詞：MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用
2019-01-01 16:29:01380 電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開(kāi)關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當(dāng)柵極至源極電壓為零時(shí)，該MOSFET用作常開(kāi)的開(kāi)關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:587444 
Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)。
2021-04-21 17:50:211274 
新型 30 V n 溝道 TrenchFET?第五代功率 MOSFET，提升隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率密度和能效。 Vishay Siliconix?SiSS52DN?采用熱增強(qiáng)型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業(yè)應(yīng)用功率密度、能效和板級(jí)可靠性。
2022-02-07 15:37:08916 
Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導(dǎo)通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351341 兩款新型 30 V 對(duì)稱(chēng)雙通道 n 溝道功率 MOSFET，將高邊和低邊 TrenchFET Gen V MOSFET 組合在 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR 3x3FS 單體封裝
2023-02-04 06:10:04502 
PowerPAIR? 3x3FS封裝，30V對(duì)稱(chēng)雙通道MOSFET
2023-02-06 15:34:15576 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開(kāi)始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。
2024-02-22 17:11:08355 
近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱(chēng)雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0294 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14104
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