Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布業(yè)內(nèi)首款包含可變電阻和內(nèi)置旋鈕開關(guān)的新型面板式電位計(jì)---P16S
2012-06-04 13:56:27
1027 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款采用熱增強(qiáng)型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ，
2012-10-09 11:28:30984 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出業(yè)內(nèi)首款可邦定的薄膜片式電阻---CS44系列
2012-10-18 16:38:35950 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實(shí)現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:401439 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新的MPMA系列精密配對(duì)電阻。MPMA電阻網(wǎng)絡(luò)通過AEC-Q200認(rèn)證，采用表面模塑SOT-23貼片封裝。
2012-12-13 09:50:181871 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導(dǎo)通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設(shè)計(jì)人員在多個(gè)MOSFET并聯(lián)使用時(shí)減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。
2013-01-22 13:27:211206 日前，Vishay Intertechnology為滿足爆破的苛刻要求，推出新型大尺寸電爆破點(diǎn)火片式 （MEPIC） 電阻，通過焦耳效應(yīng)或閃光點(diǎn)火，使點(diǎn)火時(shí)間縮短到250μs以下。器件基于汽車行業(yè)
2013-02-25 13:50:51729 日前，Vishay Intertechnology， Inc推出用于功率MOSFET、microBUCK? 功率IC和DrMOS產(chǎn)品的免費(fèi)在線熱仿真工具ThermaSim 3.0版。為精確分析仿真
2013-03-05 15:52:33815 MOSFET---SiR872ADP，將該公司的ThunderFET?技術(shù)的電壓擴(kuò)展至150V。Vishay Siliconix SiR872ADP在10V和7.5V下的導(dǎo)通電阻低至18mΩ和23mΩ，同時(shí)保持低柵極電荷，在10V和7.5V下的典型電荷為31nC和22.8nC。
2013-04-23 11:47:111791 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新系列高功率、大電流的柵格電阻---GRE2。Vishay Milwaukee GRE2電阻
2015-11-24 10:08:05778 Vishay 宣布，推出了全新的直接水冷繞線電阻系列--- DCRF，可提供9000W的超高功率消耗，并且?guī)缀鯖]有外部輻射。Vishay MCB DCRF 系列器件提供從38 mm×178 mm至38 mm×410 mm的六種緊湊尺寸，相較標(biāo)準(zhǔn)繞線電阻該系列是專門為節(jié)省空間和提高可靠性而設(shè)計(jì)的。
2018-06-20 14:41:587919 日前，Vishay推出采用標(biāo)準(zhǔn)電阻安裝尺寸的全新高功率、大電流云母柵格電阻器系列---GREM。
2018-08-07 15:19:427763 ? 1、超級(jí)結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362774 
Vishay 宣布，推出最新系列高壓厚膜片式電阻---CRHP系列，額定功率1.5 W，工作電壓高達(dá)3000 V，從1206到2512包括五種小外形尺寸。為提高設(shè)計(jì)靈活性，Vishay Techno CRHP系列電阻有各種樣式、電極材料、配置和定制尺寸。
2019-03-07 15:55:004627 --- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模擬工藝，導(dǎo)通電阻只有1.5?。與前一代產(chǎn)品和在相同占位內(nèi)具有近似導(dǎo)通電阻的競(jìng)爭(zhēng)模擬開關(guān)相比，這些器件在關(guān)閉
2019-03-08 15:06:392213 日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實(shí)現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 Vishay 推出通過AEC-Q200認(rèn)證的新系列高功率薄膜環(huán)繞式貼片電阻---PHPA 系列。
2021-09-15 11:48:521696 
Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導(dǎo)通電阻比前一代600
2022-02-21 11:18:05934 
Vishay推出新型VSMP0603超高精度Bulk Metal Z箔 (BMZF) 卷型表面貼裝電阻。該器件是率先采用 0603 芯片尺寸的產(chǎn)品，當(dāng)溫度范圍在 -55℃至
2008-09-26 13:42:57
汽車級(jí)電阻，節(jié)省電路板空間，工作電壓為450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，擴(kuò)充其TNPV e3系列汽車級(jí)高壓薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電阻
2010-05-06 08:55:20
DirectFET2功率環(huán)保封裝 由于采用COOLiRFET硅技術(shù), 40V AUIRF8736M2與上一代設(shè)備相比，導(dǎo)通電阻（Rds（on））改善了40%,從而可以將傳導(dǎo)損耗降到最低。雙面冷卻的中罐式
2018-09-28 15:57:04
我在網(wǎng)上一些帖子上面看到，MOS管導(dǎo)通后如果工作在現(xiàn)行放大區(qū)的話就有可能燒壞管子，這是因?yàn)榫€性區(qū)的ID電流較大，同時(shí)RDS也較大，功耗較高所致。但我看了 一下MOS的應(yīng)用手冊(cè)，上面提到的導(dǎo)通后RDS都是mΩ級(jí)別的，這個(gè)也算是電阻大嘛？這不是與上面的介紹想矛盾嗎？另外，MOS的功耗究竟應(yīng)該怎么計(jì)算呢？
2018-10-25 11:14:39
忽略輸入開關(guān)的導(dǎo)通電阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，遠(yuǎn)大于外部電阻Rext，輸入開關(guān)導(dǎo)通電阻為何能忽略？如果考慮Rin，又該如何計(jì)算？另外Vstep為什么這樣計(jì)算？
2018-08-06 07:49:37
電氣技師和電子制造工程師用接地導(dǎo)通電阻測(cè)試儀驗(yàn)證電器和消費(fèi)產(chǎn)品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當(dāng)?shù)剡B接到了其機(jī)殼底座。當(dāng)電器內(nèi)部發(fā)生故障電流時(shí)，如果電器沒有適當(dāng)?shù)剡B接到已接地的機(jī)殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
上一篇和上上篇介紹了“升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例”的其1和其2。本文將探討“開關(guān)的導(dǎo)通電阻對(duì)傳遞函數(shù)的影響”。本次也采用同樣的方法展開探討。推導(dǎo)出的傳遞函數(shù)同樣為和，同樣按兩個(gè)步驟來推導(dǎo)。開關(guān)
2018-11-30 11:48:22
求推薦一款導(dǎo)通電阻毫歐級(jí)別的常閉型固態(tài)繼電器，或者其他的導(dǎo)通電阻很小的也行,不想用電磁繼電器，要求就是常態(tài)下是閉合，給電才導(dǎo)通
2021-01-09 09:50:06
` ?。?）不同耐壓的MOS管的導(dǎo)通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導(dǎo)通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
測(cè)量MOS管的導(dǎo)通電阻除了在選定開關(guān)時(shí)有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
我有2個(gè)很快的問題。1。AMUX和AMUX定序器的導(dǎo)通電阻和電容是多少？2。SAR和Delta DigMA ADC的采樣電阻和電容是多少？
2019-09-10 15:18:05
請(qǐng)問有人知道MOS管作為開關(guān)如何仿真在開啟與中斷狀態(tài)下，不同頻率點(diǎn)的導(dǎo)通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態(tài)下MOS管的導(dǎo)通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結(jié)果查看ZM的實(shí)部，但是出來的結(jié)果如下所示：結(jié)果都很小并且打開和關(guān)斷阻抗大小是相反的，請(qǐng)問有人知道這個(gè)是出了什么問題嗎
2021-06-25 07:59:24
使用COOLMOS技術(shù)的MOSFET?！ R公司也推出了SUPPER220，SUPPER247封裝的超級(jí)MOSFET，額定電流分別為35A，59A，導(dǎo)通電阻分別為 0.082Ω，0.045Ω，150
2023-02-27 11:52:38
Vishay Intertechnology 控股的Siliconix 公司日前宣布推出采用反向?qū)б齌O-252 DPAK 封裝的新型TrenchFET 功率MOSFET 系列產(chǎn)品。憑借反向成型的接腳，采取「SUR」封裝的TrenchFET 能使該產(chǎn)品反向
2010-09-05 10:26:59
64 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進(jìn)的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)Pow
2009-11-23 17:10:23650 TI具有最低導(dǎo)通電阻的全面集成型負(fù)載開關(guān)
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (rON) 比同類競(jìng)爭(zhēng)
2009-12-18 09:26:06681 TI 推出具備最低導(dǎo)通電阻的完全整合型負(fù)載開關(guān)
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:28846 Vishay推出Bulk Metal箔電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出副基準(zhǔn)、密封充油的Bulk Metal?箔電阻 --- H和HZ系列，在精度、穩(wěn)定性和速度上都設(shè)定了新的
2010-01-09 09:44:18595 Vishay推出Bulk Metal箔電阻，在精度、穩(wěn)定性和速度上都有突破
Vishay推出副基準(zhǔn)、密封充油的Bulk Metal箔電阻——H和HZ系列，在精度、穩(wěn)定性和速度上都設(shè)定了新的行業(yè)基
2010-01-11 08:36:381176 
Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 Vishay推出業(yè)內(nèi)最高容值液鉭電容器DSCC10004
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，
2010-04-09 11:41:36971 Vishay推出新款薄膜貼片電阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號(hào)：VSH）宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環(huán)境優(yōu)化的新系列打線式、裸芯片貼片式
2010-04-17 16:12:54676 Vishay推出Power Metal Strip分流電阻的流媒體視頻
Vishay推出為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術(shù)用于定制產(chǎn)品，滿足特定用戶的需求，Vishay在其網(wǎng)站(
2010-05-08 16:14:23629 日前，長(zhǎng)期為軍工和航天客戶提供高可靠性分立和IC器件的供應(yīng)商Vishay Intertechnology, Inc.宣布，該公司旗下子公司Vishay Siliconix位于加州Santa Clara的工廠已經(jīng)通過了DSCC的
2010-07-07 18:08:29710 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過DSCC檢驗(yàn)的新款零阻值貼片電阻--RCWPM Jumper，該電阻通過了MIL-PRF-32159的
2010-11-24 09:18:071095 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。
2011-01-26 09:04:081505 日前，Vishay 推出新的PHP系列精密高功率薄膜貼片電阻。這些器件具有低至±25ppm/℃的絕對(duì)TCR，低至±0.1%的容差
2011-02-14 09:12:021157 Vishay 宣布推出具有65mm2/ 0.1 in2的業(yè)內(nèi)最小Lug安裝空間的新系列Mini Lug負(fù)溫度系數(shù)(NTC)熱敏電阻--- NTCALUG03
2011-03-23 10:09:421405 Vishay宣布，推出業(yè)界首款綠色、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)（無(wú)任何例外）的厚膜矩形貼片電阻--- RCG e3
2011-03-24 10:36:571265 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出可在-55℃～+215℃寬溫范圍內(nèi)工作的新款精密低TCR薄膜電阻---PLTT
2011-03-28 11:04:301388 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面貼裝Power Metal Strip電阻--- WSK0612。該電阻是業(yè)內(nèi)首個(gè)4接頭、1W的檢流電阻，采用小尺寸的0612封裝，具有0.5 mΩ～5mΩ的低阻值。
2011-09-06 09:43:07846 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出一款新型耐高溫、表面貼裝的環(huán)繞式厚膜片式電阻---CHPHT。
2011-12-05 09:05:27770 日前，Vishay 宣布，推出新款采用2512外形尺寸的表面貼裝Power Metal Strip?電阻--- WSLP2512，這種電阻具有高達(dá)3W的功率和0.0005Ω的極低阻值。
2012-02-07 11:43:061082 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，發(fā)布采用2906尺寸封裝的新款Power Metal Strip?儀表分流電阻--- WSMS2906，該電阻具有3W的功率和最低300μΩ的極低阻值。
2012-02-20 11:55:18533 Vishay宣布，推出新的專業(yè)和精密系列寬接頭薄膜片式電阻---MCW 0406 AT，這些電阻是首批采用0406小外形尺寸的此類器件。
2012-03-05 09:34:401019 
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出通過IECQ-CECC認(rèn)證的無(wú)鉛和含鉛厚膜片式電阻。
2012-03-12 09:50:131039 Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)首款采用小尺寸57mm x 60mm封裝的功率厚膜電阻--- LPS1100
2012-04-12 14:01:471179 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社面向太陽(yáng)能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場(chǎng)，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級(jí)低導(dǎo)通電阻的高耐壓功率MOSFET “R5050DNZ0C9” （500V/50A/typ，34mΩmax45mΩ）。
2012-05-04 11:53:101171 
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:19806 Mouser Electronics開始供應(yīng)Vishay Siliconix第一款採(cǎi)用業(yè)界最小的晶片級(jí)封裝，并將導(dǎo)通電阻降至 1.2V 的 MOSFET。
2012-11-26 09:28:421014 Vishay宣布，推出新系列軸向水泥繞線電阻---Z300-C系列，是業(yè)內(nèi)首個(gè)具有12kV定制高壓浪涌承受能力的器件。
2013-01-28 18:31:331381 
日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，將其MCW 0406 AT Precision系列寬端子薄膜片式電阻的歐姆值擴(kuò)展至1?，是業(yè)內(nèi)采用小尺寸0406封裝的器件中阻值最低的。
2013-02-19 11:23:231244 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級(jí)結(jié)技術(shù)，導(dǎo)通電阻低至30m?、電流達(dá)6A～105A，在8種封裝中實(shí)現(xiàn)低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241063 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新系列高精度薄膜MELF電阻--- UMB 0207。Vishay Beyschlag UMB
2013-12-03 16:45:391345 Siliconix Si8851EDB是為在移動(dòng)計(jì)算設(shè)備中提高效率和節(jié)省空間而設(shè)計(jì)的，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動(dòng)下分別具有8.0mΩ和11.0mΩ的極低導(dǎo)通電阻。
2013-12-05 10:30:05898 的采用非對(duì)稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車載
2013-12-13 15:07:13843 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 。Vishay Siliconix SiZ340DT把高邊和低邊MOSFET組合在一個(gè)小尺寸封裝里，導(dǎo)通電阻比前一代同樣封裝尺寸的器件低57%，功率密度高25%，效率高5%，可節(jié)省空間，并簡(jiǎn)化高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)。
2014-02-10 15:16:51890 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動(dòng)下具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，在便攜電子產(chǎn)品里能夠節(jié)省空間，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:44885 2015年1月22日，北京訊。日前，德州儀器 （TI） 推出其NexFET? 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應(yīng)用于熱插拔和ORing應(yīng)用。
2015-01-22 15:33:263064 Vishay宣布采用0505、0603和2512外形尺寸，用于高功率表面貼裝射頻應(yīng)用的RCP系列厚膜電阻對(duì)外供貨。Vishay Dale器件具有非常高的導(dǎo)熱率，使用主動(dòng)溫度控制的情況下功率等級(jí)可達(dá)22W。
2015-07-13 16:40:211450 
Vishay宣布，推出業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認(rèn)證的采用雙片不對(duì)稱功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽車應(yīng)用的高效同步降壓
2016-07-11 14:33:171004 德州儀器（TI）近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管，電阻實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低，比傳統(tǒng)60-V負(fù)載開關(guān)低90%，同時(shí)，使終端系統(tǒng)功耗得以降低。CSD18541F5內(nèi)置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝，其負(fù)載開關(guān)的封裝體積比SOT-23中的減小80%。
2016-07-18 17:12:361476 Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新系列高功率、表面貼裝的精密無(wú)磁薄膜片式電阻--- PCNM系列。Vishay Dale Thin Film PCNM系列電阻采用氮化鋁襯底，功率等級(jí)為2W和6W，外形尺寸分別為1206和2512。
2016-07-18 17:22:541863 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出功率等級(jí)達(dá)到3W，采用1216外形尺寸的新表面貼裝Power Metal Strip?檢流電阻
2016-11-23 16:48:111697 了高效率的解決方案。這顆器件具有業(yè)內(nèi)最低的優(yōu)值系數(shù) （FOM 即柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積），該參數(shù)是600V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的關(guān)鍵指標(biāo)。
2017-02-10 15:10:111667 Vishay推出一款全新AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的厚膜功率電阻器---LTO 150，采用夾片式TO247封裝，可直接安裝到散熱器上。
2018-07-30 16:57:256236 針對(duì)負(fù)載箱、動(dòng)態(tài)制動(dòng)以及電機(jī)控制用途，電阻器以標(biāo)準(zhǔn)電阻安裝尺寸提供高達(dá)8kW的功率 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用標(biāo)準(zhǔn)電阻
2018-08-25 11:05:002953 關(guān)鍵詞：MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用
2019-01-01 16:29:01380 關(guān)鍵詞：Vishay , WSK0612 , 表面貼裝 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款表面貼裝Power Metal
2019-01-07 12:17:01186 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有1.5?低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關(guān)--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。
2020-01-09 15:00:141020 日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET--- SQJ264EP，這是采用PowerPAK? SO-8L
2020-12-15 16:09:501556 Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)。
2021-04-21 17:50:211274 
Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212?8S 封裝，導(dǎo)通電阻低至 0.95 mΩ，優(yōu)異的 FOM 僅為 29.8?mΩ*nC Vishay 推出多功能
2021-05-28 17:25:572153 Vishay 宣布，推出增強(qiáng)型Vishay Draloric RCC1206 e3厚膜片式電阻，外形尺寸為1206，額定功率0.5 W。
2021-09-23 10:05:441213 
Vishay Draloric RCC1206 e3 器件通過 AEC-Q200 認(rèn)證節(jié)省電路板空間同時(shí)減少元件數(shù)量，降低加工成本。 Vishay 推出增強(qiáng)型 Vishay Draloric
2021-10-11 15:32:491314 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導(dǎo)通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351341 Siliconix n溝道 SiHK045N60EF導(dǎo)通電阻比前代器件降低29 %，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案，同時(shí)柵極電荷下降60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中600 V
2022-10-12 15:44:14375 
Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導(dǎo)通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案，同時(shí)柵極電荷下降 60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:12817 器件可以用作表面貼裝組件。Vishay Draloric 電阻具有高功率等級(jí)和出色的抗脈沖性能，是業(yè)內(nèi)首款采用無(wú)感型的此類電阻。WSZ 引線型器件技術(shù)規(guī)格如下表所示。 器件規(guī)格表 *經(jīng)過
2022-11-10 11:25:06608 Vishay ?MCB ISOA 器件通過 AEC-Q200 認(rèn)證 采用 SOT-227 小型封裝 可直接安裝在散熱器上 具有高脈沖處理能力 功率耗散達(dá) 120 W Vishay? 推出一款通過
2023-06-03 08:25:02533 
全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14104
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