Vishay Draloric RCC1206 e3
器件通過 AEC-Q200 認證節(jié)省電路板空間同時減少元件數(shù)量,降低加工成本。
Vishay 推出增強型 Vishay Draloric RCC1206 e3 厚膜片式電阻,外形尺寸為 1206,額定功率 0.5 W。
RCC1206 e3 的功率是這種標準尺寸厚膜片式電阻的兩倍,可用來替代兩個 1206 并聯(lián)電阻,或占位面積更大的 1210 外形尺寸單個器件。因此,設計師可節(jié)省汽車、工業(yè)、通信和醫(yī)療應用的電路板空間,同時減少元件數(shù)量,降低加工成本。
RCC1206 e3 通過 AEC-Q200 認證,阻值范圍 1 Ω 至 1 MΩ—0 Ω 跳線—精度分別為 ±1 % 和 ±5 %,電阻溫度系數(shù)(TCR)為 ± 100 ppm/K 和 ± 200 ppm/K。電阻工作電壓為 200 V,工作溫度范圍 -55 ?C 至 +155 ?C。
器件符合 RoHS 標準,無鹵素,適合在自動貼片機上采用符合 IEC 61760-1 的波峰焊、回流焊或氣相焊工藝加工。
責任編輯:haq
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
原文標題:Vishay 推出 1206 外形尺寸增強型厚膜片式電阻,額定功率為 0.5 W
文章出處:【微信號:Vishay威世科技,微信公眾號:Vishay威世科技】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
相關推薦
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用TMS320C6000增強型DMA的應用.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 10-23 09:48
?0次下載
N溝道增強型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導體場效應晶體管)作為現(xiàn)代電子技術中的關鍵元件,具有一系列獨特的優(yōu)點和一定的局限性。以下是對N溝道增強型MOSFET優(yōu)缺點的詳細分析。
發(fā)表于 09-23 17:06
?631次閱讀
: 定義 :CoolGaN是英飛凌(Infineon)公司推出的一系列基于氮化鎵(GaN)技術的產(chǎn)品品牌或系列名稱。它代表了英飛凌在GaN功率器件領域的技術成果和產(chǎn)品線。 范疇 :CoolGaN系列產(chǎn)品包括但不限于增強型HEMT(常關
發(fā)表于 09-07 09:28
?526次閱讀
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《增強型HotRod QFN封裝:實現(xiàn)低EMI性能.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 08-26 11:37
?0次下載
全球領先的電子元器件制造商Vishay Intertechnology, Inc. 近日隆重推出了CHA系列全新薄膜片式電阻器,這一系列電阻
發(fā)表于 08-07 17:59
?992次閱讀
近日, Vishay 宣布推出一系列新型AEC-Q200合格薄膜片式電阻器,為汽車、航天、航空電子、電信和軍事應用提供高達70 GHz的高頻性能。V
發(fā)表于 07-25 11:50
?431次閱讀
增強型MOS管(Enhancement MOSFET)是一種重要的場效應晶體管,具有高輸入阻抗、低輸入電流、高速開關和低噪聲等優(yōu)點,被廣泛應用于電子設備中。以下是對增強型MOS管結構的詳細解析。
發(fā)表于 07-24 10:51
?1532次閱讀
科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出專為電子引爆系統(tǒng)設計的新型系列TANTAMOUNT?表面貼裝固體模壓型片式鉭電容器-
發(fā)表于 07-23 21:46
?267次閱讀
Vishay 推出專為電子引爆系統(tǒng)設計的新型系列 Tantamount 表面貼裝固體模壓型片式鉭電容器。Vishay Sprague TX3
發(fā)表于 07-19 09:26
?582次閱讀
MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件,具有高輸入阻抗、低驅動功率和良好的線性特性等優(yōu)點。根據(jù)導電溝道的形成方式,MOSFET可以分為增強型和耗盡型
發(fā)表于 07-14 11:32
?3703次閱讀
EAK厚膜高功率片式電阻器和氮化鋁片式端接非常適合大多數(shù)需要在小尺寸封裝中實現(xiàn)高導熱性的應用。AlN 是 BeO 的理想替代品,具有高功耗且對環(huán)境或健康無危害。
發(fā)表于 06-18 07:19
?491次閱讀
特性和控制方式,可以將其分為增強型和耗盡型兩大類。這兩種類型的MOS管在結構、工作原理、性能特點以及應用場景等方面都存在顯著的差異。本文將對增強型和耗盡型MOS管進行詳細的比較和分析,
發(fā)表于 05-12 17:13
?3293次閱讀
040%R。
熱沖擊特性:MIL-&d-202,方法107,條件C,R≤士0.25%R。
涂覆層:硅樹脂
片式厚膜電阻器的構造可以通過在絕緣基板頂部涂上絲印導電漿料來完成。這種導電膏可以
發(fā)表于 03-26 07:47
超薄片式厚膜電阻器具有許多碳電阻器特性;它們可以做得很小,而且大批量的成本非常低。同時厚膜電阻器
發(fā)表于 03-15 07:17
Vishay近日宣布推出一款全新的可見光敏感度增強型高速硅PIN光電二極管,以擴充其光電二極管產(chǎn)品組合。這款光電二極管型號為VEMD2704,采用了小型2.0mm x 1.8mm x 0.6mm頂視表面貼裝封裝,具有卓越的感光性
發(fā)表于 02-01 13:58
?3277次閱讀
評論