Vishay推出3款新型單極雙擲(SPDT)和雙路的雙極雙擲(DPDT)CMOS低壓模擬開關(guān)--- DG2735A、DG2725和DG2599
2011-06-30 09:02:17
790 模擬IC往往需要采用能夠優(yōu)化性能和精度的特殊IC工藝技術(shù)。這種獨(dú)立設(shè)計(jì)最終在系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)方案中獲得了廣泛的應(yīng)用。
2012-03-15 15:43:381705 
Vishay宣布，推出四款小外形尺寸、高性能的MLCC器件--- VJ5301M868MXBSR、VJ5601M868MXBSR和VJ5301M915MXBSR、VJ5601M915MXBSR
2012-06-05 09:50:10748 10nm新工藝難產(chǎn)，Intel不得不臨時(shí)增加了第三代的14nm工藝平臺(tái)Kaby Lake，但即便如此進(jìn)展也不快，Intel甚至將其描述為“2017年平臺(tái)”（2017 Platform）。
2016-07-11 09:44:081243 臺(tái)積電和三星都將在明年規(guī)模量產(chǎn)10nm新工藝，高通、蘋果、三星、聯(lián)發(fā)科的下一代處理器自然都會(huì)蜂擁而上，搶占制高點(diǎn)，據(jù)說第一個(gè)將是聯(lián)發(fā)科的新十核Helio X30。
2016-07-15 10:30:591048 --- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模擬工藝，導(dǎo)通電阻只有1.5?。與前一代產(chǎn)品和在相同占位內(nèi)具有近似導(dǎo)通電阻的競爭模擬開關(guān)相比，這些器件在關(guān)閉
2019-03-08 15:06:392213 `無線充電時(shí)代，第五屆手機(jī)外殼（2.5/3D玻璃、氧化鋯陶瓷）新材料新工藝論壇2018. 04. 20，深圳5G通信呼之欲出，無線充電時(shí)代開始來臨；蘋果、三星已采用，預(yù)計(jì)2018年無線充電將在
2018-01-22 11:11:41
7nm新工藝的加持：RX 5500 XT可輕輕松松突破2GHz
2021-06-26 07:05:34
UM3257采用亞微米CMOS工藝生產(chǎn)，在DFN12的封裝里面集成了2路單刀雙擲開關(guān)電路，DFN12封裝的外形尺寸為3mmX1.6mmX0.5mm,占用PCB板面積4.8mm2,器件高度僅為0.5mm。
2021-04-16 07:38:15
來處理數(shù)字信號(hào)，或者利用新工藝提高集成度降低成本。因此數(shù)字IC的生命周期很短，大約為1年-2年?！ ?b class="flag-6" style="color: red">模擬IC強(qiáng)調(diào)的是高信噪比、低失真、低耗電、高可靠性和穩(wěn)定性。產(chǎn)品一旦達(dá)到設(shè)計(jì)目標(biāo)就具備長久的生命力
2016-12-26 15:06:14
檢測(cè)電路，以適應(yīng)于不同電機(jī)及不同控制方式的要求；同時(shí)由于采用了高性能的MCU，更多類型的通信接口可被靈活應(yīng)用，如：URAT、CAN、RJ45等。
2019-07-09 08:24:02
專用演示板。低功率同步分離器EL1881視頻同步分離器采用Elantec的高性能模擬CMOS工藝制造。該設(shè)備從標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)視頻輸入中提取同步定時(shí)信息。它提供復(fù)合同步、垂直同步、突發(fā)/后廊定時(shí)和奇偶場(chǎng)檢測(cè)
2020-09-22 16:49:17
文章目錄前言微控制器系統(tǒng)（MSS）高性能FPGA可編程模擬前端（AFE）模擬計(jì)算引擎（ACE）特點(diǎn)簡介設(shè)計(jì)流程器件選型前言Actel SmartFusion?系列智能型混合信號(hào) FPGA 采用
2021-07-22 09:50:25
MAX14978采用小尺寸、3.5mm× 9.0mm、42引腳TQFN封裝。為高性能無源模擬開關(guān)，可用于在一個(gè)源端和兩個(gè)負(fù)載端之間(反之亦然)切換高速USB和超高速USB數(shù)據(jù)。包括兩組模擬開關(guān)，一組
2021-04-13 07:35:01
DG406DW-E3是一款16通道單端模擬多路復(fù)用器設(shè)計(jì)用于將16個(gè)輸入中的一個(gè)連接到公共端口由4位二進(jìn)制地址確定的輸出。應(yīng)用包括高速數(shù)據(jù)采集、音頻信號(hào)切換和路由、ATE系統(tǒng)和航空電子設(shè)備。高性能
2021-12-18 09:28:22
概述：P15V330是PERICOM半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款4通道2選1高性能視頻模擬開關(guān)，它具有低導(dǎo)通電阻（3Ω）、寬帶（200MHz）、低串?dāng)_（10MHz/-58dB）等特點(diǎn)。該芯片采用單一+5V。它為雙列16腳貼片封裝.
2021-05-19 07:13:48
產(chǎn)品重要性的同時(shí)，不約而同地表示要將精力集中在高性能模擬產(chǎn)品上。那么，在眾說紛紜“高性能”的情況下，什么產(chǎn)品才是高性能模擬產(chǎn)品？面對(duì)集成度越來越高的半導(dǎo)體行業(yè)，高性能模擬產(chǎn)品是否生存不易？中國市場(chǎng)對(duì)高性能模擬產(chǎn)品的接受程度如何？
2019-06-20 06:22:00
隨著射頻無線通信事業(yè)的發(fā)展和移動(dòng)通訊技術(shù)的進(jìn)步，射頻微波器件的性能與速度成為人們關(guān)注的重點(diǎn)，市場(chǎng)對(duì)其的需求也日益增多。目前，CMOS工藝是數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)的主要工藝選擇，對(duì)于模擬與射頻集成電路來說，有哪些選擇途徑？為什么要選擇標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝集成肖特基二極管？
2019-08-01 08:18:10
指導(dǎo)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員如何降低沖擊噪聲（pop noise）、檢測(cè)充電器及改進(jìn)眼圖張度。同時(shí)，本文還通過比較傳統(tǒng)方案與集成方案說明了手機(jī)市場(chǎng)向多媒體設(shè)計(jì)發(fā)展過程中采用這種高性能模擬產(chǎn)品所帶來的好處。
2019-07-16 06:21:40
本文采用0.18 μm CMOS工藝設(shè)計(jì)了一種適用于TI-ADC的高速、低功耗開環(huán)T&H電路。
2021-04-20 06:58:59
三角波信號(hào)發(fā)生器的原理是什么？三角波信號(hào)發(fā)生器的設(shè)計(jì)約束是什么？如何采用CMOS工藝去設(shè)計(jì)三角波信號(hào)發(fā)生器？
2021-04-13 06:26:12
單平衡混頻器是什么工作原理？如何利用CMOS模擬開關(guān)實(shí)現(xiàn)平衡混頻器？CMOS模擬開關(guān)具有哪些特性？利用CMOS開關(guān)可以實(shí)現(xiàn)開關(guān)混頻器，有什么注意事項(xiàng)？
2021-04-13 06:50:16
是什么推動(dòng)著高精度模擬芯片設(shè)計(jì)？如何利用專用晶圓加工工藝實(shí)現(xiàn)高性能模擬IC？
2021-04-07 06:38:35
在CSMC O．5μm CMOS工藝條件下，采用預(yù)放大器、鎖存比較電路和輸出緩沖級(jí)級(jí)聯(lián)的鎖存比較電路結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)了一個(gè)高速、高精度的高性能集成電壓比較器，它具有低輸入失調(diào)電壓、低功耗的特點(diǎn)。
2021-04-12 06:15:00
鎖相環(huán)系統(tǒng)是什么工作原理？傳統(tǒng)電荷泵電路存在的不理想因素有哪些？設(shè)計(jì)一種高性能CMOS電荷泵鎖相環(huán)電路
2021-04-09 06:38:45
FPGA在系統(tǒng)中表現(xiàn)出的特性是由芯片制造的半導(dǎo)體工藝決定的，當(dāng)然它們之間的關(guān)系比較復(fù)雜。過去，在每一節(jié)點(diǎn)會(huì)改進(jìn)工藝的各個(gè)方面，每一新器件的最佳工藝選擇是尺寸最小的最新工藝。現(xiàn)在，情況已不再如此。
2019-09-17 07:40:28
常用CMOS模擬開關(guān)引腳功能和工作原理CMOS模擬開關(guān)典型應(yīng)用舉例
2021-04-23 06:17:43
的CMOS工藝開發(fā)出高性能的下變頻器、低相位噪聲壓控振蕩器（VCO）和雙模數(shù)預(yù)分頻器（prescaler）。這些研究表明，在無須增加額外器件或進(jìn)行調(diào)整的條件下，可以設(shè)計(jì)出完全集成的接收器和VCO電路
2019-08-22 06:24:40
個(gè)V-引腳和一個(gè)地引腳，邏輯接口通常采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS和TTL電平。例如，單刀單擲(SPST)開關(guān)MAX4529即采用6引腳SOT23封裝。許多高性能模擬系統(tǒng)仍然使用較高電平的雙極性電源，例如±15V或
2011-12-16 10:47:02
【作者】：張科營;郭紅霞;羅尹虹;何寶平;姚志斌;張鳳祁;王園明;【來源】：《原子能科學(xué)技術(shù)》2010年02期【摘要】：采用TCAD工藝模擬工具按照等比例縮小規(guī)則構(gòu)建了從亞微米到超深亞微米級(jí)7種
2010-04-22 11:50:00
CMOS 模擬開關(guān)對(duì)傳輸信號(hào)的影響是什么呢？如何實(shí)現(xiàn)改進(jìn)型模擬開關(guān)電路設(shè)計(jì)？
2021-04-02 07:15:27
應(yīng)用行業(yè)：LED顯示屏、U盾、電子稱、數(shù)顯卡尺、萬用表工藝介紹：之前邦定板工藝有兩種：一種是沉金：優(yōu)點(diǎn)是上錫好，缺點(diǎn)是不耐磨；另外一種工藝是鍍金，優(yōu)點(diǎn)是耐磨，好邦定，缺點(diǎn)是上錫弱；邦定新工藝可以實(shí)現(xiàn)上錫好的同時(shí)大大降低成本，可以降低20%的成本，還可以提升良率QQ：2414764046
2019-04-09 10:07:14
最近更新了一下PDK文件，發(fā)現(xiàn)用的新的文件仿真以前做的一些模塊，一些指標(biāo)都變了對(duì)里面的MOS管進(jìn)行仿真，發(fā)現(xiàn)老工藝庫的單管本證增益比新工藝庫的還要高。這是什么情況有人遇到過這樣的問題嗎
2021-06-25 06:47:35
膜法處理高鹽度含油廢水新工藝技術(shù)研究1．浙江工業(yè)大學(xué)生物與環(huán)境工程學(xué)院，浙江杭州朝暉六區(qū)，3100142．浙江大學(xué)材料與化學(xué)工程學(xué)院，浙江杭州玉泉，310027）摘 要：本課
2009-08-08 09:45:57
自己的設(shè)備上確定真實(shí)效果.極大方便客戶.徹底解決舊工藝中薄膜開關(guān)顏色,圖案搭配,及由此調(diào)整產(chǎn)生的費(fèi)用給用戶帶來的難題.此項(xiàng)免費(fèi)優(yōu)惠活動(dòng)時(shí)間:前1000家采用新工藝的客戶.l堪比原工藝的使用壽命:經(jīng)測(cè)試
2011-03-11 13:34:13
自己的設(shè)備上確定真實(shí)效果.極大方便客戶.徹底解決舊工藝中薄膜開關(guān)顏色,圖案搭配,及由此調(diào)整產(chǎn)生的費(fèi)用給用戶帶來的難題.此項(xiàng)免費(fèi)優(yōu)惠活動(dòng)時(shí)間:前1000家采用新工藝的客戶.l堪比原工藝的使用壽命:經(jīng)測(cè)試
2011-03-11 12:44:08
的均勻霧狀過渡,高精度多色彩混色效果,您在各類廣告,畫報(bào),照片上看到過的任何印刷效果,新工藝均可達(dá)到.?配合高精度激光切割:最新引進(jìn)進(jìn)口精密激光切割機(jī),在PC,PET等薄膜開關(guān)專用材料上實(shí)現(xiàn)真正
2011-03-11 13:40:10
自己的設(shè)備上確定真實(shí)效果.極大方便客戶.徹底解決舊工藝中薄膜開關(guān)顏色,圖案搭配,及由此調(diào)整產(chǎn)生的費(fèi)用給用戶帶來的難題.此項(xiàng)免費(fèi)優(yōu)惠活動(dòng)時(shí)間:前1000家采用新工藝的客戶.l堪比原工藝的使用壽命:經(jīng)測(cè)試
2011-03-11 13:42:26
傳統(tǒng)煙草制絲線是以品牌配方的模式組織生產(chǎn) ,為適應(yīng)分組加工新工藝在制絲線中的應(yīng)用 ,要求在品牌配方的基礎(chǔ)上 ,引入模塊的概念 ,因此傳統(tǒng)制絲線的控制程序已不能滿足分組加
2009-04-11 10:00:23
12 本文介紹的是如何選擇正確的CMOS模擬開關(guān)。
2009-04-20 11:34:0955 本文介紹了解決微型 MEMS 無縫互連的創(chuàng)新工藝。
2009-11-26 15:32:4216 CMOS模擬開關(guān)的選擇與典型應(yīng)用
一、前言：早期的模擬開關(guān)大多工作于±20V 的電源電壓，導(dǎo)通電阻為幾百歐姆，主要用于模擬信號(hào)與數(shù)字控制的接口，近幾
2010-05-24 17:36:1757 低電壓，單電源，單刀單擲的高性能模擬開關(guān)指標(biāo)
2010-06-28 18:33:3023
CMOS集成模擬開關(guān)控制電路
2009-02-09 16:00:28880 
高性能的模擬開關(guān)
2009-04-13 10:49:07456 
CMOS雙向模擬開關(guān)的電路結(jié)構(gòu)和符號(hào)
2009-07-15 19:07:512503 
高性能CMOS集成電壓比較器設(shè)計(jì)
電壓比較器是對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行鑒幅與比較的電路，其功能是比較一個(gè)模擬信號(hào)和另一個(gè)模擬信號(hào)(參考信號(hào))，并以輸出比較得到的二進(jìn)制
2009-09-08 08:08:502173 
我國研制出廢舊電池處理新工藝
北京科技大學(xué)及有關(guān)科研單位經(jīng)２０多年研究攻關(guān)，研制出國內(nèi)首創(chuàng)的廢舊電池物理分選─化學(xué)處理新工藝。應(yīng)用這一新工藝建成
2009-10-28 11:15:42703 新工藝驗(yàn)證規(guī)格服務(wù)汽車電子市場(chǎng)
中國市場(chǎng)的汽車生產(chǎn)量逐年提升，從2008年到2013年期間，中國車用電子市場(chǎng)的年復(fù)合成長率為17.5%，同一時(shí)間全球的成長率只有8%
2009-12-18 13:34:18564 采用PowerFill外延硅工藝的電源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個(gè)精
2010-01-25 09:17:05525 一種高性能CMOS電荷泵的設(shè)計(jì)
摘要: 設(shè)計(jì)了一種用于電荷泵鎖相環(huán)的CMOS電荷泵電路。電路中采用3對(duì)自偏置高擺幅共源共柵電流鏡進(jìn)行泵電流鏡像，增大了低電壓下電荷
2010-03-13 11:57:382930 
CMOS模擬開關(guān),CMOS模擬開關(guān)是什么意思
CMOS（本意是指互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體——一種大規(guī)模應(yīng)用于集成電路芯片制造的原料）是微機(jī)主板上的一塊可
2010-03-22 17:10:591916 國內(nèi)光伏企業(yè)啟用零污染節(jié)能新工藝
3月24日早間消息，總部設(shè)在保定的太陽能公司英利綠色能源宣布，今年擴(kuò)展400兆瓦產(chǎn)能，將總產(chǎn)
2010-03-24 08:35:08482 Vishay發(fā)布2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出2010年的“Super 12”高性
2010-03-25 15:37:06660 1、CMOS集成模擬開關(guān)的基本原理
CMOS模擬開關(guān)具有電源電壓范圍寬（4000系列
2010-12-06 13:06:533991 
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出6款新型采用節(jié)省空間的TDFN和MSOP表面貼裝封裝的低電壓、高精度雙路單刀單擲(SPST)模擬開關(guān)--- DG721/2/3和DG2537/8/9。這些器件具
2011-10-14 09:33:08949 AMD考慮改變傳統(tǒng)的工藝策略，不再一味盲目追新?，F(xiàn)在我們談?wù)?0nm和14nm。我認(rèn)為我們?cè)趤喸邮澜缰行凶叩么_實(shí)很艱難。轉(zhuǎn)換到新工藝所帶來的價(jià)格優(yōu)勢(shì)已經(jīng)開始模糊
2011-12-18 14:21:13807 2012年，被動(dòng)元件廠商看好哪些應(yīng)用？被動(dòng)元件廠商在新工藝新材料方面有哪些突破？ 馳騁被動(dòng)元件市場(chǎng)50年的Vishay公司亞洲區(qū)事業(yè)發(fā)展部總監(jiān)楊益彰先生在接受2012慕尼黑上海電子展主辦
2012-03-02 17:08:40740 
據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，蘋果將會(huì)采用新工藝，進(jìn)一步降低MacBook Pro和MacBook Air設(shè)備的零件厚度。
2012-09-27 10:07:46955 在白色LED模塊需求以照明用途為中心不斷高漲的情況下，日本愛德克公司（IDEC）針對(duì)將組合藍(lán)色LED元件和黃色熒光材料實(shí)現(xiàn)白色光的模塊（偽白色LED模塊），開發(fā)出了新的制造工藝（圖1）＊1。新工藝
2013-03-04 10:43:241435 
第一代來自Maxim Integrated的sub-100nm模擬工藝制成的模擬產(chǎn)品即將登臺(tái)，近日，Maxim的CEOTun? Doluca針對(duì)這項(xiàng)新工藝進(jìn)行談?wù)摿怂男虏呗?，并且分享了他?duì)于英特爾、三星和中國的一些看法。
2013-06-06 17:30:452301 設(shè)計(jì)參考手冊(cè)（Design Rule Manual，DRM） 與SPICE認(rèn)證，相比于原16納米FinFET制程，可以使系統(tǒng)和芯片公司通過此新工藝在同等功耗下獲得15%的速度提升、或者在同等速度下省電30%。
2014-10-08 19:10:45663 日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，將多個(gè)Vishay Siliconix模擬開關(guān)產(chǎn)品升級(jí)到了新工藝，大幅提升了器件性能和壽命。這種新工藝能夠替代漸趨過時(shí)的硅技術(shù)
2016-09-02 09:15:071699 全球領(lǐng)先的高性能傳感器和模擬IC供應(yīng)商艾邁斯半導(dǎo)體今天宣布推出高性能模擬低噪聲CMOS制程工藝（“A30”）。這種新型的A30制程工藝具有卓越的噪聲性能，并通過光刻工藝使體積縮小至艾邁斯半導(dǎo)體高級(jí)0.35μm高壓CMOS制程工藝系列產(chǎn)品的0.9倍。
2016-12-06 16:11:06879 智能硬件是以平臺(tái)性底層軟硬件為基礎(chǔ)，以智能傳感互聯(lián)、人機(jī)交互、新型顯示及大數(shù)據(jù)處理等新一代信息技術(shù)為特征，以新設(shè)計(jì)、新材料、新工藝硬件為載體的新型智能終端產(chǎn)品及服務(wù)。
2017-10-09 14:08:271954 的CMOS工藝開發(fā)出高性能的下變頻器、低相位噪聲壓控振蕩器（VCO）和雙模數(shù)預(yù)分頻器（prescaler）。這些研究表明，在無須增加額外器件或進(jìn)行調(diào)整的條件下，可以設(shè)計(jì)出完全集成的接收器和VCO電路。
2017-11-25 11:07:014628 
作為臺(tái)積電最有競爭力的競爭對(duì)手，三星聯(lián)手IBM打造5nm新工藝叫板臺(tái)積電。
為了實(shí)現(xiàn)這個(gè)壯舉，就必須在現(xiàn)有的芯片內(nèi)部構(gòu)架上進(jìn)行改變。研究團(tuán)隊(duì)將硅納米層進(jìn)行水平堆疊，而非傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體行業(yè)的垂直堆疊構(gòu)架，這使得5nm晶體管的工藝有了實(shí)現(xiàn)可能，而這一工藝將有可能引爆未來芯片性能的進(jìn)一步高速發(fā)展。
2018-01-20 19:56:276887 
據(jù)報(bào)道，法國研究機(jī)構(gòu)Leti of CEA Tech研發(fā)出一個(gè)生產(chǎn)高性能氮化鎵Micro LED顯示屏的新工藝。相比現(xiàn)有方法，這項(xiàng)新工藝更簡單且更高效。
2019-05-17 15:14:172720 為了實(shí)現(xiàn)高電壓額定值和出色的開關(guān)性能，DG1411系列是內(nèi)置在日前，Vishay Siliconix公司的最新的高電壓硅柵工藝。一種外延層防止閉鎖。每個(gè)開關(guān)進(jìn)行同樣的作用時(shí)，兩個(gè)方向，并阻止輸入電壓供應(yīng)水平關(guān)閉時(shí)。
2019-06-04 17:12:349241 
Vishay DG 增強(qiáng)模擬開關(guān) IC 具有 16V 擴(kuò)展工作電壓范圍和增強(qiáng)的漏電流限制。 DG 增強(qiáng) IC 還具有更低的開關(guān)導(dǎo)通電阻以及整體降低的功耗。 該 IC 提供增強(qiáng)的堅(jiān)固性，同時(shí)具有更高
2019-08-23 09:31:322412 在日本的2019 VLSI Symposium超大規(guī)模集成電路研討會(huì)上，臺(tái)積電宣布了兩種新工藝，分別是7nm、5nm的增強(qiáng)版，但都比較低調(diào)，沒有過多宣傳。
2019-07-31 15:28:322593 據(jù)外媒報(bào)道，TowerJazz于近日公布了旗下先進(jìn)專業(yè)級(jí)模擬射頻（advanced analog specialty RF）及高性能模擬（high-performance analog，HPA）的制造工藝。
2019-09-18 14:54:181386 AMD今年推出了7nm工藝的銳龍、霄龍及Radeon顯卡，三大業(yè)務(wù)全線升級(jí)新工藝了，這是Q3季度AMD業(yè)績大漲的關(guān)鍵。
2019-10-31 15:32:332358 ADI公司創(chuàng)新的多芯片封裝工藝使得新型SPI轉(zhuǎn)并行轉(zhuǎn)換器芯片可以與現(xiàn)有高性能模擬開關(guān)芯片結(jié)合在同一封裝中。這樣既可節(jié)省空間，又不會(huì)影響精密開關(guān)性能。
2019-11-25 11:41:15586 但其實(shí)在芯片代工方面，還有很多其他不同的工藝和廠商。例如硅鍺和SOI等就是其典型代表。另外，還有如MEMS、砷化鎵等第三代半導(dǎo)體等工藝也是市場(chǎng)關(guān)注的熱點(diǎn)。尤其是在即將到來的物聯(lián)網(wǎng)和5G時(shí)代，這些新工藝的關(guān)注度正在升溫。
2019-12-26 15:22:16970 ADI公司創(chuàng)新的多芯片封裝工藝使得新型SPI轉(zhuǎn)并行轉(zhuǎn)換器芯片可以與現(xiàn)有高性能模擬開關(guān)芯片結(jié)合在同一封裝中。這樣既可節(jié)省空間，又不會(huì)影響精密開關(guān)性能。
2020-03-16 11:46:43741 SanDisk（閃迪）宣布，已于去年底開始投產(chǎn)19nm新工藝的NAND閃存芯片，并對(duì)此工藝所能帶來的更好性能、更低成本寄予厚望。
2020-07-24 15:19:141632 2020第四屆國際新材料新工藝及色彩（簡稱CMF）展將于2020年11月24日-11月27日在深圳國際會(huì)展中心舉行，展會(huì)以跨界創(chuàng)新，縱向落地為主題，重磅推出5G終端及基站功能材料、消費(fèi)電子外觀效果
2020-09-18 11:13:528483 責(zé)任編輯：xj 原文標(biāo)題：突破！一種5G陶瓷濾波器創(chuàng)新工藝，解決介質(zhì)陶瓷粉體制備的痛點(diǎn)！ 文章出處：【微信公眾號(hào)：5G半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
2020-09-28 10:02:242054 1月28日消息，今日，小米筆記本官方微博再次為RedmiBook Pro預(yù)熱。 官方表示，手感、質(zhì)感俱佳，不負(fù)期待，新工藝不想放手，這次真的很Pro。 根據(jù)此前預(yù)熱信息來看，新一代RedmiBook
2021-01-28 15:56:181748 摘要 LG新能源表示，新工藝使其電池生產(chǎn)線由原來的45米降低至20米，明顯提高了生產(chǎn)效率。這種技術(shù)將應(yīng)用于公司全球范圍內(nèi)包括波蘭和中國在內(nèi)的多家電池工廠。 外媒報(bào)道稱，LG新能源在其美國電池工廠采用
2021-05-27 09:41:372930 原定于2021年9月1-3日在深圳舉辦的“2021第5屆國際新材料新工藝及色彩（簡稱CMF）展覽會(huì)”將延期至2021年9月27-29日繼續(xù)在深圳國際會(huì)展中心（寶安6號(hào)館）舉辦，我司將隨后公布更具體的相關(guān)信息。
2021-09-02 16:22:152080 
重要通知：獵板PCB表面處理新工藝-鎳鈀金于官網(wǎng)正式上線！ 在前幾天推出的文章中，小編提到了獵板的新工藝鎳鈀金（也叫化鎳鈀金、沉鎳鈀金），這是一種最新的PCB表面處理技術(shù)，由于該工藝對(duì)工廠的制程能力
2021-10-14 16:00:313095 
著名的電源半導(dǎo)體技術(shù)公司深圳市銳駿半導(dǎo)體有限公司最新推出一款MOS封裝新工藝。這款TO220-S封裝廣泛的適用于MOSFET、高壓整流器及肖特基等功率器件。
2022-03-12 17:57:131195 為了突破露點(diǎn)儀的工藝天花板，奧松電子的研發(fā)工程師們創(chuàng)造性地采用了半導(dǎo)體的加工方式，實(shí)現(xiàn)了在極小的體積上，瞬間達(dá)到所需要的高溫，實(shí)現(xiàn)了節(jié)能、抗污和高效等目標(biāo)。運(yùn)用這一新工藝，實(shí)現(xiàn)了新的效果。
2022-08-19 15:51:161206 2022年9月26日，廣東高云半導(dǎo)體科技股份有限公司隆重發(fā)布其最新工藝節(jié)點(diǎn)的晨熙家族第5代（Arora V）高性能FPGA產(chǎn)品。
2022-09-26 14:27:301014 近日，中國科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心研究員朱慧瓏團(tuán)隊(duì)利用研發(fā)的垂直晶體管新工藝，制備出高性能的單晶溝道3D NOR閃存器件。該器件上下疊置的晶體管既具單晶硅溝道的高性能優(yōu)勢(shì)，又具三維一體集成的制造成本低的優(yōu)點(diǎn)。
2022-11-22 15:01:14546 新工藝電磁流量計(jì)在傳統(tǒng)電磁 流量計(jì)制造的基礎(chǔ)上做了哪些改進(jìn)?
2023-02-07 13:51:47541 
研究團(tuán)隊(duì)聚焦集成電路領(lǐng)域“卡脖子”技術(shù)，研發(fā)了一種可以應(yīng)用于高端電子產(chǎn)品、適應(yīng)5G通信高頻高速信號(hào)傳輸速率，且具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的PCB高精密表面修飾新工藝。
2023-04-25 10:49:37362 
隨著政策扶植、智能化技術(shù)、高性能磁性材料和新工藝的發(fā)展，BLDC電機(jī)市場(chǎng)增量空間將被有力推動(dòng)，滲透率有望加速提高。 前言 隨著全球?qū)τ诃h(huán)保和能源效率的要求越來越高，BLDC電機(jī)作為一種高效、環(huán)保
2023-05-08 15:52:44510 
本文回顧了標(biāo)準(zhǔn)CMOS模擬開關(guān)的基本結(jié)構(gòu)和通用模擬開關(guān)的一些基本參數(shù)，比如導(dǎo)通電阻(RON)、RON平坦度、泄漏、電荷注入和關(guān)斷隔離。文章討論了新型模擬開關(guān)的性能改進(jìn)：更好的開關(guān)特性、更低的工作電壓
2023-06-12 10:20:151884 
DOH新工藝技術(shù)助力提升功率器件性能及使用壽命
2024-01-11 10:00:33120 
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